廈門(mén)真空鍍膜

真空鍍膜：磁控濺射法：濺射鍍膜較初出現(xiàn)的是簡(jiǎn)單的直流二極濺射，它的優(yōu)點(diǎn)是裝置簡(jiǎn)單，但是直流二極濺射沉積速率低；為了保持自持放電，不能在低氣壓(<0。1Pa)下進(jìn)行；不能濺射絕緣材料等缺點(diǎn)限制了其應(yīng)用。磁控濺射是由二極濺射基礎(chǔ)上發(fā)展而來(lái)，在靶材表面建立與電場(chǎng)正交磁場(chǎng)，解決了二極濺射沉積速率低，等離子體離化率低等問(wèn)題，成為目前鍍膜工業(yè)主要方法之一。磁控濺射與其它鍍膜技術(shù)相比具有如下特點(diǎn)：可制備成靶的材料廣，幾乎所有金屬，合金和陶瓷材料都可以制成靶材；在適當(dāng)條件下多元靶材共濺射方式，可沉積配比精確恒定的合金；在濺射的放電氣氛中加入氧、氮或其它活性氣體，可沉積形成靶材物質(zhì)與氣體分子的化合物薄膜；通過(guò)精確地控制濺射鍍膜過(guò)程，容易獲得均勻的高精度的膜厚；通過(guò)離子濺射靶材料物質(zhì)由固態(tài)直接轉(zhuǎn)變?yōu)榈入x子態(tài)，濺射靶的安裝不受限制，適合于大容積鍍膜室多靶布置設(shè)計(jì)；濺射鍍膜速度快，膜層致密，附著性好等特點(diǎn)，很適合于大批量，高效率工業(yè)生產(chǎn)。近年來(lái)磁控濺射技術(shù)發(fā)展很快，具有代表性的方法有射頻濺射、反應(yīng)磁控濺射、非平衡磁控濺射、脈沖磁控濺射、高速濺射等。真空鍍膜是指在高真空的條件下加熱金屬或非金屬材料，使其蒸發(fā)并凝結(jié)于鍍件表面而形成薄膜的一種方法。廈門(mén)真空鍍膜

電子束蒸發(fā)鍍膜技術(shù)是一種制備高純物質(zhì)薄膜的主要方法，在電子束加熱裝置中，被加熱的物質(zhì)被放置于水冷的坩堝中電子束只轟擊到其中很少的一部分物質(zhì)，而其余的大部分物質(zhì)在坩堝的冷卻作用下一直處于很低的溫度，即后者實(shí)際上變成了被蒸發(fā)物質(zhì)的坩堝。因此，電子束蒸發(fā)沉積方法可以做到避免坩堝材料的污染。在同一蒸發(fā)沉積裝置中可以安置多個(gè)坩堝，這使得人們可以同時(shí)或分別蒸發(fā)和沉積多種不同的物質(zhì)?，F(xiàn)今主流的電子束蒸發(fā)設(shè)備中對(duì)鍍膜質(zhì)量起關(guān)鍵作用的是電子槍和離子源。廈門(mén)真空鍍膜膜厚決定于蒸發(fā)源的蒸發(fā)速率和時(shí)間(或決定于裝料量)，并與源和基片的距離有關(guān)。

真空鍍膜技術(shù)：物理的氣相沉積技術(shù)由于其工藝處理溫度可控制在500℃以下，因此可作為較終的處理工藝用于高速鋼和硬質(zhì)合金類(lèi)的薄膜刀具上。采用物理的氣相沉積工藝可大幅度提高刀具的切削性能，人們?cè)诟?jìng)相開(kāi)發(fā)高性能、高可靠性設(shè)備的同時(shí)，也對(duì)其應(yīng)用領(lǐng)域的擴(kuò)展，尤其是在高速鋼、硬質(zhì)合金和陶瓷類(lèi)刀具中的應(yīng)用進(jìn)行了更加深入的研究?；瘜W(xué)氣相沉積技術(shù)是把含有構(gòu)成薄膜元素的單質(zhì)氣體或化合物供給基體，借助氣相作用或基體表面上的化學(xué)反應(yīng)，在基體上制出金屬或化合物薄膜的方法，主要包括常壓化學(xué)氣相沉積、低壓化學(xué)氣相沉積和兼有CVD和PVD兩者特點(diǎn)的等離子化學(xué)氣相沉積等。

真空鍍膜：電子束蒸發(fā)法：電子束蒸發(fā)法是將蒸發(fā)材料放入水冷銅坩鍋中，直接利用電子束加熱，使蒸發(fā)材料氣化蒸發(fā)后凝結(jié)在基板表面形成膜，是真空蒸發(fā)鍍膜技術(shù)中的一種重要的加熱方法和發(fā)展方向。電子束蒸發(fā)克服了一般電阻加熱蒸發(fā)的許多缺點(diǎn)，特別適合制作熔點(diǎn)薄膜材料和高純薄膜材料。激光蒸發(fā)法：采用激光束蒸發(fā)源的蒸鍍技術(shù)是一種理想的薄膜制備方法。這是由于激光器是可以安裝在真空室之外，這樣不但簡(jiǎn)化了真空室內(nèi)部的空間布置，減少了加熱源的放氣，而且還可完全避免了蒸發(fā)氣對(duì)被鍍材料的污染，達(dá)到了膜層純潔的目的。此外，激光加熱可以達(dá)到極高的溫度，利用激光束加熱能夠?qū)δ承┖辖鸹蚧衔镞M(jìn)行快速蒸發(fā)。這對(duì)于保證膜的成分，防止膜的分餾或分解也是極其有用的。激光蒸發(fā)鍍的缺點(diǎn)是制作大功率連續(xù)式激光器的成本較高，所以它的應(yīng)用范圍有一定的限制，導(dǎo)致其在工業(yè)中的普遍應(yīng)用有一定的限制。真空鍍膜機(jī)的優(yōu)點(diǎn):其封口性能好，尤其包裝粉末狀產(chǎn)品時(shí)，不會(huì)污染封口部分，保證了包裝的密封性能。

真空鍍膜的方法很多，計(jì)有：真空蒸鍍：將需鍍膜的基體清洗后放到鍍膜室，抽空后將膜料加熱到高溫，使蒸氣達(dá)到約13。3Pa而使蒸氣分子飛到基體表面，凝結(jié)而成薄膜。陰極濺射鍍：將需鍍膜的基體放在陰極對(duì)面，把惰性氣體(如氬)通入已抽空的室內(nèi)，保持壓強(qiáng)約1。33～13。3Pa，然后將陰極接上2000V的直流電源，便激發(fā)輝光放電，帶正電的氬離子撞擊陰極，使其射出原子，濺射出的原子通過(guò)惰性氣氛沉積到基體上形成膜?；瘜W(xué)氣相沉積：通過(guò)熱分解所選定的金屬化合物或有機(jī)化合物，獲得沉積薄膜的過(guò)程。離子鍍：實(shí)質(zhì)上離子鍍系真空蒸鍍和陰極濺射鍍的有機(jī)結(jié)合，兼有兩者的工藝特點(diǎn)。真空鍍膜設(shè)備膜層厚度過(guò)厚會(huì)帶一點(diǎn)黑色，但是是金屬本色黑色。平頂山來(lái)料真空鍍膜

真空鍍膜機(jī)新型表面功能覆層技術(shù)，其特點(diǎn)是保持基體材料固有的特征，又賦予表面化所要求的各種性能.廈門(mén)真空鍍膜

原子層沉積(atomiclayer deposition，ALD)技術(shù)，亦稱(chēng)原子層外延(atomiclayer epitaxy，ALE）技術(shù)，是一種基于有序、表面自飽和反應(yīng)的化學(xué)氣相薄膜沉積技術(shù)。原子層沉積技術(shù)起源于上世紀(jì)六七十年代，由前蘇聯(lián)科學(xué)家Aleskovskii和Koltsov報(bào)道，隨后，基于電致發(fā)光薄膜平板顯示器對(duì)高質(zhì)量ZnS: Mn薄膜材料的需求，由芬蘭Suntalo博士發(fā)展并完善。然而，受限于其復(fù)雜的表面化學(xué)過(guò)程等因素，原子層沉積技術(shù)在開(kāi)始并沒(méi)有取得較大發(fā)展，直到上世紀(jì)九十年代，隨著半導(dǎo)體工業(yè)的興起，對(duì)各種元器件尺寸，集成度等方面的要求越來(lái)越高，原子層沉積技術(shù)才迎來(lái)發(fā)展的黃金階段。進(jìn)入21世紀(jì)，隨著適應(yīng)各種制備需求的商品化ALD儀器的研制成功，無(wú)論在基礎(chǔ)研究還是實(shí)際應(yīng)用方面，原子層沉積技術(shù)都受到人們?cè)絹?lái)越多的關(guān)注。廈門(mén)真空鍍膜

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