相信大家對(duì)于可控硅模塊并不陌生了，現(xiàn)代在電氣行業(yè)的不斷發(fā)展，可控硅模塊的使用范圍越來(lái)越廣，但是你對(duì)可控硅模塊的了解有多少呢，它的主要參數(shù)有哪些你知道嗎？下面為大家講解?？煽毓枘K的主要參數(shù)有：1.額定通態(tài)平均電流IT在一定條件下，陽(yáng)極---陰極間可以連續(xù)通過(guò)的50赫茲正弦半波電流的平均值。2.正向阻斷峰值電壓VPF在控制極開(kāi)路未加觸發(fā)信號(hào)，陽(yáng)極正向電壓還未超過(guò)導(dǎo)能電壓時(shí)，可以重復(fù)加在可控硅模塊兩端的正向峰值電壓。可控硅模塊承受的正向電壓峰值，不能超過(guò)手冊(cè)給出的這個(gè)參數(shù)值。3.反向陰斷峰值電壓VPR當(dāng)可控硅加反向電壓，處于反向關(guān)斷狀態(tài)時(shí)，可以重復(fù)加在可控硅模塊兩端的反向峰值電壓。使用時(shí)，不能超過(guò)...

晶閘管模塊又稱為可控硅模塊，是硅整流裝置中主要的器件，可應(yīng)用于多種場(chǎng)合，在不同的場(chǎng)合、線路和負(fù)載的狀態(tài)下，選擇適合的晶閘管模塊的重要參數(shù)，使設(shè)備運(yùn)行更良好，使用壽命更長(zhǎng)。1.選擇正反向電壓晶閘管模塊在門極無(wú)信號(hào)，控制電流Ig為0時(shí)，在陽(yáng)（A）逐一陰（K）極之間加（J2）處于反向偏置，所以，器件呈高阻抗?fàn)顟B(tài)，稱為正向阻斷狀態(tài)，若增大UAK而達(dá)到一定值VBO，可控硅由阻斷忽然轉(zhuǎn)為導(dǎo)通，這個(gè)VBO值稱為正向轉(zhuǎn)折電壓，這種導(dǎo)通是非正常導(dǎo)通，會(huì)減短器件的壽命。所以必須選擇足夠正向重復(fù)阻斷峰值電壓（VDRM）。在陽(yáng)逐一陰極之間加上反向電壓時(shí)，器件的一和三PN結(jié)（J1和J3）處于反向偏置，呈阻斷狀態(tài)。當(dāng)加大...

可控硅模塊的作用和優(yōu)勢(shì)大家都知道，它的應(yīng)用范圍是非常廣的，在不同設(shè)備上的使用方法也是不一樣的，那么在整流電路中可控硅模塊的使用方法是什么呢？下面正高來(lái)講一下在整流電路中可控硅模塊的使用方法。在正弦交流電壓U2的正半周期間，如果VS的控制極沒(méi)有輸入觸發(fā)脈沖Ug，VS仍然不能導(dǎo)通，只有在U2處于正半周，在控制極外加觸發(fā)脈沖Ug時(shí)，可控硅模塊被觸發(fā)導(dǎo)通。只有在觸發(fā)脈沖Ug到來(lái)時(shí)，負(fù)載RL上才有電壓UL輸出Ug到來(lái)得早，可控硅模塊導(dǎo)通的時(shí)間就早；Ug到來(lái)得晚，可控硅模塊導(dǎo)通的時(shí)間就晚。只有在觸發(fā)脈沖Ug到來(lái)時(shí)，負(fù)載RL上才有電壓UL輸出Ug到來(lái)得早，可控硅模塊導(dǎo)通的時(shí)間就早；Ug到來(lái)得晚，可控硅模塊導(dǎo)...

在這里單結(jié)晶體管張弛振蕩器的電源是取自橋式整流電路輸出的全波脈沖直流電壓。在晶閘管模塊沒(méi)有導(dǎo)通時(shí)，張弛振蕩器的電容器C被電源充電，UC按指數(shù)規(guī)律上升到峰點(diǎn)電壓UP時(shí)，單結(jié)晶體管VT導(dǎo)通，在VS導(dǎo)通期間，負(fù)載RL上有交流電壓和電流，與此同時(shí)，導(dǎo)通的VS兩端電壓降很小，迫使張弛振蕩器停止工作。當(dāng)交流電壓過(guò)零瞬間，晶閘管VS被迫關(guān)斷，張弛振蕩器得電，又開(kāi)始給電容器C充電，重復(fù)以上過(guò)程。這樣，每次交流電壓過(guò)零后，張弛振蕩器發(fā)出個(gè)觸發(fā)脈沖的時(shí)刻都相同，這個(gè)時(shí)刻取決于RP的阻值和C的電容量。調(diào)節(jié)RP的阻值，就可以改變電容器C的充電時(shí)間，也就改變了個(gè)Ug發(fā)出的時(shí)刻，相應(yīng)地改變了晶閘管的控制角，使負(fù)載RL上輸...

正高教你區(qū)分可控硅模塊損壞的原因當(dāng)可控硅模塊損壞后，一定要及時(shí)找到損壞的原因，然后立即進(jìn)行故障處理，下面正高教你如何區(qū)分可控硅模塊損壞的原因。當(dāng)可控硅模塊損壞后需求查看剖析其緣由時(shí)，可把管芯從冷卻套中取出，翻開(kāi)芯盒再取出芯片，調(diào)查其損壞后的痕跡，以判別是何緣由。下面介紹幾種常見(jiàn)表象剖析。電流損壞。電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個(gè)凹坑，且粗糙，其方位在遠(yuǎn)離操控極上。電壓擊穿?？煽毓枰虿荒芙邮茈妷憾鴵p壞，其芯片中有一個(gè)光亮的小孔，有時(shí)需用擴(kuò)展鏡才干看見(jiàn)。其緣由可能是管子自身耐壓降低或被電路斷開(kāi)時(shí)發(fā)生的高電壓擊穿。電流上升率損壞。其痕跡與電流損壞一樣，而其方位在操控極鄰近或就在操控極上。邊際損壞。...

正高教你區(qū)分可控硅模塊損壞的原因當(dāng)可控硅模塊損壞后，一定要及時(shí)找到損壞的原因，然后立即進(jìn)行故障處理，下面正高教你如何區(qū)分可控硅模塊損壞的原因。當(dāng)可控硅模塊損壞后需求查看剖析其緣由時(shí)，可把管芯從冷卻套中取出，翻開(kāi)芯盒再取出芯片，調(diào)查其損壞后的痕跡，以判別是何緣由。下面介紹幾種常見(jiàn)表象剖析。電流損壞。電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個(gè)凹坑，且粗糙，其方位在遠(yuǎn)離操控極上。電壓擊穿?？煽毓枰虿荒芙邮茈妷憾鴵p壞，其芯片中有一個(gè)光亮的小孔，有時(shí)需用擴(kuò)展鏡才干看見(jiàn)。其緣由可能是管子自身耐壓降低或被電路斷開(kāi)時(shí)發(fā)生的高電壓擊穿。電流上升率損壞。其痕跡與電流損壞一樣，而其方位在操控極鄰近或就在操控極上。邊際損壞。...

加在控制極G上的觸發(fā)脈沖的大小或時(shí)間改變時(shí)，就能改變其導(dǎo)通電流的大小。雙向可控硅模塊與單向可控硅模塊的區(qū)別是，雙向可控硅G極上觸發(fā)脈沖的極性改變時(shí)，其導(dǎo)通方向就隨著極性的變化而改變，從而能夠控制交流電負(fù)載。而單向可控硅經(jīng)觸發(fā)后只能從陽(yáng)極向陰極單方向?qū)?，所以可控硅有單雙向之分。雙向可控硅模塊按象限來(lái)分，又分為四象三端雙向可控硅、三象限雙向可控硅；按封裝分，分為一般半塑封裝、外絕緣式全塑封裝；按觸發(fā)電流來(lái)分，分為微觸型、高靈敏度型、標(biāo)準(zhǔn)觸發(fā)型；按電壓分，常規(guī)電壓品種、高壓品種。可控硅模塊由于它在電路應(yīng)用中的效率高、控制特性好、壽命長(zhǎng)、體積小、功能強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，自上個(gè)世紀(jì)六十長(zhǎng)代以來(lái)，獲得了迅猛發(fā)展，...

所以脈沖寬度下應(yīng)小于300μs，通常取1ms，相當(dāng)廣50Hz正弦波的18電角度。二、觸發(fā)脈沖的型式要有助于可控硅觸模塊發(fā)電路導(dǎo)通時(shí)間的一致性對(duì)于可控硅串并聯(lián)電路，要求并聯(lián)或者串聯(lián)的元件要同一時(shí)刻導(dǎo)通，使兩個(gè)管子中流過(guò)的電流及或承受的電壓及相同。否則，由于元件特性的分散性，在并聯(lián)電路中使導(dǎo)通較早的元件超出允許范圍，在串聯(lián)電路中使導(dǎo)通較晚的元件超出允許范圍而被損壞，所以，針對(duì)上述問(wèn)題，通常采取強(qiáng)觸發(fā)措施，使并聯(lián)或者串聯(lián)的可控硅盡量在同一時(shí)間內(nèi)導(dǎo)通。三、觸發(fā)電路的觸發(fā)脈沖要有足夠的移相范圍并且要與主回路電源同步為了保證可控硅變流裝置能在給定的控制范圍內(nèi)工作，必須使觸發(fā)脈沖能在相應(yīng)的范圍內(nèi)進(jìn)行移相。同...

晶閘管模塊又稱為可控硅模塊，是硅整流裝置中主要的器件，可應(yīng)用于多種場(chǎng)合，在不同的場(chǎng)合、線路和負(fù)載的狀態(tài)下，選擇適合的晶閘管模塊的重要參數(shù)，使設(shè)備運(yùn)行更良好，使用壽命更長(zhǎng)。1.選擇正反向電壓晶閘管模塊在門極無(wú)信號(hào)，控制電流Ig為0時(shí)，在陽(yáng)（A）逐一陰（K）極之間加（J2）處于反向偏置，所以，器件呈高阻抗?fàn)顟B(tài)，稱為正向阻斷狀態(tài)，若增大UAK而達(dá)到一定值VBO，可控硅由阻斷忽然轉(zhuǎn)為導(dǎo)通，這個(gè)VBO值稱為正向轉(zhuǎn)折電壓，這種導(dǎo)通是非正常導(dǎo)通，會(huì)減短器件的壽命。所以必須選擇足夠正向重復(fù)阻斷峰值電壓（VDRM）。在陽(yáng)逐一陰極之間加上反向電壓時(shí)，器件的一和三PN結(jié)（J1和J3）處于反向偏置，呈阻斷狀態(tài)。當(dāng)加大...

可控硅智能調(diào)壓模塊在電加熱領(lǐng)域的應(yīng)用傳統(tǒng)的電加熱行業(yè)使用的功率器件一般采用分離的單只晶閘管和晶閘管觸發(fā)板的方式來(lái)完成對(duì)變壓器初級(jí)或次級(jí)的調(diào)壓;加熱行業(yè)往往工作環(huán)境很惡劣，粉塵飛揚(yáng)，溫度變化較大，濕度較高，長(zhǎng)時(shí)間工作后會(huì)出現(xiàn)觸發(fā)板工作失常，造成晶閘管擊穿，導(dǎo)致設(shè)備停產(chǎn)，產(chǎn)品報(bào)廢等，給生產(chǎn)造成眼中損失。并且普通電工無(wú)法完成維修工作，必須專業(yè)人員進(jìn)行操作。為了避免出現(xiàn)上述問(wèn)題，采用密封性好，工作環(huán)境適應(yīng)能力強(qiáng)，安裝維修方便的可控硅智能調(diào)壓模塊來(lái)替代傳統(tǒng)的方式?？煽毓柚悄苷{(diào)壓模塊是把主電路與移向觸發(fā)系統(tǒng)(即觸發(fā)板)集成共同封裝在一個(gè)塑料外殼內(nèi)，從而省去了觸發(fā)板與晶閘管之間的連接線、晶閘管與晶閘管之間的...

晶閘管G、K之間是一個(gè)PN結(jié)，相當(dāng)于一個(gè)二極管，G為正極、K為負(fù)極，所以，按照測(cè)試二極管的方法，找出三個(gè)極中的兩個(gè)極，測(cè)它的正、反向電阻，電阻小時(shí)，萬(wàn)用表黑表筆接的是控制極G，紅表筆接的是陰極K，剩下的一個(gè)就是陽(yáng)極A了。測(cè)試晶閘管模塊的好壞，可以用剛才演示用的示教板電路。接通電源開(kāi)關(guān)S，按一下按鈕開(kāi)關(guān)SB，燈泡發(fā)光就是好的，不發(fā)光就是壞的。四、晶閘管模塊在電路中的主要用途是什么?普通晶閘管模塊基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路。如果把二極管換成晶閘管，就可以構(gòu)成可控整流電路?，F(xiàn)在我畫一個(gè)簡(jiǎn)單的單相半波可控整流電路。在正弦交流電壓U2的正半周期間，如果VS的控制極...

時(shí)效電爐還有烘箱試驗(yàn)電爐、電阻爐、真空爐以及高溫爐電爐等等2.機(jī)械設(shè)備像是包裝行業(yè)的機(jī)械、注塑行業(yè)的食品行業(yè)的機(jī)械以及塑料加工、以及回火設(shè)備等等3.玻璃行業(yè)也是可以用到的像是玻璃纖維、玻璃融化、印制以及玻璃生產(chǎn)線、退火槽等等4.在汽車行業(yè)中也有著噴涂烘干以及熱成型的情況5.像是在照明的這一方面有隧道照明、路燈照明、舞臺(tái)上的燈光照明6.對(duì)于蒸餾蒸發(fā)以及預(yù)熱系統(tǒng)、管道加熱以及石油的加工這種化學(xué)的行業(yè)也是可以的7.其他行業(yè)中，電力調(diào)整器淬火爐溫控、熱處理爐溫控以及金剛石壓機(jī)進(jìn)行加熱，航空的電源調(diào)壓等等以及中央空調(diào)電的加熱器進(jìn)行溫度控制，像是紡織機(jī)械行業(yè)，水晶石的生產(chǎn)以及石油化工的機(jī)械等等這些行業(yè)中都...

晶閘管模塊的應(yīng)用非常廣，大到電氣行業(yè)設(shè)備中的應(yīng)用，小到日常生活中的應(yīng)用，但是如果有使用不當(dāng)?shù)臅r(shí)候就會(huì)造成晶閘管模塊燒壞的情況，下面正高來(lái)介紹下晶閘管模塊被燒壞的原因有哪些？晶閘管模塊燒壞都是由溫度過(guò)高造成的，而溫度是由晶閘管模塊的電特性、熱特性、結(jié)構(gòu)特性決定的，因此保證晶閘管模塊在研制、生產(chǎn)過(guò)程中的質(zhì)量應(yīng)從三方面入手：電特性、熱特性、結(jié)構(gòu)特性，而且三者是緊密相連、密不可分的，所以在研制、生產(chǎn)晶閘管模塊時(shí)應(yīng)充分考慮其電應(yīng)力、熱應(yīng)力、結(jié)構(gòu)應(yīng)力。燒壞晶閘管模塊的原因很多，總的說(shuō)來(lái)還是三者共同作用下才致使晶閘管模塊燒壞的，某一單獨(dú)的特性下降很難造成品閘管燒壞，因此我們?cè)谏a(chǎn)過(guò)程中可以充分利用這個(gè)特點(diǎn)，...

它是由單結(jié)晶體管和RC充放電電路組成的。合上電源開(kāi)關(guān)S后，電源UBB經(jīng)電位器RP向電容器C充電，電容器上的電壓UC按指數(shù)規(guī)律上升。當(dāng)UC上升到單結(jié)晶體管的峰點(diǎn)電壓UP時(shí)，單結(jié)晶體管突然導(dǎo)通，基區(qū)電阻RB1急劇減小，電容器C通過(guò)PN結(jié)向電阻R1迅速放電，使R1兩端電壓Ug發(fā)生一個(gè)正跳變，形成陡峭的脈沖前沿。隨著電容器C的放電，UE按指數(shù)規(guī)律下降，直到低于谷點(diǎn)電壓UV時(shí)單結(jié)晶體管截止。這樣，在R1兩端輸出的是尖頂觸發(fā)脈沖。此時(shí)，電源UBB又開(kāi)始給電容器C充電，進(jìn)入第二個(gè)充放電過(guò)程。這樣周而復(fù)始，電路中進(jìn)行著周期性的振蕩。調(diào)節(jié)RP可以改變振蕩周期。九、在可控整流電路的波形圖中，發(fā)現(xiàn)晶閘管模塊承受正向...

可控硅模塊的發(fā)展及應(yīng)用來(lái)源，可控硅模塊簡(jiǎn)稱可控硅，又名晶閘管，通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊，可控硅模塊的優(yōu)點(diǎn)顯而易見(jiàn)，體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊、可靠性高、外接線簡(jiǎn)單、互換性好、便于維修和安裝。下面來(lái)看看可控硅模塊的發(fā)展和應(yīng)用?？煽毓枘K在電路中能夠?qū)崿F(xiàn)交流電的無(wú)觸點(diǎn)控制，以小電流控制大電流，并且不象繼電器那樣控制時(shí)有火花產(chǎn)生，且動(dòng)作快、壽命長(zhǎng)、可靠性好。在調(diào)速、調(diào)光、調(diào)壓、調(diào)溫以及其他各種控制電路中都有可控硅的身影?？煽毓枘K分為單向可控硅和雙向可控硅，符號(hào)也不同。單向可控硅模塊有三個(gè)PN結(jié)，由外層的P極和N極引出兩個(gè)電極，它們分別稱為陽(yáng)極和陰極，由中間的P極引出一個(gè)控制極。單向可控硅模塊有其獨(dú)...

可控硅模塊的發(fā)展及應(yīng)用來(lái)源，可控硅模塊簡(jiǎn)稱可控硅，又名晶閘管，通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊，可控硅模塊的優(yōu)點(diǎn)顯而易見(jiàn)，體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊、可靠性高、外接線簡(jiǎn)單、互換性好、便于維修和安裝。下面來(lái)看看可控硅模塊的發(fā)展和應(yīng)用?？煽毓枘K在電路中能夠?qū)崿F(xiàn)交流電的無(wú)觸點(diǎn)控制，以小電流控制大電流，并且不象繼電器那樣控制時(shí)有火花產(chǎn)生，且動(dòng)作快、壽命長(zhǎng)、可靠性好。在調(diào)速、調(diào)光、調(diào)壓、調(diào)溫以及其他各種控制電路中都有可控硅的身影?？煽毓枘K分為單向可控硅和雙向可控硅，符號(hào)也不同。單向可控硅模塊有三個(gè)PN結(jié)，由外層的P極和N極引出兩個(gè)電極，它們分別稱為陽(yáng)極和陰極，由中間的P極引出一個(gè)控制極。單向可控硅模塊有其獨(dú)...

晶閘管模塊也是可控硅模塊，應(yīng)用范圍很大，多數(shù)應(yīng)用于可控整流、交流調(diào)壓、無(wú)觸點(diǎn)電子開(kāi)關(guān)、逆變及變頻等電子電路中，是一種能夠在高電壓、大電流條件下工作，成為一些電路中不可或缺的重要元件。但是在晶閘管模塊是需要注意很多常識(shí)，下面一起來(lái)看看。1、在選用晶閘管模塊的額定電流時(shí)，就要注意，除了要考慮通過(guò)元件的平均電流之外，還要注意正常工作時(shí)導(dǎo)通角的大小、散熱通風(fēng)條件等諸多因素，與此同時(shí)，管殼溫度不得超過(guò)相應(yīng)電流下的允許值。2、使用晶閘管模塊，要用萬(wàn)用表檢查晶閘管模塊是否良好，發(fā)現(xiàn)有短路或者斷路現(xiàn)象時(shí)，就要立即更換。3、嚴(yán)禁使用兆歐表來(lái)檢查元件的絕緣情況。4、電力為5A以上的晶閘管模塊要裝散熱器，并且保證所...

晶閘管G、K之間是一個(gè)PN結(jié)，相當(dāng)于一個(gè)二極管，G為正極、K為負(fù)極，所以，按照測(cè)試二極管的方法，找出三個(gè)極中的兩個(gè)極，測(cè)它的正、反向電阻，電阻小時(shí)，萬(wàn)用表黑表筆接的是控制極G，紅表筆接的是陰極K，剩下的一個(gè)就是陽(yáng)極A了。測(cè)試晶閘管模塊的好壞，可以用剛才演示用的示教板電路。接通電源開(kāi)關(guān)S，按一下按鈕開(kāi)關(guān)SB，燈泡發(fā)光就是好的，不發(fā)光就是壞的。四、晶閘管模塊在電路中的主要用途是什么?普通晶閘管模塊基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路。如果把二極管換成晶閘管，就可以構(gòu)成可控整流電路。現(xiàn)在我畫一個(gè)簡(jiǎn)單的單相半波可控整流電路。在正弦交流電壓U2的正半周期間，如果VS的控制極...

晶閘管模塊也是可控硅模塊，應(yīng)用范圍很大，多數(shù)應(yīng)用于可控整流、交流調(diào)壓、無(wú)觸點(diǎn)電子開(kāi)關(guān)、逆變及變頻等電子電路中，是一種能夠在高電壓、大電流條件下工作，成為一些電路中不可或缺的重要元件。但是在晶閘管模塊是需要注意很多常識(shí)，下面一起來(lái)看看。1、在選用晶閘管模塊的額定電流時(shí)，就要注意，除了要考慮通過(guò)元件的平均電流之外，還要注意正常工作時(shí)導(dǎo)通角的大小、散熱通風(fēng)條件等諸多因素，與此同時(shí)，管殼溫度不得超過(guò)相應(yīng)電流下的允許值。2、使用晶閘管模塊，要用萬(wàn)用表檢查晶閘管模塊是否良好，發(fā)現(xiàn)有短路或者斷路現(xiàn)象時(shí)，就要立即更換。3、嚴(yán)禁使用兆歐表來(lái)檢查元件的絕緣情況。4、電力為5A以上的晶閘管模塊要裝散熱器，并且保證所...

怎么區(qū)分可控硅模塊的損壞緣由當(dāng)可控硅模塊損壞后需求查看剖析其緣由時(shí)，可把管芯從冷卻套中取出，翻開(kāi)芯盒再取出芯片，調(diào)查其損壞后的痕跡，以判別是何緣由。下面介紹幾種常見(jiàn)表象剖析。電流損壞。電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個(gè)凹坑，且粗糙，其方位在遠(yuǎn)離操控極上。電壓擊穿?？煽毓枰虿荒芙邮茈妷憾鴵p壞，其芯片中有一個(gè)光亮的小孔，有時(shí)需用擴(kuò)展鏡才干看見(jiàn)。其緣由可能是管子自身耐壓降低或被電路斷開(kāi)時(shí)發(fā)生的高電壓擊穿。電流上升率損壞。其痕跡與電流損壞一樣，而其方位在操控極鄰近或就在操控極上。邊際損壞。他發(fā)生在芯片外圓倒角處，有細(xì)微光亮小孔。用放大鏡可看到倒角面上有細(xì)細(xì)金屬物劃痕。這是制作廠家裝置不小心所形成的。它...

電力調(diào)整器其實(shí)有著別的名稱，比如說(shuō)可以叫做可控硅也可以叫做調(diào)功調(diào)壓器或者是功率調(diào)整器以及還有其他的一些像是調(diào)相器以及調(diào)功器等等，因?yàn)槭菍儆谝环N無(wú)級(jí)的電力調(diào)整的設(shè)備，也是屬于在工業(yè)的電熱的行業(yè)中控制的利器，也有一些比較節(jié)能節(jié)電的環(huán)保型的產(chǎn)品。它是一種以晶閘管（電力電子器件）為主要基礎(chǔ)的，可以以智能的數(shù)字進(jìn)行相應(yīng)的控制電路這些為中心的電源功率的控制電器，這樣看來(lái)又可以稱為可控硅調(diào)功器，可控硅的調(diào)整器以及可控硅的調(diào)壓器，晶閘管調(diào)整器以及晶閘管調(diào)壓器等等一些別的名稱。這些也具有效率比較高、沒(méi)有機(jī)械的噪聲以及磨損，響應(yīng)的速度也是比較快的，體積也比較小，重量同樣也是比較輕的，像是這些的還有很多，而且晶閘管...

晶閘管調(diào)壓模塊在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用：晶閘管調(diào)壓模塊可以用于交流電源電壓調(diào)節(jié)、電動(dòng)機(jī)調(diào)速、電爐溫度控制等方面。晶閘管調(diào)壓模塊在工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域的應(yīng)用：晶閘管調(diào)壓模塊可以用于電子式調(diào)速器、溫度控制器、光照控制器等方面。晶閘管調(diào)壓模塊在機(jī)器人領(lǐng)域的應(yīng)用：晶閘管調(diào)壓模塊可以用于機(jī)器人的電源電壓調(diào)節(jié)、電機(jī)控制等方面。晶閘管調(diào)壓模塊在家電領(lǐng)域的應(yīng)用：晶閘管調(diào)壓模塊可以用于電視機(jī)、冰箱、洗衣機(jī)等家電產(chǎn)品的電源電壓調(diào)節(jié)、控制等方面。淄博正高電氣以更積極的態(tài)度，更新、更好的產(chǎn)品，更優(yōu)良的服務(wù)，迎接挑戰(zhàn)。日照單相晶閘管調(diào)壓模塊批發(fā)晶閘管模塊是一種開(kāi)關(guān)器件，在電氣行業(yè)中有著較為廣的應(yīng)用，在設(shè)備中起著較為重要的作用，但...

電力調(diào)整器是利用晶閘管及其觸發(fā)控制電路來(lái)調(diào)節(jié)負(fù)載功率的圓盤式功率調(diào)節(jié)裝置?，F(xiàn)在更多的是采用數(shù)字電路觸發(fā)晶閘管來(lái)實(shí)現(xiàn)電壓調(diào)節(jié)和功率調(diào)節(jié)。那就讓正高電氣的小編帶大家去了解一下它的其他的方面吧！它是一種四層三端半導(dǎo)體器件，連接在電源和負(fù)載之間，并配有相應(yīng)的觸發(fā)控制電路板，可調(diào)節(jié)負(fù)載所加的電壓、電流和功率。主要用于各種電加熱裝置（如電加熱工業(yè)爐、電烘干機(jī)、電油爐、各種反應(yīng)罐和反應(yīng)釜的電加熱裝置）的加熱功率調(diào)節(jié)。它不只可以“手動(dòng)”調(diào)節(jié)，還可以用電動(dòng)調(diào)節(jié)儀表和智能裝置調(diào)節(jié)儀表、PLC和計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)加熱溫度的設(shè)定或程序控制。它是采用數(shù)字電路觸發(fā)晶閘管實(shí)現(xiàn)電壓和功率調(diào)節(jié)。電壓調(diào)節(jié)采用移相控制方式，功率...

正高講晶閘管模塊驅(qū)動(dòng)電路的工作情況,晶閘管模塊的應(yīng)用十分廣，而且分類也特別多，比如單向晶閘管、雙向晶閘管、快速晶閘管等等，那么快速晶閘管模塊驅(qū)動(dòng)電路的工作情況是什么你知道嗎？下面正高來(lái)講一講。(1)快速晶閘管模塊承受反向陽(yáng)極電壓時(shí)，不論門極承受何種電壓，晶閘管都處于關(guān)斷狀態(tài)。(2)快速晶閘管模塊承受正向陽(yáng)極電壓時(shí)，只在門極承受正向電壓的情況下快速晶閘管才導(dǎo)通。(3)快速晶閘管模塊在導(dǎo)通情況下，只要有一定的正向陽(yáng)極電壓，不論門極電壓如何，快速晶閘管保持導(dǎo)通，即晶閘管導(dǎo)通后，門極失去作用。(4)快速晶閘管模塊在導(dǎo)通情況下，當(dāng)主回路電壓(或電流)減小到接近于零時(shí)，快速晶閘管關(guān)斷。選用的是快速晶閘管是...

有必要能確保模塊正常作業(yè)時(shí)散熱底板溫度不大于80℃；模塊負(fù)載較輕時(shí)，可減小散熱器的大小或選用天然冷卻；選用天然辦法冷卻時(shí)散熱器周圍的空氣能結(jié)束對(duì)流并恰當(dāng)增大散熱器面積；悉數(shù)緊固模塊的螺釘有必要擰緊，壓線端子聯(lián)接強(qiáng)健，以削減次生熱量的發(fā)生，模塊底板和散熱器之間有必要要涂敷一層導(dǎo)熱硅脂或墊上一片底板大小的導(dǎo)熱墊，以抵達(dá)良好散熱作用?？煽毓枘K的設(shè)備與維護(hù)：（1）在模塊導(dǎo)熱底板表面與散熱器外表各均勻涂覆一層導(dǎo)熱硅脂，然后用四個(gè)螺釘把模塊固定于散熱器上，固定螺釘不要一次擰緊，幾個(gè)螺釘要順次固定，用力要均勻，重復(fù)幾回，直至強(qiáng)健，使模塊底板與散熱器外表嚴(yán)密觸摸。（2）把散熱器和風(fēng)機(jī)按需求安裝好后，筆直固定...

在使用晶閘管模塊前必須了解的知識(shí)晶閘管模塊也是可控硅模塊，應(yīng)用范圍很大，多數(shù)應(yīng)用于可控整流、交流調(diào)壓、無(wú)觸點(diǎn)電子開(kāi)關(guān)、逆變及變頻等電子電路中，是一種能夠在高電壓、大電流條件下工作，成為一些電路中不可或缺的重要元件。但是在晶閘管模塊是需要注意很多常識(shí)，下面一起來(lái)看看。1、在選用晶閘管模塊的額定電流時(shí)，就要注意，除了要考慮通過(guò)元件的平均電流之外，還要注意正常工作時(shí)導(dǎo)通角的大小、散熱通風(fēng)條件等諸多因素，與此同時(shí)，管殼溫度不得超過(guò)相應(yīng)電流下的允許值。2、使用晶閘管模塊，要用萬(wàn)用表檢查晶閘管模塊是否良好，發(fā)現(xiàn)有短路或者斷路現(xiàn)象時(shí)，就要立即更換。3、嚴(yán)禁使用兆歐表來(lái)檢查元件的絕緣情況。4、電力為5A以上的...

正高教你區(qū)分可控硅模塊損壞的原因當(dāng)可控硅模塊損壞后，一定要及時(shí)找到損壞的原因，然后立即進(jìn)行故障處理，下面正高教你如何區(qū)分可控硅模塊損壞的原因。當(dāng)可控硅模塊損壞后需求查看剖析其緣由時(shí)，可把管芯從冷卻套中取出，翻開(kāi)芯盒再取出芯片，調(diào)查其損壞后的痕跡，以判別是何緣由。下面介紹幾種常見(jiàn)表象剖析。電流損壞。電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個(gè)凹坑，且粗糙，其方位在遠(yuǎn)離操控極上。電壓擊穿。可控硅因不能接受電壓而損壞，其芯片中有一個(gè)光亮的小孔，有時(shí)需用擴(kuò)展鏡才干看見(jiàn)。其緣由可能是管子自身耐壓降低或被電路斷開(kāi)時(shí)發(fā)生的高電壓擊穿。電流上升率損壞。其痕跡與電流損壞一樣，而其方位在操控極鄰近或就在操控極上。邊際損壞。...

晶閘管模塊又稱為可控硅模塊，是硅整流裝置中主要的器件，可應(yīng)用于多種場(chǎng)合，在不同的場(chǎng)合、線路和負(fù)載的狀態(tài)下，選擇適合的晶閘管模塊的重要參數(shù)，使設(shè)備運(yùn)行更良好，使用壽命更長(zhǎng)。1.選擇正反向電壓晶閘管模塊在門極無(wú)信號(hào)，控制電流Ig為0時(shí)，在陽(yáng)（A）逐一陰（K）極之間加（J2）處于反向偏置，所以，器件呈高阻抗?fàn)顟B(tài)，稱為正向阻斷狀態(tài)，若增大UAK而達(dá)到一定值VBO，可控硅由阻斷忽然轉(zhuǎn)為導(dǎo)通，這個(gè)VBO值稱為正向轉(zhuǎn)折電壓，這種導(dǎo)通是非正常導(dǎo)通，會(huì)減短器件的壽命。所以必須選擇足夠正向重復(fù)阻斷峰值電壓（VDRM）。在陽(yáng)逐一陰極之間加上反向電壓時(shí)，器件的一和三PN結(jié)（J1和J3）處于反向偏置，呈阻斷狀態(tài)。當(dāng)加大...

電流、電壓、溫度傳感器以及操作鍵盤，LED或LCD顯示等部分組成。它有相當(dāng)高的智能水平和適應(yīng)性。因此，它在配電系統(tǒng)內(nèi)的電氣控制中迅速得到推廣應(yīng)用。在電源和控制方面更有著大范圍的應(yīng)用。另外還有在固態(tài)接觸器、繼電器，工業(yè)電熱控溫、各種半導(dǎo)體所用設(shè)備精密控溫，中、高頻熱處理電源，電焊設(shè)備（整流焊機(jī)、二次整流焊機(jī)、逆變焊機(jī)），激光電源，勵(lì)磁電源，電鍍、電解電源，機(jī)械電子設(shè)備電源，以及在城市無(wú)軌、電動(dòng)牽引，港口輪船起貨機(jī)，風(fēng)機(jī)，水泵，軋機(jī)，龍門刨，大型吊車驅(qū)動(dòng)，較低頻鋼水溶化電源，造紙，紡織，城市供水、污水處理等領(lǐng)域的應(yīng)用，可以說(shuō)智能晶閘管模塊在配電系統(tǒng)內(nèi)的各電氣控制領(lǐng)域都有作為。智能晶閘管模塊是電力電...

所以脈沖寬度下應(yīng)小于300μs，通常取1ms，相當(dāng)廣50Hz正弦波的18電角度。二、觸發(fā)脈沖的型式要有助于可控硅觸模塊發(fā)電路導(dǎo)通時(shí)間的一致性對(duì)于可控硅串并聯(lián)電路，要求并聯(lián)或者串聯(lián)的元件要同一時(shí)刻導(dǎo)通，使兩個(gè)管子中流過(guò)的電流及或承受的電壓及相同。否則，由于元件特性的分散性，在并聯(lián)電路中使導(dǎo)通較早的元件超出允許范圍，在串聯(lián)電路中使導(dǎo)通較晚的元件超出允許范圍而被損壞，所以，針對(duì)上述問(wèn)題，通常采取強(qiáng)觸發(fā)措施，使并聯(lián)或者串聯(lián)的可控硅盡量在同一時(shí)間內(nèi)導(dǎo)通。三、觸發(fā)電路的觸發(fā)脈沖要有足夠的移相范圍并且要與主回路電源同步為了保證可控硅變流裝置能在給定的控制范圍內(nèi)工作，必須使觸發(fā)脈沖能在相應(yīng)的范圍內(nèi)進(jìn)行移相。同...