電流從LED陽極流向陰極時，半導體晶體就發(fā)出從紫外到紅外不同顏色的光線，光的強弱與電流有關(guān)。以下是傳統(tǒng)發(fā)光二極管所使用的無機半導體物料和所它們發(fā)光的顏色LED材料材料化學式顏色鋁砷化鎵砷化鎵砷化鎵磷化物磷化銦鎵鋁磷化鎵（摻雜氧化鋅）AlGaAsGaAsPAlGaInPGaP:ZnO紅色及紅外線鋁磷化鎵銦氮化鎵/氮化鎵磷化鎵磷化銦鎵鋁鋁磷化鎵InGaN/GaNGaPAlGaInPAlGaP綠色磷化鋁銦鎵砷化鎵磷化物磷化銦鎵鋁磷化鎵GaAsPAlGaInPAlGaInPGaP高亮度的橘紅色，橙色，黃色，綠色磷砷化鎵GaAsP紅色，橘紅色，黃色磷化鎵硒化鋅銦氮化鎵碳化硅GaPZnSeInGaNSiC紅色，黃色，綠色氮化鎵(GaN)綠色，翠綠色，藍色銦氮化鎵InGaN近紫外線，藍綠色，藍色碳化硅(用作襯底)SiC藍色硅(用作襯底)Si藍色藍寶石(用作襯底)Al2O3藍色硒化鋅ZnSe藍色鉆石C紫外線氮化鋁,氮化鋁鎵AlNAlGaN波長為遠至近的紫外線發(fā)光二極管LED燈特點編輯LED燈就是發(fā)光二極管，是采用固體半導體芯片為發(fā)光材料，與傳統(tǒng)燈具相比，LED燈節(jié)能、環(huán)保、顯色性與響應速度好。[3]（一）節(jié)能是LED燈突出的特點在能耗方面，LED燈的能耗是白熾燈的十分之一，是節(jié)能燈的四分之一。這是LED燈的一個大的特點?，F(xiàn)在的人們都崇尚節(jié)能環(huán)保。二極管的主要原理就是利用PN結(jié)的單向?qū)щ娦?，在PN結(jié)上加上引線和封裝就成了一個二極管。廣東進口Infineon英飛凌二極管工廠直銷
因此務必在齊納二極管有電流經(jīng)過時進行檢查。理想的情況是正負溫度系數(shù)完全相互抵消，但是這不切實際也沒有必要，簡單的改進便已足夠。在二極管具有高電壓且正溫度系數(shù)更高的情況下，可以使用兩個（或兩個以上）二極管改進抵消的效果。圖2顯示了在工作溫度范圍為25°C~100°C時，在沒有串聯(lián)二極管、串聯(lián)一個二極管和串聯(lián)兩個二極管的情況下，圖1中計算得出的電壓調(diào)整偏差與不同齊納二極管輸出電壓的對比情況。圖2中的垂直線顯示增加串聯(lián)二極管后，在，與溫度相關(guān)的誤差可以減少3~5%。圖2：將一個或多個二極管與電壓值超過。第2個例子中使用了轉(zhuǎn)換器，該轉(zhuǎn)換器要求電平移位器向控制電路發(fā)送輸出電壓信息。圖3是一個負輸入到正輸出的反相降壓-升壓電路?？刂齐娐芬?Vin軌為基準，輸出電壓以接地端為基準。為了使控制電路精確調(diào)整輸出電壓，電平移位器重建了“FB和-Vin”間的差分“Vout到GND”電壓。在這一實現(xiàn)中，約等于（Vout-VbeQ1）/R的電流源從Vout流向Vin。電流在較低電阻中流動，重建以-Vin為基準的輸出電壓。增加Q2，配置成二極管，可以恢復Q1產(chǎn)生的Vbe壓降損失。此時，除了與beta相關(guān)的小誤差，F(xiàn)B引腳處的電平位移電壓差不多復制了Vout和GND間的電壓。福建優(yōu)勢Infineon英飛凌二極管銷售價格通過在制造過程中的工藝措施和使用時限制反向電流的大小。
空穴為少數(shù)載流子。[6]因此，在本征半導體的兩個不同區(qū)域摻入三價和PN結(jié)五價雜質(zhì)元素，便形成了P型區(qū)和N型區(qū)，根據(jù)N型半導體和P型半導體的特性，可知在它們的交界處就出現(xiàn)了電子和空穴的濃度差異，電子和空穴都要從濃度高的區(qū)域向濃度低的區(qū)域擴散，它們的擴散使原來交界處的電中性被破壞。[6]二極管PN結(jié)單向?qū)щ娦栽赑N結(jié)外加正向電壓V，在這個外加電場的作用下，PN結(jié)的平衡狀態(tài)被打破，P區(qū)中的空穴和N區(qū)的電子都要PN結(jié)移動，空穴和PN結(jié)P區(qū)的負離子中和，電子和PN結(jié)N區(qū)的正離子中和，這樣就使PN結(jié)變窄。隨著外加電場的增加，擴散運動進一步增強，漂移運動減弱。當外加電壓超過門檻電壓，PN結(jié)相當于一個阻值很小的電阻，也就是PN結(jié)導通。[6]二極管主要分類編輯二極管點接觸型二極管點接觸型二極管的PN結(jié)接觸面積小，不能通過較大的正向電流和承受較高的反向電壓，但它的高頻性能好，適宜在高頻檢波電路和開關(guān)電路中使用[5]。二極管面接觸型二極管面接觸型二極管的PN結(jié)接觸面積大，可以通過較大的電流，也能承受較高的反向電壓，適宜在整流電路中使用[5]。二極管平面型二極管平面型二極管在脈沖數(shù)字電路中作開關(guān)管使用時PN結(jié)面積小，用于大功率整流時PN結(jié)面積較大[5]。
他們撞擊松的價電子且產(chǎn)生了額外的載流子。因為一個載流子能通過撞擊來產(chǎn)生額外的成千上外的載流子就好像一個雪球能產(chǎn)生一場雪崩一樣，所以這個過程叫avalanchemultiplication。反向擊穿的另一個機制是，它能使粒子在不管有任何障礙存在時都能移動一小段距離。如果耗盡區(qū)足夠薄，那么載流子就能靠tunneling跳躍過去。Tunneling電流主要取決于耗盡區(qū)寬度和結(jié)上的電壓差。Tunneling引起的反向擊穿稱為齊納擊穿。結(jié)的反向擊穿電壓取決于耗盡區(qū)的寬度。耗盡區(qū)越寬需要越高的擊穿電壓。就如先前討論的一樣，摻雜的越輕，耗盡區(qū)越寬，擊穿電壓越高。當擊穿電壓低于5伏時，耗盡區(qū)太薄了，主要是齊納擊穿。當擊穿電壓高于5伏時，主要是雪崩擊穿。設(shè)計出的主要工作于反向?qū)ǖ臓顟B(tài)的PN二極管根據(jù)占主導地位的工作機制分別稱為齊納二極管或雪崩二極管。齊納二極管的擊穿電壓低于5伏，而雪崩二極管的擊穿電壓高于5伏。通常工程師們不管他們的工作原理都把他們稱為齊納管。因此主要靠雪崩擊穿工作的7V齊納管可能會使人迷惑不解。實際上，結(jié)的擊穿電壓不僅和它的摻雜特性有關(guān)還和它的幾何形狀有關(guān)。以上討論分析了一種由兩種均勻摻雜的半導體區(qū)域在一個平面相交的平面結(jié)。二極管有兩個電極，正極，又叫陽極；負極，又叫陰極。
[4]二極管大整流電流大整流電流是指二極管長期連續(xù)工作時，允許通過的大正向平均電流值，其值與PN結(jié)面積及外部散熱條件等有關(guān)。因為電流通過管子時會使管芯發(fā)熱，溫度上升，溫度超過容許限度（硅管為141℃左右，鍺管為90℃左右）時，就會使管芯過熱而損壞。所以在規(guī)定散熱條件下，二極管使用中不要超過二極管大整流電流值。[4]二極管高反向工作電壓加在二極管兩端的反向電壓高到一定值時，會將管子擊穿，失去單向?qū)щ娔芰?。為了保證使用安全，規(guī)定了高反向工作電壓值。[4]二極管檢測方法編輯二極管小功率晶體二極管1.判別正、負電極（1）觀察外殼上的符號標記。通常在二極管的外殼上標有二極管的符號，帶有三角形箭頭的一端為正極，另一端是負極。[7]（2）觀察外殼上的色點。在點接觸二極管的外殼上，通常標有極性色點(白色或紅色)。一般標有色點的一端即為正極。還有的二極管上標有色環(huán)，帶色環(huán)的一端則為負極。[7]（3）以阻值較小的一次測量為準，黑表筆所接的一端為正極，紅表筆所接的一端則為負極。(d)觀察二極管外殼，帶有銀色帶一端為負極。[7]2.檢測高反向擊穿電壓。對于交流電來說，因為不斷變化，因此高反向工作電壓也就是二極管承受的交流峰值電壓。形成在一定反向電壓范圍內(nèi)與反向偏置電壓值無關(guān)的反向飽和電流。山西品質(zhì)Infineon英飛凌二極管銷售價格
采用不同的摻雜工藝，通過擴散作用，將P型半導體與N型半導體制作在同一塊半導體（通常是硅或鍺）基片上。廣東進口Infineon英飛凌二極管工廠直銷
外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。當外界有反向電壓偏置時，外界電場和自建電場進一步加強，形成在一定反向電壓范圍內(nèi)與反向偏置電壓值無關(guān)的反向飽和電流。[5]當外加的反向電壓高到一定程度時，PN結(jié)空間電荷層中的電場強度達到臨界值產(chǎn)生載流子的倍增過程，產(chǎn)生大量電子空穴對，產(chǎn)生了數(shù)值很大的反向擊穿電流，稱為二極管的擊穿現(xiàn)象。PN結(jié)的反向擊穿有齊納擊穿和雪崩擊穿之分。[5]二極管PN結(jié)形成原理P型半導體是在本征半導體（一種完全純凈的、結(jié)構(gòu)完整的半導體晶體）摻入少量三價元素雜質(zhì)，如硼等。P型和N型半導體因硼原子只有三個價電子，它與周圍的硅原子形成共價鍵，因缺少一個電子，在晶體中便產(chǎn)生一個空位，當相鄰共價鍵上的電子獲得能量時就有可能填補這個空位，使硼原子成了不能移動的負離子，而原來的硅原子的共價鍵則因缺少一個電子，形成了空穴，但整個半導體仍呈中性。這種P型半導體中以空穴導電為主，空穴為多數(shù)載流子，自由電子為少數(shù)載流子。[6]N型半導體形成的原理和P型原理相似。在本征半導體中摻入五價原子，如磷等。摻入后，它與硅原子形成共價鍵，產(chǎn)生了自由電子。在N型半導體中，電子為多數(shù)載流子。廣東進口Infineon英飛凌二極管工廠直銷