自動(dòng)化DDR一致性測(cè)試維修

相關(guān)器件的應(yīng)用手冊(cè)，ApplicationNote:在這個(gè)文檔中，廠家一般會(huì)提出一些設(shè)計(jì)建議，甚至參考設(shè)計(jì)，有時(shí)該文檔也會(huì)作為器件手冊(cè)的一部分出現(xiàn)在器件手冊(cè)文檔中。但是在資料的搜集和準(zhǔn)備中，要注意這些信息是否齊備。

參考設(shè)計(jì)，ReferenceDesiqn:對(duì)于比較復(fù)雜的器件，廠商一般會(huì)提供一些參考設(shè)計(jì)，以幫助使用者盡快實(shí)現(xiàn)解決方案。有些廠商甚至?xí)苯犹峁┰韴D，用戶可以根據(jù)自己的需求進(jìn)行更改。

IBIS 文件:這個(gè)對(duì)高速設(shè)計(jì)而言是必需的，獲得的方法前面已經(jīng)講過(guò)。 DDR4存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)的信號(hào)完整性。自動(dòng)化DDR一致性測(cè)試維修

前面介紹過(guò)，JEDEC規(guī)范定義的DDR信號(hào)的要求是針對(duì)DDR顆粒的引腳上的，但 是通常DDR芯片采用BGA封裝，引腳無(wú)法直接測(cè)試到。即使采用了BGA轉(zhuǎn)接板的方 式，其測(cè)試到的信號(hào)與芯片引腳處的信號(hào)也仍然有一些差異。為了更好地得到芯片引腳 處的信號(hào)質(zhì)量， 一種常用的方法是在示波器中對(duì)PCB走線和測(cè)試夾具的影響進(jìn)行軟件的 去嵌入(De-embedding)操作。去嵌入操作需要事先知道整個(gè)鏈路上各部分的S參數(shù)模型 文件(通常通過(guò)仿真或者實(shí)測(cè)得到),并根據(jù)實(shí)際測(cè)試點(diǎn)和期望觀察到的點(diǎn)之間的傳輸函數(shù)， 來(lái)計(jì)算期望位置處的信號(hào)波形，再對(duì)這個(gè)信號(hào)做進(jìn)一步的波形參數(shù)測(cè)量和統(tǒng)計(jì)。展示了典型的DDR4和DDR5信號(hào)質(zhì)量測(cè)試環(huán)境，以及在示波器中進(jìn)行去嵌入操作的 界面。云南DDR一致性測(cè)試銷售廠DDR2 和 LPDDR2 電氣一致性測(cè)試應(yīng)用軟件。

對(duì)DDR5來(lái)說(shuō)，設(shè)計(jì)更為復(fù)雜，仿真軟件需要幫助用戶通過(guò)應(yīng)用IBIS模型針對(duì)基于 DDR5顆?；駾IMM的系統(tǒng)進(jìn)行仿真驗(yàn)證，比如仿真驅(qū)動(dòng)能力、隨機(jī)抖動(dòng)/確定性抖動(dòng)、寄 生電容、片上端接ODT、信號(hào)上升/下降時(shí)間、AGC(自動(dòng)增益控制)功能、4taps DFE(4抽頭 判決反饋均衡)等。

DDR的讀寫(xiě)信號(hào)分離

對(duì)于DDR總線來(lái)說(shuō)，真實(shí)總線上總是讀寫(xiě)同時(shí)存在的。規(guī)范對(duì)于讀時(shí)序和寫(xiě)時(shí)序的 相關(guān)時(shí)間參數(shù)要求是不一樣的，讀信號(hào)的測(cè)量要參考讀時(shí)序的要求，寫(xiě)信號(hào)的測(cè)量要參考寫(xiě) 時(shí)序的要求。因此要進(jìn)行DDR信號(hào)的測(cè)試，第一步要做的是從真實(shí)工作的總線上把感興 趣的讀信號(hào)或者寫(xiě)信號(hào)分離出來(lái)。JEDEC協(xié)會(huì)規(guī)定的DDR4總線的 一個(gè)工作時(shí) 序圖(參考資料： JEDEC STANDARD DDR4 SDRAM,JESD79-4),可以看到對(duì)于讀和寫(xiě)信 號(hào)來(lái)說(shuō)，DQS和DQ間的時(shí)序關(guān)系是不一樣的。

按照存儲(chǔ)信息方式的不同，隨機(jī)存儲(chǔ)器又分為靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器SRAM(Static RAM)和 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器DRAM(Dynamic RAM)。SRAM運(yùn)行速度較快、時(shí)延小、控制簡(jiǎn)單，但是 SRAM每比特的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需要多個(gè)晶體管，不容易實(shí)現(xiàn)大的存儲(chǔ)容量，主要用于一些對(duì)時(shí) 延和速度有要求但又不需要太大容量的場(chǎng)合，如一些CPU芯片內(nèi)置的緩存等。DRAM的 時(shí)延比SRAM大，而且需要定期的刷新，控制電路相對(duì)復(fù)雜。但是由于DRAM每比特?cái)?shù)據(jù)存儲(chǔ)只需要一個(gè)晶體管，因此具有集成度高、功耗低、容量大、成本低等特點(diǎn)，目前已經(jīng)成為大 容量RAM的主流，典型的如現(xiàn)在的PC、服務(wù)器、嵌入式系統(tǒng)上用的大容量?jī)?nèi)存都是DRAM。DDR5 一致性測(cè)試應(yīng)用軟件。

每個(gè)DDR芯片獨(dú)享DOS，DM信號(hào);四片DDR芯片共享RAS#，CAS#，CS#，WE#控制信號(hào)。

DDR工作頻率為133MHz。

DDR 控制器選用Xilinx公司的 FPGA，型號(hào)為XC2VP30 6FF1152C

得到這個(gè)設(shè)計(jì)需求之后，我們首先要進(jìn)行器件選型，然后根據(jù)所選的器件，準(zhǔn)備相關(guān)的設(shè)計(jì)資料。一般來(lái)講，對(duì)于經(jīng)過(guò)選型的器件，為了使用這個(gè)器件進(jìn)行相關(guān)設(shè)計(jì)，需要有如下資料。

器件數(shù)據(jù)手冊(cè)Datasheet:這個(gè)是必須要有的。如果沒(méi)有器件手冊(cè)，是沒(méi)有辦法進(jìn)行設(shè)計(jì)的(一般經(jīng)過(guò)選型的器件，設(shè)計(jì)工程師一定會(huì)有數(shù)據(jù)手冊(cè))。 DDR、DDR2、DDR3 和 DDR4 設(shè)計(jì)與測(cè)試解決方案；云南DDR一致性測(cè)試銷售廠

DDR時(shí)鐘總線的一致性測(cè)試。自動(dòng)化DDR一致性測(cè)試維修

RDIMM(RegisteredDIMM,寄存器式雙列直插內(nèi)存)有額外的RCD(寄存器時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器，用來(lái)緩存來(lái)自內(nèi)存控制器的地址/命令/控制信號(hào)等)用于改善信號(hào)質(zhì)量，但額外寄存器的引入使得其延時(shí)和功耗較大。LRDIMM(LoadReducedDIMM,減載式雙列直插內(nèi)存)有額外的MB(內(nèi)存緩沖，緩沖來(lái)自內(nèi)存控制器的地址/命令/控制等),在技術(shù)實(shí)現(xiàn)上并未使用復(fù)雜寄存器，只是通過(guò)簡(jiǎn)單緩沖降低內(nèi)存總線負(fù)載。RDIMM和LRDIMM通常應(yīng)用在高性能、大容量的計(jì)算系統(tǒng)中。

綜上可見(jiàn)，DDR內(nèi)存的發(fā)展趨勢(shì)是速率更高、封裝更密、工作電壓更低、信號(hào)調(diào)理技術(shù) 更復(fù)雜，這些都對(duì)設(shè)計(jì)和測(cè)試提出了更高的要求。為了從仿真、測(cè)試到功能測(cè)試階段保證DDR信號(hào)的波形質(zhì)量和時(shí)序裕量，需要更復(fù)雜、更的仿真、測(cè)試和分析工具。

自動(dòng)化DDR一致性測(cè)試維修