場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件。而三極管是電流控制元件。在只允許從信號(hào)源取較少電流的情況下，應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管。而在信號(hào)源電壓較低，又允許從信號(hào)源取較多電流的條件下，應(yīng)用三極管。場(chǎng)效應(yīng)管靠多子導(dǎo)電，管中運(yùn)動(dòng)的只是一種極性的載流子；三極管既用多子，又利用少子。由于多子濃度不易受外因的影響，因此在環(huán)境變化較強(qiáng)烈的場(chǎng)合，采用場(chǎng)效應(yīng)管比較合適。場(chǎng)效應(yīng)管的輸入電阻高，適用于高輸入電阻的場(chǎng)合。場(chǎng)效應(yīng)管的噪聲系數(shù)小，適用于低噪聲放大器的前置級(jí)。 場(chǎng)效應(yīng)管有三種類型：增強(qiáng)型、耗盡型和開(kāi)關(guān)型。佛山P溝增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管型號(hào) 膩流暢的磁性聲，彈性十足震撼人心的低頻轟炸聲，別有一番霸道氣勢(shì)。在一般的設(shè)計(jì)中場(chǎng)效應(yīng)管特長(zhǎng)沒(méi)有得到...

場(chǎng)效應(yīng)管與雙極性晶體管的比較場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件，柵極基本不取電流，而晶體管是電流控制器件，基極必須取一定的電流。因此，在信號(hào)源額定電流極小的情況，應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管。場(chǎng)效應(yīng)管是多子導(dǎo)電，而晶體管的兩種載流子均參與導(dǎo)電。由于少子的濃度對(duì)溫度、輻射等外界條件很敏感，因此，對(duì)于環(huán)境變化較大的場(chǎng)合，采用場(chǎng)效應(yīng)管比較合適。場(chǎng)效應(yīng)管除了和晶體管一樣可作為放大器件及可控開(kāi)關(guān)外，還可作壓控可變線性電阻使用。場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極在結(jié)構(gòu)上是對(duì)稱的，可以互換使用，耗盡型MOS管的柵——源電壓可正可負(fù)。因此，使用場(chǎng)效應(yīng)管比晶體管靈活。 場(chǎng)效應(yīng)管有三種類型：增強(qiáng)型、耗盡型和開(kāi)關(guān)型。臺(tái)州固電場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù) 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)...

場(chǎng)效應(yīng)管估測(cè)放大能力:將萬(wàn)用表?yè)艿絉×100檔，紅表筆接源極S，黑表筆接漏極D，相當(dāng)于給場(chǎng)效應(yīng)管加上1.5V的電源電壓。這時(shí)表針指示出的是D-S極間電阻值。然后用手指捏柵極G，將人體的感應(yīng)電壓作為輸入信號(hào)加到柵極上。由于管子的放大作用，UDS和ID都將發(fā)生變化，也相當(dāng)于D-S極間電阻發(fā)生變化，可觀察到表針有較大幅度的擺動(dòng)。如果手捏柵極時(shí)表針擺動(dòng)很小，說(shuō)明管子的放大能力較弱；若表針不動(dòng)，說(shuō)明管子已經(jīng)損壞。由于人體感應(yīng)的50Hz交流電壓較高，而不同的場(chǎng)效應(yīng)管用電阻檔測(cè)量時(shí)的工作點(diǎn)可能不同，因此用手捏柵極時(shí)表針可能向右擺動(dòng)，也可能向左擺動(dòng)。少數(shù)的管子RDS減小，使表針向右擺動(dòng)，多數(shù)管子的RDS增...

現(xiàn)行有兩種命名方法。第一種命名方法與雙極型三極管相同，第三位字母J代結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管，O代絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。第二位字母代材料，D是P型硅，反型層是N溝道；C是N型硅P溝道。例如,3DJ6D是結(jié)型N溝道場(chǎng)效應(yīng)三極管，3DO6C是絕緣柵型N溝道場(chǎng)效應(yīng)三極管。第二種命名方法是CS××#，CS代場(chǎng)效應(yīng)管，××以數(shù)字代型號(hào)的序號(hào)，#用字母代同一型號(hào)中的不同規(guī)格。例如CS14A、CS45G等。場(chǎng)效應(yīng)管的作用：場(chǎng)效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場(chǎng)效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。場(chǎng)效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)作阻抗變換。場(chǎng)效應(yīng)管可以用作可變電...

場(chǎng)效應(yīng)管使用時(shí)應(yīng)注意:（1）器件出廠時(shí)通常裝在黑色的導(dǎo)電泡沫塑料袋中，切勿自行隨便拿個(gè)塑料袋裝。也可用細(xì)銅線把各個(gè)引腳連接在一起，或用錫紙包裝。（2）取出的器件不能在塑料板上滑動(dòng)，應(yīng)用金屬盤(pán)來(lái)盛放待用器件。（3）焊接用的電烙鐵必須良好接地。（4）在焊接前應(yīng)把電路板的電源線與地線短接，再M(fèi)OS器件焊接完成后在分開(kāi)。（5）器件各引腳的焊接順序是漏極、源極、柵極。拆機(jī)時(shí)順序相反。（6）電路板在裝機(jī)之前，要用接地的線夾子去碰一下機(jī)器的各接線端子，再把電路板接上去。（7）場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極在允許條件下，比較好接入保護(hù)二極管。在檢修電路時(shí)應(yīng)注意查證原有的保護(hù)二極管是否損壞。 V型槽場(chǎng)效應(yīng)管使電流可以在...

柵極電壓（UGs）對(duì)漏極電流（ID）的控制作用稱為轉(zhuǎn)移特性，反映這兩者之間關(guān)系的曲線稱為轉(zhuǎn)移特性曲線。下圖1-60所示為N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性曲線。當(dāng)柵極電壓UGs取不同的電壓值時(shí)，漏極電流ID將隨之改變。當(dāng)ID=0時(shí),UGS的值為場(chǎng)效應(yīng)管的夾斷電壓Uq；當(dāng)UGs=0時(shí)，ID的值為場(chǎng)效應(yīng)管的飽和漏極電流Idss。在Ugs一定時(shí)，反映ID與Uds之間的關(guān)系曲線為輸出特性曲線，也稱為漏極特性曲線。上圖1-61所示為N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的輸出特性曲線。由圖可見(jiàn)，它分為三個(gè)區(qū)：飽和區(qū)、擊穿區(qū)和非飽和區(qū)。起放大作用時(shí)，應(yīng)工作在飽和區(qū)（這一點(diǎn)與前面講的普通三極管不同）。注意，此處的“飽和區(qū)”對(duì)應(yīng)普...

VMOS場(chǎng)效應(yīng)管:VMOS場(chǎng)效應(yīng)管（VMOSFET）簡(jiǎn)稱VMOS管或功率場(chǎng)效應(yīng)管，其全稱為V型槽MOS場(chǎng)效應(yīng)管。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來(lái)的高效、功率開(kāi)關(guān)器件。它不光繼承了MOS場(chǎng)效應(yīng)管輸入阻抗高（≥108W）、驅(qū)動(dòng)電流?。ㄗ笥?.1μA左右），還具有耐壓高（較高可耐壓1200V）、工作電流大（1.5A～100A）、輸出功率高（1～250W）、跨導(dǎo)的線性好、開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)良特性。正是由于它將電子管與功率晶體管之優(yōu)點(diǎn)集于一身，因此在電壓放大器（電壓放大倍數(shù)可達(dá)數(shù)千倍）、功率放大器、開(kāi)關(guān)電源和逆變器中正獲得普遍應(yīng)用。 場(chǎng)效應(yīng)管可以用于放大音頻和射頻信號(hào)。紹興全自動(dòng)場(chǎng)效應(yīng)管生產(chǎn)商 三極管...

場(chǎng)效應(yīng)管的檢測(cè)方法：（1）判定柵極G將萬(wàn)用表?yè)苤罵×1k檔分別測(cè)量三個(gè)管腳之間的電阻。若發(fā)現(xiàn)某腳與其字兩腳的電阻均呈無(wú)窮大，并且交換表筆后仍為無(wú)窮大，則證明此腳為G極，因?yàn)樗土硗鈨蓚€(gè)管腳是絕緣的。（2）判定源極S、漏極D在源-漏之間有一個(gè)PN結(jié)，因此根據(jù)PN結(jié)正、反向電阻存在差異，可識(shí)別S極與D極。用交換表筆法測(cè)兩次電阻，其中電阻值較低（一般為幾千歐至十幾千歐）的一次為正向電阻，此時(shí)黑表筆的是S極，紅表筆接D極。（3）測(cè)量漏-源通態(tài)電阻RDS（on）將G-S極短路，選擇萬(wàn)用表的R×1檔，黑表筆接S極，紅表筆接D極，阻值應(yīng)為幾歐至十幾歐。由于測(cè)試條件不同，測(cè)出的RDS（on）值比手冊(cè)中給出...

場(chǎng)效應(yīng)管估測(cè)放大能力:將萬(wàn)用表?yè)艿絉×100檔，紅表筆接源極S，黑表筆接漏極D，相當(dāng)于給場(chǎng)效應(yīng)管加上1.5V的電源電壓。這時(shí)表針指示出的是D-S極間電阻值。然后用手指捏柵極G，將人體的感應(yīng)電壓作為輸入信號(hào)加到柵極上。由于管子的放大作用，UDS和ID都將發(fā)生變化，也相當(dāng)于D-S極間電阻發(fā)生變化，可觀察到表針有較大幅度的擺動(dòng)。如果手捏柵極時(shí)表針擺動(dòng)很小，說(shuō)明管子的放大能力較弱；若表針不動(dòng)，說(shuō)明管子已經(jīng)損壞。由于人體感應(yīng)的50Hz交流電壓較高，而不同的場(chǎng)效應(yīng)管用電阻檔測(cè)量時(shí)的工作點(diǎn)可能不同，因此用手捏柵極時(shí)表針可能向右擺動(dòng)，也可能向左擺動(dòng)。少數(shù)的管子RDS減小，使表針向右擺動(dòng)，多數(shù)管子的RDS增...

場(chǎng)效應(yīng)管的測(cè)試判定:柵極用萬(wàn)用表黑表筆碰觸管子的一個(gè)電極，紅表筆分別碰觸另外兩個(gè)電極。若兩次測(cè)出的阻值都很小，說(shuō)明均是正向電阻，該管屬于N溝道場(chǎng)效應(yīng)管，黑表筆接的也是柵極。制造工藝決定了場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極是對(duì)稱的，可以互換使用，并不影響電路的正常工作，所以不必加以區(qū)分。源極與漏極間的電阻約為幾千歐。 注意不能用此法判定絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的柵極。因?yàn)檫@種管子的輸入電阻極高，柵源間的極間電容又很小，測(cè)量時(shí)只要有少量的電荷，就可在極間電容上形成很高的電壓，容易將管子損壞。 在開(kāi)關(guān)控制電路中，場(chǎng)效應(yīng)管的柵極電壓變化可以控制漏極和源極之間的電流開(kāi)關(guān)狀態(tài)。上海非絕緣型場(chǎng)效應(yīng)管批發(fā)價(jià) 場(chǎng)效應(yīng)管注意事...

場(chǎng)效應(yīng)管工作原理用一句話說(shuō)，就是“漏極-源極間流經(jīng)溝道的ID， 用柵極與溝道間的pn結(jié)形成的反偏的柵極電壓進(jìn)行控制”。更正確地說(shuō)，ID流經(jīng)通路的寬度，即溝道截面積，它是由pn結(jié)反偏的變化，產(chǎn)生耗盡層擴(kuò)展變化控制的緣故。在VGS=0的非飽和區(qū)域，表示的過(guò)渡層的擴(kuò)展因?yàn)椴缓艽?，根?jù)漏極-源極間所加VDS的電場(chǎng)，源極區(qū)域的某些電子被漏極拉去，即從漏極向源極有電流ID流動(dòng)。從門極向漏極擴(kuò)展的過(guò)度層將溝道的一部分構(gòu)成堵塞型，ID飽和。將這種狀態(tài)稱為夾斷。這意味著過(guò)渡層將溝道的一部分阻擋，并不是電流被切斷。 場(chǎng)效應(yīng)管可以用于電子開(kāi)關(guān)和調(diào)節(jié)器件。寧波金屬氧化半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管命名 場(chǎng)效應(yīng)管是只要一種載流子...

場(chǎng)效應(yīng)管使用時(shí)應(yīng)注意:（1）器件出廠時(shí)通常裝在黑色的導(dǎo)電泡沫塑料袋中，切勿自行隨便拿個(gè)塑料袋裝。也可用細(xì)銅線把各個(gè)引腳連接在一起，或用錫紙包裝。（2）取出的器件不能在塑料板上滑動(dòng)，應(yīng)用金屬盤(pán)來(lái)盛放待用器件。（3）焊接用的電烙鐵必須良好接地。（4）在焊接前應(yīng)把電路板的電源線與地線短接，再M(fèi)OS器件焊接完成后在分開(kāi)。（5）器件各引腳的焊接順序是漏極、源極、柵極。拆機(jī)時(shí)順序相反。（6）電路板在裝機(jī)之前，要用接地的線夾子去碰一下機(jī)器的各接線端子，再把電路板接上去。（7）場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極在允許條件下，比較好接入保護(hù)二極管。在檢修電路時(shí)應(yīng)注意查證原有的保護(hù)二極管是否損壞。 場(chǎng)效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。蘇州...

場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(xiě)(FET)）簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。主要有兩種類型：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（metal-oxide semiconductor FET，簡(jiǎn)稱MOS-FET）。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高（107～1015Ω）、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者。 場(chǎng)效應(yīng)管的工作溫度范圍較寬。蘇州場(chǎng)效應(yīng)管供應(yīng) 場(chǎng)效應(yīng)管使用時(shí)應(yīng)注意:（1）器件出廠時(shí)通常...

場(chǎng)效應(yīng)管估測(cè)放大能力:將萬(wàn)用表?yè)艿絉×100檔，紅表筆接源極S，黑表筆接漏極D，相當(dāng)于給場(chǎng)效應(yīng)管加上1.5V的電源電壓。這時(shí)表針指示出的是D-S極間電阻值。然后用手指捏柵極G，將人體的感應(yīng)電壓作為輸入信號(hào)加到柵極上。由于管子的放大作用，UDS和ID都將發(fā)生變化，也相當(dāng)于D-S極間電阻發(fā)生變化，可觀察到表針有較大幅度的擺動(dòng)。如果手捏柵極時(shí)表針擺動(dòng)很小，說(shuō)明管子的放大能力較弱；若表針不動(dòng)，說(shuō)明管子已經(jīng)損壞。由于人體感應(yīng)的50Hz交流電壓較高，而不同的場(chǎng)效應(yīng)管用電阻檔測(cè)量時(shí)的工作點(diǎn)可能不同，因此用手捏柵極時(shí)表針可能向右擺動(dòng)，也可能向左擺動(dòng)。少數(shù)的管子RDS減小，使表針向右擺動(dòng)，多數(shù)管子的RDS增...

場(chǎng)效應(yīng)管無(wú)標(biāo)示管的判別:首先用測(cè)量電阻的方法找出兩個(gè)有電阻值的管腳，也就是源極S和漏極D，余下兩個(gè)腳為點(diǎn)柵極G1和柵極G2。把先用兩表筆測(cè)的源極S與漏極D之間的電阻值記下來(lái)，對(duì)調(diào)表筆再測(cè)量一次，把其測(cè)得電阻值記下來(lái)，兩次測(cè)得阻值較大的一次，黑表筆所接的電極為漏極D；紅表筆所接的為源極S。用這種方法判別出來(lái)的S、D極，還可以用估測(cè)其管的放大能力的方法進(jìn)行驗(yàn)證，即放大能力大的黑表筆所接的是D極；紅表筆所接地是S極，兩種方法檢測(cè)結(jié)果均應(yīng)一樣。當(dāng)確定了漏極D、源極S的位置后，按D、S的對(duì)應(yīng)位置裝人電路，一般G1、G2也會(huì)依次對(duì)準(zhǔn)位置，這就確定了兩個(gè)柵極G1、G2的位置，從而就確定了D、S、G1、G...

場(chǎng)效應(yīng)管電極：所有的FET都有柵極（gate）、漏極（drain）、源極（source）三個(gè)端，分別大致對(duì)應(yīng)BJT的基極（base）、集電極（collector）和發(fā)射極（emitter）。除JFET以外，所有的FET也有第四端，被稱為體（body）、基（base）、塊體（bulk）或襯底（substrate）。這個(gè)第四端可以將晶體管調(diào)制至運(yùn)行；在電路設(shè)計(jì)中，很少讓體端發(fā)揮大的作用，但是當(dāng)物理設(shè)計(jì)一個(gè)集成電路的時(shí)候，它的存在就是重要的。在圖中柵極的長(zhǎng)度（length）L，是指源和漏的距離。寬度（width）是指晶體管的范圍，在圖中和橫截面垂直。通常情況下寬度比長(zhǎng)度大得多。長(zhǎng)度1微米的柵極限...

MOS場(chǎng)效應(yīng)管也被稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET)。它一般有耗盡型和增強(qiáng)型兩種。增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管可分為NPN型PNP型。NPN型通常稱為N溝道型，PNP型也叫P溝道型。對(duì)于N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管其源極和漏極接在N型半導(dǎo)體上，同樣對(duì)于P溝道的場(chǎng)效應(yīng)管其源極和漏極則接在P型半導(dǎo)體上。場(chǎng)效應(yīng)管的輸出電流是由輸入的電壓（或稱電場(chǎng)）控制，可以認(rèn)為輸入電流極小或沒(méi)有輸入電流，這使得該器件有很高的輸入阻抗，同時(shí)這也是我們稱之為場(chǎng)效應(yīng)管的原因。 場(chǎng)效應(yīng)管（簡(jiǎn)稱FET）是一種半導(dǎo)體器件，其原理是利用半導(dǎo)...

場(chǎng)效應(yīng)管傳統(tǒng)的MOS場(chǎng)效應(yīng)管的柵極、源極和漏極較大致處于同一水平面的芯片上，其工作電流基本上是沿水平方向流動(dòng)。VMOS管則不同，其兩大結(jié)構(gòu)特點(diǎn):點(diǎn)，金屬柵極采用V型槽結(jié)構(gòu)；具有垂直導(dǎo)電性。由于漏極是從芯片的背面引出，所以ID不是沿芯片水平流動(dòng)，而是自重?fù)诫sN+區(qū)（源極S）出發(fā)，經(jīng)過(guò)P溝道流入輕摻雜N-漂移區(qū)，垂直向下到達(dá)漏極D。因?yàn)榱魍ń孛娣e增大，所以能通過(guò)大電流。由于在柵極與芯片之間有二氧化硅絕緣層，因此它仍屬于絕緣柵型MOS場(chǎng)效應(yīng)管。 由于場(chǎng)效應(yīng)管的放大器輸入阻抗很高，因此可以使用容量較小的耦合電容器，不必使用電解電容器。深圳st場(chǎng)效應(yīng)管多少錢 取出的MOS器件不能在塑料板上滑動(dòng)，應(yīng)...

場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件。而三極管是電流控制元件。在只允許從信號(hào)源取較少電流的情況下，應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管。而在信號(hào)源電壓較低，又允許從信號(hào)源取較多電流的條件下，應(yīng)用三極管。場(chǎng)效應(yīng)管靠多子導(dǎo)電，管中運(yùn)動(dòng)的只是一種極性的載流子；三極管既用多子，又利用少子。由于多子濃度不易受外因的影響，因此在環(huán)境變化較強(qiáng)烈的場(chǎng)合，采用場(chǎng)效應(yīng)管比較合適。場(chǎng)效應(yīng)管的輸入電阻高，適用于高輸入電阻的場(chǎng)合。場(chǎng)效應(yīng)管的噪聲系數(shù)小，適用于低噪聲放大器的前置級(jí)。 場(chǎng)效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。杭州大功率場(chǎng)效應(yīng)管供應(yīng)商 根據(jù)場(chǎng)效應(yīng)管的PN結(jié)正、反向電阻值不一樣的現(xiàn)象，可以判別出結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的三個(gè)電極。具體方法：將萬(wàn)用表?yè)茉赗×1k檔上，任選...

場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET分類MOSFET分為兩大類：N溝道和P溝道。在功率系統(tǒng)中，MOSFET起到的作用相當(dāng)于一個(gè)開(kāi)關(guān)。當(dāng)在N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時(shí)，其開(kāi)關(guān)導(dǎo)通。導(dǎo)通時(shí)，電流可經(jīng)開(kāi)關(guān)從漏極流向源極。漏極和源極之間存在一個(gè)內(nèi)阻，稱為導(dǎo)通電阻RDS（ON）。必須清楚MOSFET的柵極是個(gè)高阻抗端，因此，總 是要在柵極加上一個(gè)電壓。如果柵極為懸空，器件將不能按設(shè)計(jì)意圖工作，并可能在不恰當(dāng)?shù)臅r(shí)刻導(dǎo)通或關(guān)閉，導(dǎo)致系統(tǒng)產(chǎn)生潛在的功率損耗。當(dāng)源極和柵極間的電 壓為零時(shí)，開(kāi)關(guān)關(guān)閉，而電流停止通過(guò)器件。雖然這時(shí)器件已經(jīng)關(guān)閉，但仍然有微小電流存在，這稱之為漏電流，即IDSS。 場(chǎng)效應(yīng)管的制造工...

場(chǎng)效應(yīng)管使用時(shí)應(yīng)注意:（1）器件出廠時(shí)通常裝在黑色的導(dǎo)電泡沫塑料袋中，切勿自行隨便拿個(gè)塑料袋裝。也可用細(xì)銅線把各個(gè)引腳連接在一起，或用錫紙包裝。（2）取出的器件不能在塑料板上滑動(dòng)，應(yīng)用金屬盤(pán)來(lái)盛放待用器件。（3）焊接用的電烙鐵必須良好接地。（4）在焊接前應(yīng)把電路板的電源線與地線短接，再M(fèi)OS器件焊接完成后在分開(kāi)。（5）器件各引腳的焊接順序是漏極、源極、柵極。拆機(jī)時(shí)順序相反。（6）電路板在裝機(jī)之前，要用接地的線夾子去碰一下機(jī)器的各接線端子，再把電路板接上去。（7）場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極在允許條件下，比較好接入保護(hù)二極管。在檢修電路時(shí)應(yīng)注意查證原有的保護(hù)二極管是否損壞。 場(chǎng)效應(yīng)管的尺寸小，適合集成...

場(chǎng)效應(yīng)管傳統(tǒng)的MOS場(chǎng)效應(yīng)管的柵極、源極和漏極較大致處于同一水平面的芯片上，其工作電流基本上是沿水平方向流動(dòng)。VMOS管則不同，其兩大結(jié)構(gòu)特點(diǎn):點(diǎn)，金屬柵極采用V型槽結(jié)構(gòu)；具有垂直導(dǎo)電性。由于漏極是從芯片的背面引出，所以ID不是沿芯片水平流動(dòng)，而是自重?fù)诫sN+區(qū)（源極S）出發(fā)，經(jīng)過(guò)P溝道流入輕摻雜N-漂移區(qū)，垂直向下到達(dá)漏極D。因?yàn)榱魍ń孛娣e增大，所以能通過(guò)大電流。由于在柵極與芯片之間有二氧化硅絕緣層，因此它仍屬于絕緣柵型MOS場(chǎng)效應(yīng)管。 場(chǎng)效應(yīng)管的電流驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng)。深圳非絕緣型場(chǎng)效應(yīng)管接線圖 MOS場(chǎng)效應(yīng)管即金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管，英文縮寫(xiě)為MOSFET （Metal-Oxide...

VMOS場(chǎng)效應(yīng)管:VMOS場(chǎng)效應(yīng)管（VMOSFET）簡(jiǎn)稱VMOS管或功率場(chǎng)效應(yīng)管，其全稱為V型槽MOS場(chǎng)效應(yīng)管。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來(lái)的高效、功率開(kāi)關(guān)器件。它不光繼承了MOS場(chǎng)效應(yīng)管輸入阻抗高（≥108W）、驅(qū)動(dòng)電流小（左右0.1μA左右），還具有耐壓高（較高可耐壓1200V）、工作電流大（1.5A～100A）、輸出功率高（1～250W）、跨導(dǎo)的線性好、開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)良特性。正是由于它將電子管與功率晶體管之優(yōu)點(diǎn)集于一身，因此在電壓放大器（電壓放大倍數(shù)可達(dá)數(shù)千倍）、功率放大器、開(kāi)關(guān)電源和逆變器中正獲得普遍應(yīng)用。 場(chǎng)效應(yīng)管的作用是放大電信號(hào)或作為開(kāi)關(guān)控制電路中的電流。佛山氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)...

場(chǎng)效應(yīng)管估測(cè)放大能力:將萬(wàn)用表?yè)艿絉×100檔，紅表筆接源極S，黑表筆接漏極D，相當(dāng)于給場(chǎng)效應(yīng)管加上1.5V的電源電壓。這時(shí)表針指示出的是D-S極間電阻值。然后用手指捏柵極G，將人體的感應(yīng)電壓作為輸入信號(hào)加到柵極上。由于管子的放大作用，UDS和ID都將發(fā)生變化，也相當(dāng)于D-S極間電阻發(fā)生變化，可觀察到表針有較大幅度的擺動(dòng)。如果手捏柵極時(shí)表針擺動(dòng)很小，說(shuō)明管子的放大能力較弱；若表針不動(dòng)，說(shuō)明管子已經(jīng)損壞。由于人體感應(yīng)的50Hz交流電壓較高，而不同的場(chǎng)效應(yīng)管用電阻檔測(cè)量時(shí)的工作點(diǎn)可能不同，因此用手捏柵極時(shí)表針可能向右擺動(dòng)，也可能向左擺動(dòng)。少數(shù)的管子RDS減小，使表針向右擺動(dòng)，多數(shù)管子的RDS增...

場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號(hào)源取較少電流的情況下，應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管；而在信號(hào)電壓較低，又允許從信號(hào)源取較多電流的條件下，應(yīng)選用晶體管。場(chǎng)效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是既有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電，被稱之為雙極型器件。有些場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負(fù)，靈活性比三極管好。場(chǎng)效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場(chǎng)效應(yīng)管集成在一塊硅片上，因此場(chǎng)效應(yīng)管在大規(guī)模集成電路中得到了普遍的應(yīng)用。 場(chǎng)效應(yīng)管的制造工藝復(fù)雜，費(fèi)用較高。南京isc場(chǎng)效應(yīng)管供應(yīng)商 場(chǎng)效應(yīng)管注意事項(xiàng):用2...

場(chǎng)效應(yīng)管注意事項(xiàng):結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的柵源電壓不能接反，可以在開(kāi)路狀態(tài)下保存，而絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管在不使用時(shí)，由于它的輸入電阻非常高，須將各電極短路，以免外電場(chǎng)作用而使管子損壞。焊接時(shí)，電烙鐵外殼必須裝有外接地線，以防止由于電烙鐵帶電而損壞管子。對(duì)于少量焊接，也可以將電烙鐵燒熱后拔下插頭或切斷電源后焊接。特別在焊接絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管時(shí)，要按源極－漏極－柵極的先后順序焊接，并且要斷電焊接。對(duì)于功率型場(chǎng)效應(yīng)管，要有良好的散熱條件。因?yàn)楣β市蛨?chǎng)效應(yīng)管在高負(fù)荷條件下運(yùn)用，必須設(shè)計(jì)足夠的散熱器，確保殼體溫度不超過(guò)額定值，使器件長(zhǎng)期穩(wěn)定可靠地工作。 場(chǎng)效應(yīng)管的靜態(tài)功耗較低。浙江手動(dòng)場(chǎng)效應(yīng)管廠家 場(chǎng)效應(yīng)管的檢測(cè)方...

深圳市盟科電子科技有限公司座落于深圳市寶安區(qū)，成立于2010年，占地面積10000余平方米，是一家專業(yè)的半導(dǎo)體研發(fā)制造商。我司專注于半導(dǎo)體元器件的研發(fā)、生產(chǎn)、加工和銷售。作為國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)，憑借多年的經(jīng)驗(yàn)和發(fā)展，現(xiàn)已達(dá)年產(chǎn)50億只生產(chǎn)規(guī)模。我司主營(yíng)場(chǎng)效應(yīng)管，二極管，三極管，穩(wěn)壓電路，晶閘管，可控硅等半導(dǎo)體元器件，超過(guò)8種封裝如：SOT-23，SOT-23-3L，SOT-23-5L，SOT-23-6L，TO-252，TO-251，SOT-89，SOT-223等。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)通信，計(jì)算機(jī)，電源，節(jié)能燈，玩具，儀器儀表，家用電器，工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備等領(lǐng)域，且可承接OEM/ODM定制。 V型槽...

MOS場(chǎng)效應(yīng)管即金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管，英文縮寫(xiě)為MOSFET （Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），屬于絕緣柵型。其主要特點(diǎn)是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層，因此具有很高的輸入電阻（較高可達(dá)1015Ω）。它也分N溝道管和P溝道管。通常是將襯底（基板）與源極S接在一起。根據(jù)導(dǎo)電方式的不同，MOSFET又分增強(qiáng)型、耗盡型。所謂增強(qiáng)型是指：當(dāng)VGS=0時(shí)管子是呈截止?fàn)顟B(tài)，加上正確的VGS后，多數(shù)載流子被吸引到柵極，從而“增強(qiáng)”了該區(qū)域的載流子，形成導(dǎo)電溝道。耗盡型則是指，當(dāng)VGS=0時(shí)即形成溝道，加上正確的VG...

場(chǎng)效應(yīng)管估測(cè)放大能力:將萬(wàn)用表?yè)艿絉×100檔，紅表筆接源極S，黑表筆接漏極D，相當(dāng)于給場(chǎng)效應(yīng)管加上1.5V的電源電壓。這時(shí)表針指示出的是D-S極間電阻值。然后用手指捏柵極G，將人體的感應(yīng)電壓作為輸入信號(hào)加到柵極上。由于管子的放大作用，UDS和ID都將發(fā)生變化，也相當(dāng)于D-S極間電阻發(fā)生變化，可觀察到表針有較大幅度的擺動(dòng)。如果手捏柵極時(shí)表針擺動(dòng)很小，說(shuō)明管子的放大能力較弱；若表針不動(dòng)，說(shuō)明管子已經(jīng)損壞。由于人體感應(yīng)的50Hz交流電壓較高，而不同的場(chǎng)效應(yīng)管用電阻檔測(cè)量時(shí)的工作點(diǎn)可能不同，因此用手捏柵極時(shí)表針可能向右擺動(dòng)，也可能向左擺動(dòng)。少數(shù)的管子RDS減小，使表針向右擺動(dòng)，多數(shù)管子的RDS增...

場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET運(yùn)用：MOSFET普遍使用在模擬電路與數(shù)字電路中，和我們的生活密不可分。MOSFET的優(yōu)勢(shì)在于：首先驅(qū)動(dòng)場(chǎng)效應(yīng)管應(yīng)用電路電路比較簡(jiǎn)單。MOSFET需要的驅(qū)動(dòng)電流比 BJT則小得多，而且通?？梢灾苯佑蒀MOS或者集電極開(kāi)路TTL驅(qū)動(dòng)電路驅(qū)動(dòng)；其次MOSFET的開(kāi)關(guān)速度比較迅速，能夠以較高的速度工作，因?yàn)闆](méi)有電荷存儲(chǔ)效應(yīng)；另外MOSFET沒(méi)有二次擊穿失效機(jī)理，它在溫度越高時(shí)往往耐力越強(qiáng)，而且發(fā)生熱擊穿的可能性越低，還可以在較寬的溫度范圍內(nèi)提供較好的性 能。MOSFET已經(jīng)得到了大量應(yīng)用，在消費(fèi)電子、工業(yè)產(chǎn)品、機(jī)電設(shè)備、智能手機(jī)以及其他便攜式數(shù)碼電子產(chǎn)品中隨處可見(jiàn)。 場(chǎng)效應(yīng)管...