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電解拋光腐蝕儀利用電化學(xué)原理進(jìn)行金相樣品的制備,該設(shè)備工作電壓、電流范圍大,功能齊全,既可用于金相試樣的拋光,也可用于金相試樣的腐蝕,具備制樣快、重復(fù)性好等優(yōu)點(diǎn),是鋼鐵,尤其是不銹鋼及有色金屬試樣制備的理想設(shè)備,用戶的計算機(jī)可直接讀取所有歷史數(shù)據(jù),可對所有數(shù)據(jù)進(jìn)行分析、存檔、打印處理。電壓、電流范圍大,可同時滿足各種材料的拋光和腐蝕,主要用于各大中院校、環(huán)保、科研、衛(wèi)生、防疫、石油、治金、化工、醫(yī)療等設(shè)備,本儀器性能好,無噪聲。低倍組織熱酸蝕腐蝕,有排液閥門,方便排放腐蝕廢液。天津陽極覆膜腐蝕經(jīng)濟(jì)實用
電解拋光腐蝕,電解浸蝕參考資料
試驗材料 |
浸蝕液配比 |
電解參數(shù) |
時間 |
陰極材料 |
備注 |
鋁和鋁合金 |
蒸餾水 90ml磷酸(1.71) 10ml |
1~8V |
5~10秒 |
不銹鋼 |
純鋁,鋁一銅,鋁一?鋁一?硅合金 |
銅 |
正磷酸/蒸餾水=2:1 |
0.8V 24。C |
30秒 |
銅 |
除錫青銅外的合金 |
黃銅 |
正磷酸/水=3:5 |
0.01A/cm2 16~27。C |
幾秒 |
銅 |
α黃銅,β黃銅 |
黃銅 |
正磷酸/水=4:6 |
0.08~0.012A/cm2 24。C |
幾秒 |
銅 |
α黃銅 |
黃銅 |
正磷酸/硫酸(濃)/蒸餾水=67:10:23 |
0.8V 24。C |
30秒 |
銅 |
含Sn≤6%的青銅 |
青銅 |
正磷酸/硫酸(濃)/蒸餾水=47:20:33 |
0.8V 24。C |
30秒 |
銅 |
含Sn≤6%的青銅 |
低倍組織熱腐蝕,在耐酸的封閉塑料容器里通過耐酸加熱器加熱,酸液不易揮發(fā)且不會產(chǎn)生安全隱患;容器體積可按需求改變,有利益工作效率提高;控制主機(jī)與酸蝕容器分離不易被腐蝕;采用觸摸屏和軟件智能控制溫度、時間的精細(xì)控制樣品不會被過蝕。觸摸屏操作操作簡單和直觀,更能輕易實現(xiàn)自動化控制;不需要工作人員看守,工作完成有聲音提示;控制簡易,操作不安全且較繁瑣不可靠,難易控制實驗效果,自動化控制程度不高;未考慮操作人員安全保護(hù)。目的:結(jié)合現(xiàn)場實驗操作人員探討,使該裝置操作方便可靠,著實考慮操作人員安全,同時能實現(xiàn)實驗的準(zhǔn)確性、穩(wěn)定性及提高生產(chǎn)效率。
低倍組織熱腐蝕,測試目的:通過宏觀檢驗發(fā)現(xiàn)鋼中的缺陷及不均勻性,如:疏松、氣泡、白點(diǎn)、翻皮、偏析、殘余縮孔等。這些缺陷及不均勻性的存在將會導(dǎo)致鋼材的機(jī)械性能、物理性能的降低,所以低倍檢查在產(chǎn)品驗收、新品試制、工藝調(diào)整與控制方面占有十分重要的地位。項目介紹:低倍組織檢驗是用肉眼或放大適當(dāng)?shù)谋稊?shù)來觀察試樣浸蝕面的宏觀組織缺陷及斷口形貌的一種檢測方法。低倍檢驗常用的方法有酸蝕、斷口形貌、硫印、塔形發(fā)紋等,其中酸蝕又包括熱酸腐蝕法、冷酸腐蝕法及電解腐蝕法,如需仲裁是推薦使用熱酸腐蝕法。低倍檢驗所需設(shè)備簡單,操作簡便迅速結(jié)果直觀,易于掌握。晶間腐蝕,有漏電和短路保護(hù)。
電解拋光腐蝕安全規(guī)程:使用含高氯酸電解液時,必須通循環(huán)水冷卻,配制溫度低于15。C,使用溫度應(yīng)低于200C注意安全,防止燃燒;使用電壓超過60V時,要注意安全,應(yīng)先放好試樣,再調(diào)電壓到所需值,后進(jìn)行電解拋光,結(jié)束后將電壓調(diào)到零位再取試樣;當(dāng)電源接通后,直流檔無論有無負(fù)載,要嚴(yán)防短路,尤其使用外電解浸蝕時更應(yīng)注意;接通負(fù)載后(即拋光或腐蝕進(jìn)行時),嚴(yán)禁轉(zhuǎn)換電壓調(diào)整器。每次拋光后,應(yīng)關(guān)閉電源防止過熱;拋光結(jié)束后,將電解液倒入其它容器中,用水清洗電解槽及冷卻循環(huán)系統(tǒng)。低倍組織熱酸蝕腐蝕采用三層樣品隔離放置方式,樣品取放方便且增加了工作空間,改善腐蝕性。杭州鋼的檢驗腐蝕制樣設(shè)備廠家
晶間腐蝕,是一種很危險的腐蝕。本儀器是用于評價材料的晶間腐蝕性能的儀器。天津陽極覆膜腐蝕經(jīng)濟(jì)實用
晶間腐蝕是什么?以晶間腐蝕為起源,在應(yīng)力和介質(zhì)的共同作用下,可使不銹鋼、鋁合金等誘發(fā)晶間應(yīng)力腐蝕,所以晶間腐蝕有時是應(yīng)力腐蝕的先導(dǎo),在通常腐蝕條件下,鈍化合金組織中的晶界活性不大,但當(dāng)它具有晶間腐蝕的敏感性時,晶間活性很大,即晶格粒與晶界之間存在著一定的電位差,這主要是合金在受熱不當(dāng)時,組織發(fā)生改變而引起的。所以晶間腐蝕是一種由組織電化學(xué)不均勻性引起的局部腐蝕蝕。此外晶界存在雜質(zhì)時,在一定介質(zhì)也也會引起晶間腐蝕。天津陽極覆膜腐蝕經(jīng)濟(jì)實用