一個空穴電流（雙極）。當UCE大于開啟電壓UCE(th），MOSFET內形成溝道，為晶體管提供基極電流，IGBT導通。2)導通壓降電導調制效應使電阻RN減小，通態(tài)壓降小。所謂通態(tài)壓降，是指IGBT進入導通狀態(tài)的管壓降UDS，這個電壓隨UCS上升而下降。3)關斷當在柵極施加一個負偏壓或柵壓低于門限值時，溝道被禁止，沒有空穴注入N-區(qū)內。在任何情況下，如果MOSFET的電流在開關階段迅速下降，集電極電流則逐漸降低，這是閡為換向開始后，在N層內還存在少數的載流子（少于）。這種殘余電流值（尾流）的降低，完全取決于關斷時電荷的密度，而密度又與幾種因素有關，如摻雜質的數量和拓撲，層次厚度和溫度...

但在中MOSFET及IGBT主流器件市場上，90％主要依賴進口，基本被國外歐美、日本企業(yè)壟斷。國外企業(yè)如英飛凌、ABB、三菱等廠商研發(fā)的IGBT器件產品規(guī)格涵蓋電壓600V-6500V，電流2A-3600A，已形成完善的IGBT產品系列。英飛凌、三菱、ABB在1700V以上電壓等級的工業(yè)IGBT領域占優(yōu)勢；在3300V以上電壓等級的高壓IGBT技術領域幾乎處于壟斷地位。在大功率溝槽技術方面，英飛凌與三菱公司處于國際水平。西門康、仙童等在1700V及以下電壓等級的消費IGBT領域處于優(yōu)勢地位。盡管我國擁有大的功率半導體市場，但是目前國內功率半導體產品的研發(fā)與國際大公司相比還存在很大差...

圖1所示為一個N溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結構，N+區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極。N+區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在漏、源之間的P型區(qū)（包括P+和P一區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成），稱為亞溝道區(qū)（Subchannelregion）。而在漏區(qū)另一側的P+區(qū)稱為漏注入區(qū)（Draininjector），它是IGBT特有的功能區(qū)，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP雙極晶體管，起發(fā)射極的作用，向漏極注入空穴，進行導電調制，以降低器件的通態(tài)電壓。附于漏注入區(qū)上的電極稱為漏極。IGBT的開關作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP晶體管提供基極電...

晶閘管等元件通過整流來實現(xiàn)。除此之外整流器件還有很多，如：可關斷晶閘管GTO，逆導晶閘管，雙向晶閘管，整流模塊，功率模塊IGBT，SIT，MOSFET等等，這里只探討晶閘管。晶閘管又名可控硅，通常人們都叫可控硅。是一種功率半導體器件，由于它效率高，控制特性好，壽命長，體積小等優(yōu)點，自上個世紀六十長代以來，獲得了迅猛發(fā)展，并已形成了一門單獨的學科。“晶閘管交流技術”。晶閘管發(fā)展到，在工藝上已經非常成熟，品質更好，成品率大幅提高，并向高壓大電流發(fā)展。目前國內晶閘管大額定電流可達5000A，國外更大。我國的韶山電力機車上裝載的都是我國自行研制的大功率晶閘管。晶閘管的應用：一、可控整流如同...

不論漏極-源極電壓VDS之間加多大或什么極性的電壓，總有一個pn結處于反偏狀態(tài)，漏、源極間沒有導電溝道，器件無法導通。但如果VGS正向足夠大，此時柵極G和襯底p之間的絕緣層中會產生一個電場，方向從柵極指向襯底，電子在該電場的作用下聚集在柵氧下表面，形成一個N型薄層(一般為幾個nm)，連通左右兩個N+區(qū)，形成導通溝道，如圖中黃域所示。當VDS＞0V時，N-MOSFET管導通，器件工作。了解完以PNP為例的BJT結構和以N-MOSFET為例的MOSFET結構之后，我們再來看IGBT的結構圖↓IGBT內部結構及符號黃塊表示IGBT導通時形成的溝道。首先看黃色虛線部分，細看之下是不是有一絲...

作為工作區(qū)域10和電流檢測區(qū)域20的公共集電極單元200。此外，當空穴收集區(qū)8內設置有溝槽時，如圖10所示，此時空穴收集區(qū)8中的溝槽與空穴收集區(qū)電極金屬3接觸，即接觸多晶硅13?？蛇x的，在圖7的基礎上，圖11為圖7中的空穴收集區(qū)電極金屬3按照b-b’方向的橫截圖，如圖11所示，此時，電流檢測區(qū)域20的空穴收集區(qū)8與空穴收集區(qū)電極金屬3接觸，且，與p阱區(qū)7連通；當空穴收集區(qū)8通過設置有多晶硅5的溝槽與p阱區(qū)7隔離時，橫截面如圖12所示，此時，如果工作區(qū)域10設置有多晶硅5的溝槽終止于空穴收集區(qū)8的邊緣時，則橫截面如圖13所示，且，空穴收集區(qū)8內是不包含設置有多晶硅5的溝槽的情況。此外...

該igbt芯片上設置有：工作區(qū)域、電流檢測區(qū)域和接地區(qū)域；其中，igbt芯片還包括第1表面和第二表面，且，第1表面和第二表面相對設置；第1表面上設置有工作區(qū)域和電流檢測區(qū)域的公共柵極單元，以及，工作區(qū)域的第1發(fā)射極單元、電流檢測區(qū)域的第二發(fā)射極單元和第三發(fā)射極單元，其中，第三發(fā)射極單元與第1發(fā)射極單元連接，公共柵極單元與第1發(fā)射極單元和第二發(fā)射極單元之間通過刻蝕方式進行隔開；第二表面上設有工作區(qū)域和電流檢測區(qū)域的公共集電極單元；接地區(qū)域設置于第1發(fā)射極單元內的任意位置處；電流檢測區(qū)域和接地區(qū)域分別用于與檢測電阻連接，以使檢測電阻上產生電壓，并根據電壓檢測工作區(qū)域的工作電流。第二方面...

對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本發(fā)明實施例提供的一種igbt器件的結構圖；圖2為本發(fā)明實施例提供的一種電流敏感器件的結構圖；圖3為本發(fā)明實施例提供的一種kelvin連接示意圖；圖4為本發(fā)明實施例提供的一種檢測電流與工作電流的曲線圖；圖5為本發(fā)明實施例提供的一種igbt芯片的結構示意圖；圖6為本發(fā)明實施例提供的另一種igbt芯片的結構示意圖；圖7為本發(fā)明實施例提供的一種igbt芯片的表面結構示意圖；圖8為本發(fā)明實施例提供的另一種igbt芯片的表面結構示意圖；圖9為本發(fā)明實施例提供的另一種igbt芯片的表面結構示意圖；圖...

IGBT功率模塊如何選擇？在說IGBT模塊該如何選擇之前，小編先帶著大家了解下什么是IGBT？IGBT全稱為絕緣柵雙極型晶體管(InsulatedGateBipolarTransistor)，所以它是一個有MOSGate的BJT晶體管，可以簡單理解為IGBT是MOSFET和BJT的組合體。MOSFET主要是單一載流子(多子)導電，而BJT是兩種載流子導電，所以BJT的驅動電流會比MOSFET大，但是MOSFET的控制級柵極是靠場效應反型來控制的，沒有額外的控制端功率損耗。所以IGBT就是利用了MOSFET和BJT的優(yōu)點組合起來的，兼有MOSFET的柵極電壓控制晶體管(高輸入阻抗)，...

措施：在三相變壓器次級星形中點與地之間并聯(lián)適當電容，就可以減小這種過電壓。與整流器并聯(lián)的其它負載切斷時，因電源回路電感產生感應電勢的過電壓。變壓器空載且電源電壓過零時，初級拉閘，因變壓器激磁電流的突變，在次級感生出很高的瞬時電壓，這種電壓尖峰值可達工作電壓的6倍以上。交流電網遭雷擊或電網侵入干擾過電壓，即偶發(fā)性浪涌電壓，都必須加阻容吸收路進行保護。3．直流側過電壓及保護當負載斷開時或快熔斷時，儲存在變壓器中的磁場能量會產生過電壓，顯然在交流側阻容吸收保護電路可以抑制這種過電壓，但由于變壓器過載時儲存的能量比空載時要大，還不能完全消除。措施：能常采用壓敏吸收進行保護。4．過電流保護一...

igbt功率模塊是以絕緣柵雙極型晶體管（igbt）構成的功率模塊。由于igbt模塊為mosfet結構，igbt的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實現(xiàn)電隔離，具有出色的器件性能。廣泛應用于伺服電機，變頻器，變頻家電等領域。目錄1特點2應用3注意事項4發(fā)展趨勢IGBT功率模塊特點編輯igbt功率模塊是電壓型控制，輸入阻抗大，驅動功率小，控制電路簡單，開關損耗小，通斷速度快，工作頻率高，元件容量大等優(yōu)點。實質是個復合功率器件，它集雙極型功率晶體管和功率mosfet的優(yōu)點于一體化。又因先進的加工技術使它通態(tài)飽和電壓低，開關頻率高（可達20khz），這兩點非常顯著的特性，近西門子公司又推出低飽和壓...

術語“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“內”、“外”等指示的方位或位置關系為基于附圖所示的方位或位置關系，是為了便于描述本發(fā)明和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構造和操作，因此不能理解為對本發(fā)明的限制。此外，術語“第1”、“第二”、“第三”用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性。應說明的是：以上所述實施例，為本發(fā)明的具體實施方式，用以說明本發(fā)明的技術方案，而非對其限制，本發(fā)明的保護范圍并不局限于此，盡管參照前述實施例對本發(fā)明進行了詳細的說明，本領域的普通技術人員應當理解：任何熟悉本技術領域的技術人員在本發(fā)...

術語“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“內”、“外”等指示的方位或位置關系為基于附圖所示的方位或位置關系，是為了便于描述本發(fā)明和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構造和操作，因此不能理解為對本發(fā)明的限制。此外，術語“第1”、“第二”、“第三”用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性。應說明的是：以上所述實施例，為本發(fā)明的具體實施方式，用以說明本發(fā)明的技術方案，而非對其限制，本發(fā)明的保護范圍并不局限于此，盡管參照前述實施例對本發(fā)明進行了詳細的說明，本領域的普通技術人員應當理解：任何熟悉本技術領域的技術人員在本發(fā)...

有無緩沖區(qū)決定了IGBT具有不同特性。有N*緩沖區(qū)的IGBT稱為非對稱型IGBT，也稱穿通型IGBT。它具有正向壓降小、犬斷時間短、關斷時尾部電流小等優(yōu)點，但其反向阻斷能力相對較弱。無N-緩沖區(qū)的IGBT稱為對稱型IGBT，也稱非穿通型IGBT。它具有較強的正反向阻斷能力，但它的其他特性卻不及非對稱型IGBT。如圖2-42(b)所示的簡化等效電路表明，IGBT是由GTR與MOSFET組成的達林頓結構，該結構中的部分是MOSFET驅動，另一部分是厚基區(qū)PNP型晶體管。五、IBGT的工作原理簡單來說，IGBT相當于一個由MOSFET驅動的厚基區(qū)PNP型晶體管，它的簡化等效電路如圖2-4...

對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本發(fā)明實施例提供的一種igbt器件的結構圖；圖2為本發(fā)明實施例提供的一種電流敏感器件的結構圖；圖3為本發(fā)明實施例提供的一種kelvin連接示意圖；圖4為本發(fā)明實施例提供的一種檢測電流與工作電流的曲線圖；圖5為本發(fā)明實施例提供的一種igbt芯片的結構示意圖；圖6為本發(fā)明實施例提供的另一種igbt芯片的結構示意圖；圖7為本發(fā)明實施例提供的一種igbt芯片的表面結構示意圖；圖8為本發(fā)明實施例提供的另一種igbt芯片的表面結構示意圖；圖9為本發(fā)明實施例提供的另一種igbt芯片的表面結構示意圖；圖...

1979年，MOS柵功率開關器件作為IGBT概念的先驅即已被介紹到世間。這種器件表現(xiàn)為一個類晶閘管的結構(P-N-P-N四層組成)，其特點是通過強堿濕法刻蝕工藝形成了V形槽柵。80年代初期，用于功率MOSFET制造技術的DMOS(雙擴散形成的金屬-氧化物-半導體)工藝被采用到IGBT中來。[2]在那個時候，硅芯片的結構是一種較厚的NPT(非穿通)型設計。后來，通過采用PT(穿通)型結構的方法得到了在參數折衷方面的一個明顯改進，這是隨著硅片上外延的技術進步，以及采用對應給定阻斷電壓所設計的n+緩沖層而進展的[3]。幾年當中，這種在采用PT設計的外延片上制備的DMOS平面柵結構，其設計...

可控硅可控硅簡稱SCR，是一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長等優(yōu)點。在自動控制系統(tǒng)中，可作為大功率驅動器件，實現(xiàn)用小功率控件控制大功率設備。它在交直流電機調速系統(tǒng)、調功系統(tǒng)及隨動系統(tǒng)中得到了的應用。可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅，簡稱TRIAC。雙向可控硅在結構上相當于兩個單向可控硅反向連接，這種可控硅具有雙向導通功能。其通斷狀態(tài)由控制極G決定。在控制極G上加正脈沖（或負脈沖）可使其正向（或反向）導通。這種裝置的優(yōu)點是控制電路簡單，沒有反向耐壓問題，因此特別適合做交流無觸點開關使用。IGBTIGBT絕緣柵雙極型晶體管，是由...

措施：在三相變壓器次級星形中點與地之間并聯(lián)適當電容，就可以減小這種過電壓。與整流器并聯(lián)的其它負載切斷時，因電源回路電感產生感應電勢的過電壓。變壓器空載且電源電壓過零時，初級拉閘，因變壓器激磁電流的突變，在次級感生出很高的瞬時電壓，這種電壓尖峰值可達工作電壓的6倍以上。交流電網遭雷擊或電網侵入干擾過電壓，即偶發(fā)性浪涌電壓，都必須加阻容吸收路進行保護。3．直流側過電壓及保護當負載斷開時或快熔斷時，儲存在變壓器中的磁場能量會產生過電壓，顯然在交流側阻容吸收保護電路可以抑制這種過電壓，但由于變壓器過載時儲存的能量比空載時要大，還不能完全消除。措施：能常采用壓敏吸收進行保護。4．過電流保護一...

晶閘管的正向漏電流比一般硅二極管反向漏電流大，且隨著管子正向陽極電壓升高而增大。當陽極電壓升到足夠大時，會使晶閘管導通，稱為正向轉折或“硬開通”。多次硬開通會損壞管子。2．晶閘管加上正向陽極電壓后，還必須加上觸發(fā)電壓，并產生足夠的觸發(fā)電流，才能使晶閘管從阻斷轉為導通。觸發(fā)電流不夠時，管子不會導通，但此時正向漏電流隨著增大而增大。晶閘管只能穩(wěn)定工作在關斷和導通兩個狀態(tài)，沒有中間狀態(tài)，具有雙穩(wěn)開關特性。是一種理想的無觸點功率開關元件。3．晶閘管一旦觸發(fā)導通，門極完全失去控制作用。要關斷晶閘管，必須使陽極電流《維持電流，對于電阻負載，只要使管子陽極電壓降為零即可。為了保證晶閘管可靠迅速關...

作為工作區(qū)域10和電流檢測區(qū)域20的公共集電極單元200。此外，當空穴收集區(qū)8內設置有溝槽時，如圖10所示，此時空穴收集區(qū)8中的溝槽與空穴收集區(qū)電極金屬3接觸，即接觸多晶硅13?？蛇x的，在圖7的基礎上，圖11為圖7中的空穴收集區(qū)電極金屬3按照b-b’方向的橫截圖，如圖11所示，此時，電流檢測區(qū)域20的空穴收集區(qū)8與空穴收集區(qū)電極金屬3接觸，且，與p阱區(qū)7連通；當空穴收集區(qū)8通過設置有多晶硅5的溝槽與p阱區(qū)7隔離時，橫截面如圖12所示，此時，如果工作區(qū)域10設置有多晶硅5的溝槽終止于空穴收集區(qū)8的邊緣時，則橫截面如圖13所示，且，空穴收集區(qū)8內是不包含設置有多晶硅5的溝槽的情況。此外...

少數載流子）對N-區(qū)進行電導調制，減小N-區(qū)的電阻RN，使高耐壓的IGBT也具有很小的通態(tài)壓降。當柵射極間不加信號或加反向電壓時，MOSFET內的溝道消失，PNP型晶體管的基極電流被切斷，IGBT即關斷。由此可知，IGBT的驅動原理與MOSFET基本相同。①當UCE為負時：J3結處于反偏狀態(tài)，器件呈反向阻斷狀態(tài)。②當uCE為正時：UCUTH，絕緣門極下形成N溝道，由于載流子的相互作用，在N-區(qū)產生電導調制，使器件正向導通。1)導通IGBT硅片的結構與功率MOSFET的結構十分相似，主要差異是JGBT增加了P+基片和一個N+緩沖層(N...

MOS管和IGBT管作為開關元件，在電子電路中會經常出現(xiàn)，它們在外形及特性參數上也比較相似，相信有不少人會疑惑為什么有的電路中需要用到MOS管，而有的卻需要用到IGBT管？它們之間有何區(qū)別呢？接下來冠華偉業(yè)為你解惑！何為MOS管？MOS管即MOSFET，中文全稱是金屬-氧化物半導體場效應晶體管，由于這種場效應管的柵極被絕緣層隔離，所以又叫絕緣柵場效應管。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型”的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET。MOS管本身自帶有寄生二極管，作用是防止VDD過壓的情況下，燒壞mos管，因為在過壓對MOS管造成破壞之前...

供電質量好，傳輸損耗小，效率高，節(jié)約能源，可靠性高，容易組成N＋1冗余供電系統(tǒng)，擴展功率也相對比較容易。所以采用分布式供電系統(tǒng)可以滿足高可靠性設備的要求。、單端反激式、雙管正激式、雙單端正激式、雙正激式、推挽式、半橋、全橋等八種拓撲。單端正激式、單端反激式、雙單端正激式、推挽式的開關管的承壓在兩倍輸入電壓以上，如果按60％降額使用，則使開關管不易選型。在推挽和全橋拓撲中可能出現(xiàn)單向偏磁飽和，2020-03-30led燈帶與墻之間的距離,在線等,速度是做沿邊吊頂嗎？吊頂寬300_400毫米。燈帶是藏在里面的！離墻大概有100毫米！2020-03-30接電燈的開關怎么接,大師速度來解答...

IGBT模塊旁的續(xù)流二極管續(xù)流二極管二極管通常是指反向并聯(lián)在IGBT模塊兩端的一個二極管,它的作用是在電路中電壓或電流出現(xiàn)突變時,對電路中其它元件起保護作用。如在變頻驅動電動機運行時，與IGBT并聯(lián)的快恢復二極管使IGBT在關斷時電動機定子繞組中的儲存的能量能提供一個繼續(xù)流通的路徑，避免激起高壓損壞IGBT。二極管除繼續(xù)流通正向電流外，更重要的反向恢復特性，因為它直接關系到逆變橋上下臂IGBT換流時的動態(tài)特性。對于感性負載而言，由于感生電壓的存在，在IGBT的S或D極結點上，總會有流入和流出的電流存在。那個二極管就負責流出電流通路的。從IGBT的結構原理可知，它只能單向導通。另一個...

以及測試電壓vs的影響而產生信號的失真，即避免了公共柵極單元100因對地電位變化造成的偏差，從而提高了檢測電流的精度。本發(fā)明實施例提供的igbt芯片，在igbt芯片上設置有：工作區(qū)域、電流檢測區(qū)域和接地區(qū)域；igbt芯片還包括第1表面和第二表面，且，第1表面和第二表面相對設置；第1表面上設置有工作區(qū)域和電流檢測區(qū)域的公共柵極單元，以及，工作區(qū)域的第1發(fā)射極單元、電流檢測區(qū)域的第二發(fā)射極單元和第三發(fā)射極單元，其中，第三發(fā)射極單元與第1發(fā)射極單元連接，公共柵極單元與第1發(fā)射極單元和第二發(fā)射極單元之間通過刻蝕方式進行隔開；第二表面上設有工作區(qū)域和電流檢測區(qū)域的公共集電極單元；接地區(qū)域設置...

圖1所示為一個N溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結構，N+區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極。N+區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在漏、源之間的P型區(qū)（包括P+和P一區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成），稱為亞溝道區(qū)（Subchannelregion）。而在漏區(qū)另一側的P+區(qū)稱為漏注入區(qū)（Draininjector），它是IGBT特有的功能區(qū)，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP雙極晶體管，起發(fā)射極的作用，向漏極注入空穴，進行導電調制，以降低器件的通態(tài)電壓。附于漏注入區(qū)上的電極稱為漏極。IGBT的開關作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP晶體管提供基極電...

空穴收集區(qū)8可以處于與第1發(fā)射極單元金屬2隔離的任何位置，特別的，在終端保護區(qū)域的p+場限環(huán)也可以成為空穴收集區(qū)8，本發(fā)明實施例對此不作限制說明。因此，本發(fā)明實施例提供的igbt芯片在電流檢測過程中，通過檢測電阻上產生的電壓，得到工作區(qū)域的電流大小。但是，在實際檢測過程中，檢測電阻上的電壓同時抬高了電流檢測區(qū)域的mos溝槽溝道對地電位，即相當降低了電流檢測區(qū)域的柵極電壓，從而使電流檢測區(qū)域的mos的溝道電阻增加。當電流檢測區(qū)域的電流越大時，電流檢測區(qū)域的mos的溝道電阻就越大，從而使檢測電壓在工作區(qū)域的電流越大，導致電流檢測區(qū)域的電流與工作區(qū)域電流的比例關系偏離增大，產生大電流下的...

MOSFET存在導通電阻高的缺點，但IGBT克服了這一缺點，在高壓時IGBT仍具有較低的導通電阻?？偟膩碚f，MOSFET優(yōu)點是高頻特性好，可以工作頻率可以達到幾百kHz、上MHz，缺點是導通電阻大在高壓大電流場合功耗較大；而IGBT在低頻及較大功率場合下表現(xiàn)，其導通電阻小，耐壓高。選擇MOS管還是IGBT？在電路中，選用MOS管作為功率開關管還是選擇IGBT管，這是工程師常遇到的問題，如果從系統(tǒng)的電壓、電流、切換功率等因素作為考慮，可以總結出以下幾點：人們常問：“是MOSFET好還是IGBT好？”其實兩者沒有什么好壞之分，i主要的還是看其實際應用情況。關于MOSFET與IGBT的區(qū)...

術語“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“內”、“外”等指示的方位或位置關系為基于附圖所示的方位或位置關系，是為了便于描述本發(fā)明和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構造和操作，因此不能理解為對本發(fā)明的限制。此外，術語“第1”、“第二”、“第三”用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性。應說明的是：以上所述實施例，為本發(fā)明的具體實施方式，用以說明本發(fā)明的技術方案，而非對其限制，本發(fā)明的保護范圍并不局限于此，盡管參照前述實施例對本發(fā)明進行了詳細的說明，本領域的普通技術人員應當理解：任何熟悉本技術領域的技術人員在本發(fā)...

1979年，MOS柵功率開關器件作為IGBT概念的先驅即已被介紹到世間。這種器件表現(xiàn)為一個類晶閘管的結構(P-N-P-N四層組成)，其特點是通過強堿濕法刻蝕工藝形成了V形槽柵。80年代初期，用于功率MOSFET制造技術的DMOS(雙擴散形成的金屬-氧化物-半導體)工藝被采用到IGBT中來。[2]在那個時候，硅芯片的結構是一種較厚的NPT(非穿通)型設計。后來，通過采用PT(穿通)型結構的方法得到了在參數折衷方面的一個明顯改進，這是隨著硅片上外延的技術進步，以及采用對應給定阻斷電壓所設計的n+緩沖層而進展的[3]。幾年當中，這種在采用PT設計的外延片上制備的DMOS平面柵結構，其設計...