真空磁控濺射的分類：平面磁控濺射：平衡平面濺射是較常用的平面靶磁控濺射，磁力線有閉合回路且與陰極平行，即在陰極表面構(gòu)成一個正交的電磁場環(huán)形區(qū)域。等離子體被束縛在靶表面距離靶面大約60cm的區(qū)域，通常在基片上加負偏壓來改善膜與基體的結(jié)合能力；非平衡平面磁控濺射為...

磁控濺射的基本原理是利用Ar一O2混合氣體中的等離子體在電場和交變磁場的作用下，被加速的高能粒子轟擊靶材表面，能量交換后，靶材表面的原子脫離原晶格而逸出，轉(zhuǎn)移到基體表面而成膜。磁控濺射的特點是成膜速率高，基片溫度低，膜的粘附性好，可實現(xiàn)大面積鍍膜。該技術(shù)可以分...

硅片在進入每道工序之前表面必須是潔凈的，需經(jīng)過重復(fù)多次的清洗步驟，除去表面的污染物。芯片制造需要在無塵室中進行，在芯片的制造過程中，任何的沾污現(xiàn)象都將影響芯片上器件的正常功能。沾污雜質(zhì)具體指半導(dǎo)體制造過程中引入的任何危害芯片成品率以及電學(xué)性能的物質(zhì)。具體的沾污...

磁控濺射包括很多種類，各有不同工作原理和應(yīng)用對象。但有一共同點：利用磁場與電場交互作用，使電子在靶表面附近成螺旋狀運行，從而增大電子撞擊氬氣產(chǎn)生離子的概率。所產(chǎn)生的離子在電場作用下撞向靶面從而濺射出靶材。磁控反應(yīng)濺射絕緣體看似容易，而實際操作困難。主要問題是反...

氧化爐為半導(dǎo)體材料進氧化處理，提供要求的氧化氛圍，實現(xiàn)半導(dǎo)體設(shè)計預(yù)期的氧化處理，是半導(dǎo)體加工過程不可或缺的一個環(huán)節(jié)。退火爐是半導(dǎo)體器件制造中使用的一種工藝設(shè)備，其包括加熱多個半導(dǎo)體晶片以影響其電性能。熱處理是針對不同的效果而設(shè)計的?？梢约訜峋约ぐl(fā)摻雜劑，將...

磁控濺射原理：電子在電場的作用下加速飛向基片的過程中與氬原子發(fā)生碰撞，電離出大量的氬離子和電子，電子飛向基片。氬離子在電場的作用下加速轟擊靶材，濺射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子（或分子）沉積在基片上成膜。二次電子在加速飛向基片的過程中受到磁場洛倫茲力的影響...

從硅圓片制成一個一個的半導(dǎo)體器件，按大工序可分為前道工藝和后道工藝。前道工藝的目的是“在硅圓片上制作出IC電路”，其中包括300～400道工序。按其工藝性質(zhì)可分為下述幾大類：形成各種薄膜材料的“成膜工藝”；在薄膜上形成圖案并刻蝕，加工成確定形狀的“光刻工藝”；...

微機械是指利用半導(dǎo)體技術(shù)（特別是平板印制術(shù)，蝕刻技術(shù)）設(shè)計和制造微米領(lǐng)域的三維力學(xué)系統(tǒng)，以及微米尺度的力學(xué)元件的技術(shù)。它開辟了制造集成到硅片上的微米傳感器和微米電機的嶄新可能性。微機械加工技術(shù)的迅速發(fā)展導(dǎo)致了微執(zhí)行器的誕生。人們在實踐中認識到，硅材料不只有優(yōu)異...

真空磁控濺射的分類：平面磁控濺射：平衡平面濺射是較常用的平面靶磁控濺射，磁力線有閉合回路且與陰極平行，即在陰極表面構(gòu)成一個正交的電磁場環(huán)形區(qū)域。等離子體被束縛在靶表面距離靶面大約60cm的區(qū)域，通常在基片上加負偏壓來改善膜與基體的結(jié)合能力；非平衡平面磁控濺射為...

真空鍍膜：離子鍍膜法：目前比較常用的組合方式有：射頻離子鍍(RFIP)。利用電阻或電子束加熱使膜材氣化；依靠射頻等離子體放電使充入的真空Ar及其它惰性氣體、反應(yīng)氣體氧氣、氮氣、乙炔等離化。這種方法的特點是：基板溫升小，不純氣體少，成膜好，適合鍍化合物膜，但匹配...

磁控濺射粉體鍍膜技術(shù)已經(jīng)實現(xiàn)了銀包銅粉、銀包鋁粉、鋁包硅粉等多種微納米級粉體的量產(chǎn).由該技術(shù)得到的功能性復(fù)合粉體具有優(yōu)異的分散性,鍍層均勻度較高,鍍層與粉體的結(jié)合緊密度較高。磁控濺射鍍膜可以賦予超細粉體新的特性,例如在微米級二氧化硅表面鍍鋁,得到的復(fù)合粉體不但...

磁控濺射的工藝研究：1、功率：每一個陰極都具有自己的電源。根據(jù)陰極的尺寸和系統(tǒng)設(shè)計，功率可以在0~150KW之間變化。電源是一個恒流源。在功率控制模式下，功率固定同時監(jiān)控電壓，通過改變輸出電流來維持恒定的功率。在電流控制模式下，固定并監(jiān)控輸出電流，這時可以調(diào)節(jié)...

MEMS采用類似集成電路(IC)的生產(chǎn)工藝和加工過程，用硅微加工工藝在一硅片上可同時制造成百上千個微型機電裝置或完整的MEMS。使MEMS有極高的自動化程度，批量生產(chǎn)可大幅度降低生產(chǎn)成本;而且地球表層硅的含量為2%。幾乎取之不盡，因此MEMS產(chǎn)品在經(jīng)濟性方面更...

基片溫度對薄膜結(jié)構(gòu)有較大影響，基片溫度高，使吸附原子的動能增大，跨越表面勢壘的幾率增多，容易結(jié)晶化，并使薄膜缺陷減少，同時薄膜內(nèi)應(yīng)力也會減少，基片溫度低，則易形成無定形結(jié)構(gòu)膜。 材料飽和蒸汽壓隨溫度的上升而迅速增大，所以實驗時必須控制好蒸發(fā)源溫度。蒸發(fā)鍍膜常用...

利用PECVD生長的氧化硅薄膜具有以下優(yōu)點：1.均勻性和重復(fù)性好，可大面積成膜，適合批量生長2.可在低溫下成膜，對基底要求比較低3.臺階覆蓋性比較好 4.薄膜成分和厚度容易控制，生長方法階段 5.應(yīng)用范圍廣，設(shè)備簡單，易于產(chǎn)業(yè)化。評價氧化硅薄膜的質(zhì)量，簡單的方...

特殊濺射沉積技術(shù)：反應(yīng)濺射參數(shù)與生成物性能的關(guān)系：在純Ar狀態(tài)下濺射沉積的時純鋁膜，當(dāng)?shù)獨獗灰胝婵帐液?，靶面發(fā)生變化，隨氮氣的量不斷上升，填充因子下降，膜內(nèi)AlN含量上升，膜的介質(zhì)性提高，方塊電阻增加，當(dāng)?shù)獨膺_到某一值時，沉積膜就是純的AlN。同時電流不變的...

真空鍍膜機磁控濺射方式：直流濺射方法用于被濺射材料為導(dǎo)電材料的濺射和反應(yīng)濺射鍍膜中，其工藝設(shè)備簡單，有較高的濺射速率。中頻交流磁控濺射在單個陰極靶系統(tǒng)中，與脈沖磁控濺射有同樣的釋放電荷、防止打弧作用。中頻交流濺射技術(shù)還應(yīng)用于孿生靶濺射系統(tǒng)中，中頻交流孿生靶濺射...

晶圓是指制作硅半導(dǎo)體電路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高純度的多晶硅溶解后摻入硅晶體晶種，然后慢慢拉出，形成圓柱形的單晶硅。硅晶棒在經(jīng)過研磨，拋光，切片后，形成硅晶圓片，也就是晶圓。國內(nèi)晶圓生產(chǎn)線以8英寸和12英寸為主。晶圓的主要加工方式為片加工和批加工，即同...

蝕刻是芯片生產(chǎn)過程中重要操作，也是芯片工業(yè)中的重頭技術(shù)。蝕刻技術(shù)把對光的應(yīng)用推向了極限。蝕刻使用的是波長很短的紫外光并配合很大的鏡頭。短波長的光將透過這些石英遮罩的孔照在光敏抗蝕膜上，使之曝光。接下來停止光照并移除遮罩，使用特定的化學(xué)溶液清洗掉被曝光的光敏抗蝕...

一種半導(dǎo)體器件加工設(shè)備,其結(jié)構(gòu)包括伺貼承接裝置,活動機架,上珩板,封裝機頭,扣接片,電源線,機臺,伺貼承接裝置活動安裝在機臺上,電源線與封裝機頭電連接,上珩板與活動機架相焊接,封裝機頭通過扣接片固定安裝在上珩板上,本發(fā)明能夠通過機臺內(nèi)部的小功率抽吸機在持續(xù)對抽...

用硅片制造晶片主要是制造晶圓上嵌入電子元件(如電晶體、電容、邏輯閘等)的電路，這是所需技術(shù)較復(fù)雜、投資較大的工藝。作為一個例子，單片機的加工工序多達幾百道，而且需要的加工設(shè)備也比較先進，成本較高。盡管細節(jié)處理程序會隨著產(chǎn)品類型和使用技術(shù)的改變而發(fā)生變化，但是它...

氮化鎵是一種相對較新的寬帶隙半導(dǎo)體材料，具有更好的開關(guān)性能；特別是與現(xiàn)有的硅器件相比，具有更低的輸入和輸出電容以及零反向恢復(fù)電荷，可明顯降低功耗。氮化鎵是一種無機物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化...

磁控濺射就是以磁場束縛和延長電子的運動路徑，改變電子的運動方向，提高工作氣體的電離率和有效利用電子的能量。電子的歸宿不只是基片，真空室內(nèi)壁及靶源陽極也是電子歸宿。但一般基片與真空室及陽極在同一電勢。磁場與電場的交互作用使單個電子軌跡呈三維螺旋狀，而不是只在靶面...

高速率磁控濺射本質(zhì)特點是產(chǎn)生大量的濺射粒子，導(dǎo)致較高的沉積速率。實驗表明在較大的靶源密度在高速濺射，靶的濺射和局部蒸發(fā)同時發(fā)生，兩種過程的結(jié)合保證了較大的沉積速率（幾μm/min）并導(dǎo)致薄膜的結(jié)構(gòu)發(fā)生變化。與通常的磁控濺射比較，高速濺射和自濺射的特點在于較高的...

中頻磁控濺射鍍膜技術(shù)已逐漸成為濺射鍍膜的主流技術(shù)。它優(yōu)于直流磁控濺射鍍膜，因為它克服了陽極的消失并削減或消除了靶材的異常電弧放電。直流磁控濺射適用鍍膜設(shè)備，適用于筆記本電腦，手機外殼，電話，無線通信，視聽電子，遙控器，導(dǎo)航和醫(yī)療工具等，全自動控制，配備大功率磁...

清洗是半導(dǎo)體制程的重要環(huán)節(jié)，也是影響半導(dǎo)體器件良率的較重要的因素之一。清洗是晶圓加工制造過程中的重要一環(huán)，為了較大限度降低雜質(zhì)對芯片良率的影響，在實際生產(chǎn)過程中不只需要確保高效的單次清洗，還需要在幾乎所有的制程前后都進行頻繁的清洗，在單晶硅片制造、光刻、刻蝕、...

真空磁控濺射的分類：平面磁控濺射：平衡平面濺射是較常用的平面靶磁控濺射，磁力線有閉合回路且與陰極平行，即在陰極表面構(gòu)成一個正交的電磁場環(huán)形區(qū)域。等離子體被束縛在靶表面距離靶面大約60cm的區(qū)域，通常在基片上加負偏壓來改善膜與基體的結(jié)合能力；非平衡平面磁控濺射為...

磁控濺射鍍膜的產(chǎn)品特點：1、磁控濺射所利用的環(huán)狀磁場迫使二次電子跳欄式地沿著環(huán)狀磁場轉(zhuǎn)圈.相應(yīng)地,環(huán)狀磁場控制的區(qū)域是等離子體密度較高的部位.在磁控濺射時,可以看見濺射氣體——氬氣在這部位發(fā)出強烈的淡藍色輝光,形成一個光環(huán).處于光環(huán)下的靶材是被離子轟擊較嚴重的...

晶圓是指制作硅半導(dǎo)體電路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高純度的多晶硅溶解后摻入硅晶體晶種，然后慢慢拉出，形成圓柱形的單晶硅。硅晶棒在經(jīng)過研磨，拋光，切片后，形成硅晶圓片，也就是晶圓。國內(nèi)晶圓生產(chǎn)線以8英寸和12英寸為主。晶圓的主要加工方式為片加工和批加工，即同...

MOS場效應(yīng)管的制作流程是：1.將硅單晶切成大圓片，并加以研磨、拋光。2.拋光后的片子經(jīng)仔細清洗后，熱生長一層二氧化硅層。（一次氧化）3.用光刻技術(shù)可除漏、源擴散窗口上的二氧化硅。（一次光刻）4.進行選擇性的雜質(zhì)擴散。5.去處所有二氧化硅，重新生長一層質(zhì)量良好...