內(nèi)凸臺的中心形成有沿厚度方向貫穿內(nèi)凸臺的凸臺孔，調(diào)平件8的中心形成有沿厚度方向貫穿調(diào)平件8的調(diào)平孔，驅(qū)動軸3上形成有調(diào)平螺紋孔，中心螺釘依次穿過調(diào)平孔、凸臺孔和調(diào)平螺紋孔，以將調(diào)平件8和驅(qū)動軸3固定在內(nèi)凸臺上，調(diào)平件8能夠調(diào)整中心螺釘與傳動筒4之間的角度。本實用新型對調(diào)平件8與驅(qū)動軸3如何夾持內(nèi)凸臺結(jié)構(gòu)41不做具體限定，例如，如圖3所示，調(diào)平件8中形成有多個沿軸向延伸的調(diào)平通道，調(diào)平通道中設置有調(diào)平球，調(diào)平件8還包括多個調(diào)平螺釘，調(diào)平螺釘與調(diào)平球一一對應，調(diào)平螺釘能夠推動調(diào)平球沿調(diào)平通道移動；調(diào)平件8中還形成有多個徑向延伸的楔形通道，楔形通道與調(diào)平通道一一對應，且楔形通道沿徑向貫穿調(diào)平件8的調(diào)平通道外側(cè)的外壁，楔形通道中設置有楔形塊，楔形塊能夠在調(diào)平球移動至楔形通道位置時被調(diào)平球頂入楔形通道，與傳動筒4的內(nèi)壁接觸。在發(fā)現(xiàn)工藝盤轉(zhuǎn)軸1或工藝盤01的角度出現(xiàn)偏差時，將工藝盤01偏高一側(cè)對應的調(diào)平螺釘擰入對應的調(diào)平通道，該調(diào)平螺釘頂部推動對應的調(diào)平球靠近楔形通道，調(diào)平球?qū)男ㄐ螇K推出楔形通道，從而增加調(diào)平件8與傳動筒4在該側(cè)內(nèi)壁之間的距離，進而使工藝盤轉(zhuǎn)軸1的軸線向該側(cè)轉(zhuǎn)動，實現(xiàn)將工藝盤01偏高的一側(cè)調(diào)低。因此具有更佳的設計 能力和用自動化的更高可行性。江西HIPS半導體與電子工程塑料零件定制加工要求
本實用新型涉及半導體設備領域，具體地，涉及一種半導體設備中的工藝盤組件，以及一種包括該工藝盤組件的半導體設備。背景技術：半導體設備通常由工藝腔和設置在工藝腔內(nèi)的工藝盤組成，工藝盤用于承載待加工的工件，工件與工藝腔中通入的工藝氣體發(fā)生化學反應或者由工藝氣體形成沉積物沉積在工件表面，完成晶片的外延等半導體工藝。為了保證工藝盤上熱量的均勻性，通常采用電機等設備驅(qū)動工藝盤旋轉(zhuǎn)，目前的工藝盤驅(qū)動機構(gòu)通常包括滑動軸、襯套和石英轉(zhuǎn)軸。其中，石英轉(zhuǎn)軸用于驅(qū)動工藝盤旋轉(zhuǎn)，襯套套設在滑動軸上，石英轉(zhuǎn)軸套設在襯套上，且滑動軸、襯套和石英轉(zhuǎn)軸三者軸線重合，襯套通過貼合面之間的摩擦作用將滑動軸的扭矩傳遞至石英轉(zhuǎn)軸上。然而，基于這種結(jié)構(gòu)目前的半導體設備經(jīng)常出現(xiàn)工件放偏、工藝效果不佳、工藝盤旋轉(zhuǎn)卡頓等問題。技術實現(xiàn)要素：本實用新型旨在提供一種用于半導體設備的工藝盤組件，該工藝盤組件能夠解決上述技術問題中的至少一者。為實現(xiàn)上述目的，作為本實用新型的***個方面，提供一種半導體設備中的工藝盤組件，包括工藝盤和工藝盤轉(zhuǎn)軸，所述工藝盤轉(zhuǎn)軸用于驅(qū)動所述工藝盤旋轉(zhuǎn)，所述工藝盤組件還包括驅(qū)動軸和驅(qū)動襯套。天津電木半導體與電子工程塑料零件定制加工厚度生產(chǎn)集成電路芯片需要高度專業(yè)化的設備，可在多重苛刻環(huán)境下工作。
表1實施例和對比例的碳化硅陶瓷的力學性能數(shù)據(jù)從上表1中可以看出，實施例得到的碳化硅陶瓷的抗彎強度均在400mpa左右，實施例2得到的碳化硅陶瓷的抗彎強度甚至高達451mpa，遠高于對比例得到的碳化硅陶瓷的抗彎強度。實施例得到的碳化硅陶瓷的顯微硬度至少為2441hv，致密度均在3g/cm3以上，而對比例得到的碳化硅陶瓷的抗顯微硬度和致密度均較低。由此可以看出，采用實施例中的碳化硅陶瓷的制備方法得到的碳化硅陶瓷的力學性能較好。以上所述實施例的各技術特征可以進行任意的組合，為使描述簡潔，未對上述實施例中的各個技術特征所有可能的組合都進行描述，然而，只要這些技術特征的組合不存在矛盾，都應當認為是本說明書記載的范圍。以上所述實施例*表達了本發(fā)明的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細，但并不能因此而理解為對發(fā)明專利范圍的限制。應當指出的是，對于本領域的普通技術人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本發(fā)明的保護范圍。因此，本發(fā)明專利的保護范圍應以所附權利要求為準。
半導體材料是什么？半導體材料（semiconductormaterial）是一類具有半導體性能（導電能力介于導體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍內(nèi)）、可用來制作半導體器件和集成電路的電子材料。自然界的物質(zhì)、材料按導電能力大小可分為導體、半導體和絕緣體三大類。半導體的電阻率在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍（上限按謝嘉奎《電子線路》取值，還有取其1/10或10倍的；因角標不可用，暫用當前描述）。在一般情況下，半導體電導率隨溫度的升高而升高，這與金屬導體恰好相反。凡具有上述兩種特征的材料都可歸入半導體材料的范圍。反映半導體半導體材料內(nèi)在基本性質(zhì)的卻是各種外界因素如光、熱、磁、電等作用于半導體而引起的物理效應和現(xiàn)象，這些可統(tǒng)稱為半導體材料的半導體性質(zhì)。構(gòu)成固態(tài)電子器件的基體材料絕大多數(shù)是半導體，正是這些半導體材料的各種半導體性質(zhì)賦予各種不同類型半導體器件以不同的功能和特性。半導體的基本化學特征在于原子間存在飽和的共價鍵。作為共價鍵特征的典型是在晶格結(jié)構(gòu)上表現(xiàn)為四面體結(jié)構(gòu)，所以典型的半導體材料具有金剛石或閃鋅礦（ZnS）的結(jié)構(gòu)。由于地球的礦藏多半是化合物，所以**早得到利用的半導體材料都是化合物，例如方鉛礦。磨削、銑削、鉆孔、車削和制造都可以很好地運用在半導體零件加工上。
半導體材料的應用半導體材料的早期應用：半導體的***個應用就是利用它的整流效應作為檢波器，就是點接觸二極管（也俗稱貓胡子檢波器，即將一個金屬探針接觸在一塊半導體上以檢測電磁波）。除了檢波器之外，在早期，半導體還用來做整流器、光伏電池、紅外探測器等，半導體的四個效應都用到了。從1907年到1927年，美國的物理學家研制成功晶體整流器、硒整流器和氧化亞銅整流器。1931年，蘭治和伯格曼研制成功硒光伏電池。1932年，德國先后研制成功硫化鉛、硒化鉛和碲化鉛等半導體紅外探測器，在二戰(zhàn)中用于偵測飛機和艦船。二戰(zhàn)時盟軍在半導體方面的研究也取得了很大成效，英國就利用紅外探測器多次偵測到了德國的飛機。***，半導體已***地用于家電、通訊、工業(yè)制造、航空、航天等領域。1994年，電子工業(yè)的世界市場份額為6910億美元，1998年增加到9358億美元。而其中由于美國經(jīng)濟的衰退，導致了半導體市場的下滑，即由1995年的1500多億美元，下降到1998年的1300多億美元。經(jīng)過幾年的徘徊，目前半導體市場已有所回升。制備不同的半導體器件對半導體材料有不同的形態(tài)要求，包括單晶的切片、磨片、拋光片、薄膜等。半導體材料的不同形態(tài)要求對應不同的加工工藝。由于該材料的線性熱膨脹系數(shù)（CLTE）較低、公差配置可更緊。湖北環(huán)保半導體與電子工程塑料零件定制加工特質(zhì)
機加工能力，支持仿真系統(tǒng)NPI應用發(fā)展。江西HIPS半導體與電子工程塑料零件定制加工要求
水平定向結(jié)晶法主要用于制備砷化鎵單晶，而垂直定向結(jié)晶法用于制備碲化鎘、砷化鎵。用各種方法生產(chǎn)的體單晶再經(jīng)過晶體定向、滾磨、作參考面、切片、磨片、倒角、拋光、腐蝕、清洗、檢測、封裝等全部或部分工序以提供相應的晶片。在單晶襯底上生長單晶薄膜稱為外延。外延的方法有氣相、液相、固相、分子束外延等。工業(yè)生產(chǎn)使用的主要是化學氣相外延，其次是液相外延。金屬有機化合物氣相外延和分子束外延則用于制備量子阱及超晶格等微結(jié)構(gòu)。非晶、微晶、多晶薄膜多在玻璃、陶瓷、金屬等襯底上用不同類型的化學氣相沉積、磁控濺射等方法制成。1、元素半導體材料硅在當前的應用相當***，他不僅是半導體集成電路，半導體器件和硅太陽能電池的基礎材料，而且用半導體制作的電子器件和產(chǎn)品已經(jīng)大范圍的進入到人們的生活，人們的家用電器中所用到的電子器件80%以上與案件都離不開硅材料。鍺是稀有元素，地殼中的含量較少，由于鍺的特有性質(zhì)，使得它的應用主要集中與制作各種二極管，三極管等。而以鍺制作的其他錢江如探測器，也具有著許多的優(yōu)點，***的應用于多個領域。2、有機半導體材料有機半導體材料具有熱***電導率，如萘蒽，聚丙烯和聚二乙烯苯以及堿金屬和蒽的絡合物。江西HIPS半導體與電子工程塑料零件定制加工要求