如若在波峰焊、回流焊焊接出爐時(shí),由于熱板未平放而造成彎曲,可再過一次波峰焊或回流焊使其恢復(fù)平整,切記人為彎曲加以修正。3)另一種情況是,PCBA是平整的,但其固定基座是不平整的(理論上講,N個(gè)固定基座,一般只有三個(gè)在一個(gè)平面上),這樣的安裝效果與上面2).的后期產(chǎn)生結(jié)果相同。安裝基座應(yīng)平整,且PCBA的固定座數(shù)量不是越多越好,能達(dá)到固定強(qiáng)度要求即可,固定座越多,PCBA安裝后出現(xiàn)的微不平整情況越厲害。4)在電路板在使用中常受外力的部分,比如PCBA上有按鍵開關(guān)的附近焊點(diǎn)極易在使用過程中經(jīng)常微彎曲產(chǎn)生金屬疲勞導(dǎo)致焊點(diǎn)失效,(結(jié)果與焊點(diǎn)虛焊相同)。5)PCBA上發(fā)熱元件附近的焊點(diǎn)相對(duì)容易失效而開路,效果與虛焊相同。6)PCB在生產(chǎn)過程中切記預(yù)防彎曲,否則過孔金屬化壁出現(xiàn)裂紋,造成時(shí)通時(shí)不通的現(xiàn)象,極易與虛焊誤判。7)關(guān)于焊點(diǎn)虛焊的檢測(cè),這里就不一一贅述,只是強(qiáng)調(diào)一下,PCBA及電子產(chǎn)品成品的高溫循環(huán)試驗(yàn)和振動(dòng)試驗(yàn)是早期發(fā)現(xiàn)焊點(diǎn)虛焊的極其有效的方法。下面是焊點(diǎn)失效曲線:8)電子裝聯(lián)中,合理的焊接溫度、時(shí)間,是可靠焊接和形成良好焊點(diǎn)的基本保證,這里就不展開論述了。盟科電子場(chǎng)效應(yīng)管的腳位是怎么分的?惠州P型場(chǎng)效應(yīng)管銷售廠家
MOS電容的詳細(xì)介紹首先考察一個(gè)更簡單的器件——MOS電容——能更好的理解MOS管。這個(gè)器件有兩個(gè)電極,一個(gè)是金屬,另一個(gè)是外在硅,他們之間由一薄層二氧化硅分隔開。金屬極就是GATE,而半導(dǎo)體端就是backgate或者body。他們之間的絕緣氧化層稱為柵介質(zhì)(gatedielectric)。這個(gè)MOS電容的電特性能通過把backgate接地,gate接不同的電壓來說明。MOS電容的GATE電位是0V。金屬GATE和半導(dǎo)體BACKGATE在WORKFUNCTION上的差異在電介質(zhì)上產(chǎn)生了一個(gè)小電場(chǎng)。在器件中,這個(gè)電場(chǎng)使金屬極帶輕微的正電位,P型硅負(fù)電位。這個(gè)電場(chǎng)把硅中底層的電子吸引到表面來,它同時(shí)把空穴排斥出表面。這個(gè)電場(chǎng)太弱了,所以載流子濃度的變化非常小,對(duì)器件整體的特性影響也非常小。當(dāng)MOS電容的GATE相對(duì)于BACKGATE正偏置時(shí)發(fā)生的情況。穿過GATEDIELECTRIC的電場(chǎng)加強(qiáng)了,有更多的電子從襯底被拉了上來。同時(shí),空穴被排斥出表面。隨著GATE電壓的升高,會(huì)出現(xiàn)表面的電子比空穴多的情況。由于過剩的電子,硅表層看上去就像N型硅。摻雜極性的反轉(zhuǎn)被稱為inversion,反轉(zhuǎn)的硅層叫做channel。隨著GATE電壓的持續(xù)不斷升高,越來越多的電子在表面積累,channel變成了強(qiáng)反轉(zhuǎn)。Channel形成時(shí)的電壓被稱為閾值電壓Vt。佛山場(chǎng)效應(yīng)管廠家供應(yīng)替代新潔能的國產(chǎn)品牌有哪些?
PCB變形一般有兩種情況:一是來料變形,把好進(jìn)料關(guān),對(duì)PCB按標(biāo)準(zhǔn)驗(yàn)收。PCB板翹曲度標(biāo)準(zhǔn)請(qǐng)參考IPC-A-600G第平整度標(biāo)準(zhǔn):對(duì)于表面安裝元件(如SMT貼裝)的印制板其扭曲和弓曲標(biāo)準(zhǔn)為不大于.測(cè)試方法參考,其可焊性指標(biāo)也不盡相同,倘若可焊性指標(biāo)不合格,也是造成虛焊的一大原因。部分PCB在回流焊接中高溫時(shí)段發(fā)生翹曲變形,降溫后回復(fù)平整,造成虛焊,并且造成較大應(yīng)力,焊點(diǎn)后期失效的可能性很大。3助焊劑、焊料因素引起的虛焊及其預(yù)防助焊劑原因引起虛焊及預(yù)防在THT或SMT、THT混裝工藝中,波峰焊前要進(jìn)行助焊劑涂覆,助焊劑性能不良將不能有效去除元件焊面與PCB插裝孔、焊盤上的氧化物,導(dǎo)致焊點(diǎn)虛焊。這在更換助焊劑廠家或型號(hào)時(shí),應(yīng)加以特別注意。特別是采用新型號(hào)助焊劑時(shí),應(yīng)做焊接試驗(yàn)。助焊劑要常檢查濃度,要按工藝規(guī)程更新。焊料因素引起的虛焊及其預(yù)防在波峰焊工序中,錫鉛焊料在250℃高溫下不斷氧化,使焊料的含錫量不斷下降,偏離共晶點(diǎn),導(dǎo)致焊料流動(dòng)性差,出現(xiàn)虛焊和焊點(diǎn)強(qiáng)度不夠。可采用下面的方法來解決。添加氧化還原劑,使已氧化的SnO還原成Sn,減小錫渣的產(chǎn)生;不斷除去焊料浮渣;每次焊接前添加一定量的錫;采用含有抗氧化磷的焊料。采用氮?dú)獗Wo(hù)焊接。
1、MOS三個(gè)極怎么識(shí)別判斷2、寄生二極管我們看到D極和S極之間存在著一個(gè)二極管,這個(gè)二極管叫寄生二極管。MOS的寄生二極管怎么來的呢?翻開大學(xué)里的模擬電路書里面并沒有寄生二極管的介紹。在網(wǎng)上查了一番資料才知道,它是由生產(chǎn)工藝造成的,大功率MOS管漏極從硅片底部引出,就會(huì)有這個(gè)寄生二極管。小功率MOS管例如集成芯片中的MOS管是平面結(jié)構(gòu),漏極引出方向是從硅片的上面也就是與源極等同一方向,沒有這個(gè)二極管。模擬電路書里講得就是小功率MOS管的結(jié)構(gòu),所以沒有這個(gè)二極管。但D極和襯底之間都存在寄生二極管,如果是單個(gè)晶體管,襯底當(dāng)然接S極,因此自然在DS之間有二極管。如果在IC里面,N—MOS襯底接比較低的電壓,P—MOS襯底接最高電壓,不一定和S極相連,所以DS之間不一定有寄生二極管。那么寄生二極管起什么作用呢?當(dāng)電路中產(chǎn)生很大的瞬間反向電流時(shí),可以通過這個(gè)二極管導(dǎo)出來,不至于擊穿這個(gè)MOS管。(起到保護(hù)MOS管的作用)寄生二極管方向判定:3、MOS管的應(yīng)用1)開關(guān)作用現(xiàn)在電子主板上用得多的電子器件便是MOS管,可見MOS管在低功耗方面應(yīng)用得非常廣。盟科電子場(chǎng)效應(yīng)管可以用作可變電阻。
MOS場(chǎng)效應(yīng)管的測(cè)試方式(1).打算工作測(cè)量之前,先把人體對(duì)地短路后,才能摸觸MOSFET的管腳。在手腕上接一條導(dǎo)線與大地連接,使人體與大地維持等電位。再把管腳分離,然后拆掉導(dǎo)線。(2).判斷電極將萬用表撥于R×100檔,首先確定柵極。若某腳與其它腳的電阻都是無限大,驗(yàn)證此腳就是柵極G。交換表筆重測(cè)量,S-D之間的電阻值應(yīng)為幾百歐至幾千歐,其中阻值較小的那一次,黑表筆接的為D極,紅表筆接的是S極。日本生產(chǎn)的3SK系列產(chǎn)品,S極與管殼接通,據(jù)此很容易確定S極。(3).檢驗(yàn)放大能力(跨導(dǎo))將G極懸空,黑表筆接D極,紅表筆接S極,然后用指頭觸摸G極,表針理應(yīng)較大的偏轉(zhuǎn)。雙柵MOS場(chǎng)效應(yīng)管有兩個(gè)柵極G1、G2。為區(qū)別之,可用手分別觸摸G1、G2極,其中表針向左側(cè)偏轉(zhuǎn)大幅度較大的為G2極。目前有的MOSFET管在G-S極間增加了保護(hù)二極管,平時(shí)就不需要把各管腳短路了。MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管在采用時(shí)應(yīng)留意分類,不能隨心所欲交換。MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管由于輸入阻抗高(包括MOS集成電路)極易被靜電擊穿,用到時(shí)應(yīng)留意以下準(zhǔn)則:(1).MOS器件出廠時(shí)一般而言裝在黑色的導(dǎo)電泡沫塑料袋中,切勿自行隨意拿個(gè)塑料袋裝。也可用細(xì)銅線把各個(gè)引腳聯(lián)接在一起,或用錫紙包裝。能替代AO的國產(chǎn)品牌有哪些?上海好的場(chǎng)效應(yīng)管
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負(fù)載兩端的電壓將基本保持不變。b、故障特點(diǎn):穩(wěn)壓二極管的故障主要表現(xiàn)在開路、短路和穩(wěn)壓值不穩(wěn)定。在這3種故障中,前一種故障表現(xiàn)出電源電壓升高;后2種故障表現(xiàn)為電源電壓變低到零伏或輸出不穩(wěn)定。c、常用穩(wěn)壓二極管的型號(hào)及穩(wěn)壓值如下表:型號(hào)1N47281N47291N47301N47321N47331N47341N47351N47441N47501N47511N4761穩(wěn)壓值15V27V30V75V10、半導(dǎo)體二極管的伏安特性:二極管的基本特性是單向?qū)щ娦裕ㄗⅲ汗韫艿膶?dǎo)通電壓為-;鍺管的導(dǎo)通電壓為-),而工程分析時(shí)通常采用的是.11、半導(dǎo)體二極管的伏安特性曲線:(通過二極管的電流I與其兩端電壓U的關(guān)系曲線為二極管的伏安特性曲線。)見圖三.圖三硅和鍺管的伏安特性曲線12、半導(dǎo)體二極管的好壞判別:用萬用表(指針表)R﹡100或R﹡1K檔測(cè)量二極管的正,反向電阻要求在1K左右,反向電阻應(yīng)在100K以上.總之,正向電阻越小,越好.反向電阻越大越好.若正向電阻無窮大,說明二極管內(nèi)部斷路,若反向電阻為零,表明二極管以擊穿,內(nèi)部斷開或擊穿的二極管均不能使用。二、半導(dǎo)體三極管1、半導(dǎo)體三極管英文縮寫:Q/T2、半導(dǎo)體三極管在電路中常用“Q”加數(shù)字表示,如:Q17表示編號(hào)為17的三極管。3、半導(dǎo)體三極管特點(diǎn):半導(dǎo)體三極管?;葜軵型場(chǎng)效應(yīng)管銷售廠家
深圳市盟科電子科技有限公司主營品牌有盟科,MENGKE,發(fā)展規(guī)模團(tuán)隊(duì)不斷壯大,該公司生產(chǎn)型的公司。公司是一家有限責(zé)任公司企業(yè),以誠信務(wù)實(shí)的創(chuàng)業(yè)精神、專業(yè)的管理團(tuán)隊(duì)、踏實(shí)的職工隊(duì)伍,努力為廣大用戶提供***的產(chǎn)品。公司始終堅(jiān)持客戶需求優(yōu)先的原則,致力于提供高質(zhì)量的MOSFETs,場(chǎng)效應(yīng)管,開關(guān)二極管,三極管 ,三端穩(wěn)壓管 LDO,集成電路IC 整流器。盟科電子自成立以來,一直堅(jiān)持走正規(guī)化、專業(yè)化路線,得到了廣大客戶及社會(huì)各界的普遍認(rèn)可與大力支持。