來料真空鍍膜工藝流程

來源: 發(fā)布時間:2022-09-29

真空鍍膜:反應磁控濺射法:反應磁控濺射沉積過程中基板溫度一般不會有很大的升高,而且成膜過程通常也并不要求對基板進行很高溫度的加熱,因此對基板材料的限制較少。反應磁控濺射適于制備大面積均勻薄膜,并能實現(xiàn)單機年產(chǎn)上百萬平方米鍍膜的工業(yè)化生產(chǎn)。但是反應磁控濺射在20世紀90年代之前,通常使用直流濺射電源,因此帶來了一些問題,主要是靶中毒引起的打火和濺射過程不穩(wěn)定,沉積速率較低,膜的缺陷密度較高,這些都限制了它的應用發(fā)展。真空濺鍍可根據(jù)基材和靶材的特性直接濺射不用涂底漆。來料真空鍍膜工藝流程

來料真空鍍膜工藝流程,真空鍍膜

真空鍍膜:電子束蒸發(fā)法:電子束蒸發(fā)法是將蒸發(fā)材料放入水冷銅坩鍋中,直接利用電子束加熱,使蒸發(fā)材料氣化蒸發(fā)后凝結在基板表面形成膜,是真空蒸發(fā)鍍膜技術中的一種重要的加熱方法和發(fā)展方向。電子束蒸發(fā)克服了一般電阻加熱蒸發(fā)的許多缺點,特別適合制作熔點薄膜材料和高純薄膜材料。激光蒸發(fā)法:采用激光束蒸發(fā)源的蒸鍍技術是一種理想的薄膜制備方法。這是由于激光器是可以安裝在真空室之外,這樣不但簡化了真空室內(nèi)部的空間布置,減少了加熱源的放氣,而且還可完全避免了蒸發(fā)氣對被鍍材料的污染,達到了膜層純潔的目的。此外,激光加熱可以達到極高的溫度,利用激光束加熱能夠?qū)δ承┖辖鸹蚧衔镞M行快速蒸發(fā)。這對于保證膜的成分,防止膜的分餾或分解也是極其有用的。激光蒸發(fā)鍍的缺點是制作大功率連續(xù)式激光器的成本較高,所以它的應用范圍有一定的限制,導致其在工業(yè)中的普遍應用有一定的限制。沈陽小家電真空鍍膜真空鍍膜所采用的方法主要有蒸發(fā)鍍、濺射鍍、離子鍍、束流沉積鍍以及分子束外延等。

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磁控濺射可改變工作氣體與氬氣比例從而進行反應濺射,例如使用Si靶材,通入一定比例的N2,氬氣作為工作氣體,而氮氣作為反應氣體,反應能得到SiNx薄膜。通入氧氣與氮氣從而獲得各種材料的氧化物與氮化物薄膜,通過改變反應氣體與工作氣體的比例也能對濺射速率進行調(diào)整,薄膜內(nèi)組分也能相應調(diào)整。但反應氣體過量時可能會造成靶中毒。解決靶中毒主要有以下幾種方法;1.使用射頻電源進行濺射;2.采用閉環(huán)控制反應氣體通入流量;3.使用孿生靶交替濺射;4.控制鍍膜模式的變換:在鍍膜前,采集靶中毒的遲滯效應曲線,使進氣流量控制在產(chǎn)生靶中毒的前沿,確保工藝過程始終處于沉積速率陡降前的模式。

真空鍍膜:真空涂層技術的發(fā)展:真空涂層技術起步時間不長,國際上在上世紀六十年代才出現(xiàn)將CVD(化學氣相沉積)技術應用于硬質(zhì)合金刀具上。由于該技術需在高溫下進行(工藝溫度高于1000oC),涂層種類單一,局限性很大,起初并未得到推廣。到了上世紀七十年代末,開始出現(xiàn)PVD(物理的氣相沉積)技術,之后在短短的二、三十年間PVD涂層技術得到迅猛發(fā)展,究其原因:其在真空密封的腔體內(nèi)成膜,幾乎無任何環(huán)境污染問題,有利于環(huán)保;其能得到光亮、華貴的表面,在顏色上,成熟的有七彩色、銀色、透明色、金黃色、黑色、以及由金黃色到黑色之間的任何一種顏色,能夠滿足裝飾性的各種需要;可以輕松得到其他方法難以獲得的高硬度、高耐磨性的陶瓷涂層、復合涂層,應用在工裝、模具上面,可以使壽命成倍提高,較好地實現(xiàn)了低成本、收益的效果;此外,PVD涂層技術具有低溫、高能兩個特點,幾乎可以在任何基材上成膜,因此,應用范圍十分廣闊,其發(fā)展神速也就不足為奇。真空鍍膜中濺射鍍膜有很多種方式。

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真空鍍膜:多弧離子鍍:多弧離子鍍又稱作為電弧離子鍍,由于在陰極上有多個弧斑持續(xù)呈現(xiàn),所以稱作為“多弧”。多弧離子鍍的主要特點說明:陰極電弧蒸發(fā)離化源可從固體陰極直接產(chǎn)生等離子體,而不產(chǎn)生熔池,所以可以任意方位布置,也可采用多個蒸發(fā)離化源。鍍料的離化率高,一般達60%~90%,卓著提高與基體的結合力改善膜層的性能。沉積速率高,改善鍍膜的效率。設備結構簡單,弧電源工作在低電壓大電流工況,工作較為安全。廣東省科學院半導體研究所。真空鍍膜有蒸發(fā)鍍膜形式。來料真空鍍膜工藝流程

真空鍍膜機在集成電路制造中的應用:PVCD技術、真空蒸發(fā)金屬技術、磁控濺射技術和射頻濺射技術。來料真空鍍膜工藝流程

真空鍍膜的方法很多,計有:真空蒸鍍:將需鍍膜的基體清洗后放到鍍膜室,抽空后將膜料加熱到高溫,使蒸氣達到約13。3Pa而使蒸氣分子飛到基體表面,凝結而成薄膜。陰極濺射鍍:將需鍍膜的基體放在陰極對面,把惰性氣體(如氬)通入已抽空的室內(nèi),保持壓強約1。33~13。3Pa,然后將陰極接上2000V的直流電源,便激發(fā)輝光放電,帶正電的氬離子撞擊陰極,使其射出原子,濺射出的原子通過惰性氣氛沉積到基體上形成膜。化學氣相沉積:通過熱分解所選定的金屬化合物或有機化合物,獲得沉積薄膜的過程。離子鍍:實質(zhì)上離子鍍系真空蒸鍍和陰極濺射鍍的有機結合,兼有兩者的工藝特點。來料真空鍍膜工藝流程

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