激光直寫光刻工藝

來源: 發(fā)布時(shí)間:2023-03-14

不同波長(zhǎng)的光刻光源要求截然不同的光刻設(shè)備和光刻膠材料。在20世紀(jì)80年代,半導(dǎo)體制成的主流工藝尺寸在1.2um(1200nm)至0.8um(800nm)之間。那時(shí)候波長(zhǎng)436nm的光刻光源被普遍使用。在90年代前半期,隨著半導(dǎo)體制程工藝尺寸朝0.5um(500nm)和0.35um(350nm)演進(jìn),光刻開始采用365nm波長(zhǎng)光源。436nm和365nm光源分別是高壓汞燈中能量較高,波長(zhǎng)較短的兩個(gè)譜線。高壓汞燈技術(shù)成熟,因此較早被用來當(dāng)作光刻光源。使用波長(zhǎng)短,能量高的光源進(jìn)行光刻工藝更容易激發(fā)光化學(xué)反應(yīng)、提高光刻分別率。光刻噴嘴噴霧模式和硅片旋轉(zhuǎn)速度是實(shí)現(xiàn)硅片間溶解率和均勻性的可重復(fù)性的關(guān)鍵調(diào)節(jié)參數(shù)。激光直寫光刻工藝

激光直寫光刻工藝,光刻

光刻膠若性能不達(dá)標(biāo)會(huì)對(duì)芯片成品率造成重大影響。目前中國(guó)光刻膠國(guó)產(chǎn)化水平嚴(yán)重不足,重點(diǎn)技術(shù)差距在半導(dǎo)體光刻膠領(lǐng)域,有2-3代差距,隨著下游半導(dǎo)體行業(yè)、LED及平板顯示行業(yè)的快速發(fā)展,未來國(guó)內(nèi)光刻膠產(chǎn)品國(guó)產(chǎn)化替代空間巨大。同時(shí),國(guó)內(nèi)光刻膠企業(yè)積極抓住中國(guó)晶圓制造擴(kuò)產(chǎn)的百年機(jī)遇,發(fā)展光刻膠業(yè)務(wù),力爭(zhēng)早日追上國(guó)際先進(jìn)水平,打進(jìn)國(guó)內(nèi)新建晶圓廠的供應(yīng)鏈。光刻膠的國(guó)產(chǎn)化公關(guān)正在各方面展開,在面板屏顯光刻膠領(lǐng)域,中國(guó)已經(jīng)出現(xiàn)了一批有競(jìng)爭(zhēng)力的本土企業(yè)。在半導(dǎo)體和面板光刻膠領(lǐng)域,盡管國(guó)產(chǎn)光刻膠距離國(guó)際先進(jìn)水平仍然有差距,但是在政策的支持和自身的不懈努力之下,中國(guó)已經(jīng)有一批光刻膠企業(yè)陸續(xù)實(shí)現(xiàn)了技術(shù)突破。遼寧光刻廠商正性光刻膠主要應(yīng)用于腐蝕和刻蝕工藝,而負(fù)膠工藝主要應(yīng)用于剝離工藝。

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光刻膠要有極好的穩(wěn)定性和一致性,如果質(zhì)量稍微出點(diǎn)問題,損失將會(huì)是巨大的。去年2月,某半導(dǎo)體代工企業(yè)因?yàn)楣饪棠z的原因?qū)е戮A污染,報(bào)廢十萬片晶圓,直接導(dǎo)致5.5億美元的賬面損失。除了以上原因外,另一個(gè)重要原因是,經(jīng)過幾十年的發(fā)展,光刻膠已經(jīng)是一個(gè)相當(dāng)成熟且固化的產(chǎn)業(yè)。2010年光刻膠的**出現(xiàn)井噴,2013年之后,相關(guān)專利的申請(qǐng)已經(jīng)開始銳減。市場(chǎng)較小,技術(shù)壁壘又高,這意味著對(duì)于企業(yè)來說,發(fā)展光刻膠性價(jià)比不高,即便研發(fā)成功一款光刻膠,也要面臨較長(zhǎng)的認(rèn)證周期,需要與下游企業(yè)建立合作關(guān)系。

根據(jù)曝光方式的不同,光刻機(jī)主要分為接觸式,接近式以及投影式三種。接觸式光刻機(jī),曝光時(shí),光刻版壓在涂有光刻膠的襯底上,優(yōu)點(diǎn)是設(shè)備簡(jiǎn)單,分辨率高,沒有衍射效應(yīng),缺點(diǎn)是光刻版與涂有光刻膠的晶圓片直接接觸,每次接觸都會(huì)在晶圓片和光刻版上產(chǎn)生缺陷,降低光刻版使用壽命,成品率低。接近式光刻機(jī),光刻版與光刻膠有一個(gè)很小的縫隙,因?yàn)楣饪贪媾c襯底沒有接觸,缺陷減少,優(yōu)點(diǎn)是避免晶圓片與光刻版直接接觸,缺陷少,缺點(diǎn)是分辨率低,存在衍射效應(yīng)。投影式曝光,一般光學(xué)系統(tǒng)將掩模版上的圖像縮小4x或5x倍,聚焦并與硅片上已有的圖形對(duì)準(zhǔn)后曝光,每次曝光一小部分,曝完一個(gè)圖形后,硅片移動(dòng)到下一個(gè)曝光位置繼續(xù)對(duì)準(zhǔn)曝光,這種曝光方式分辨率比較高,但不產(chǎn)生缺陷。光刻版就是在蘇打材料通過光刻、刻蝕等工藝在表面使用鉻金屬做出我們所需要的圖形。

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敏感度決定了光刻膠上產(chǎn)生一個(gè)良好的圖形所需一定波長(zhǎng)光的較小能量值。抗蝕性決定了光刻膠作為覆蓋物在后續(xù)刻蝕或離子注入工藝中,不被刻蝕或抗擊離子轟擊,從而保護(hù)被覆蓋的襯底。光刻膠依據(jù)不同的產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行分類:按照化學(xué)反應(yīng)和顯影的原理,光刻膠可分為正性光刻膠和負(fù)性光刻膠。如果顯影時(shí)未曝光部分溶解于顯影液,形成的圖形與掩膜版相反,稱為負(fù)性光刻膠;如果顯影時(shí)曝光部分溶解于顯影液,形成的圖形與掩膜版相同,稱為正性光刻膠。根據(jù)感光樹脂的化學(xué)結(jié)構(gòu)來分類,光刻膠可以分為光聚合型、光分解型和光交聯(lián)型三種類別。光刻膠是微電子技術(shù)中微細(xì)圖形加工的關(guān)鍵材料之一。吉林硅片光刻

接觸式曝光和非接觸式曝光的區(qū)別,在于曝光時(shí)掩模與晶片間相對(duì)關(guān)系是貼緊還是分開。激光直寫光刻工藝

電子元器件是構(gòu)成電子信息系統(tǒng)的基本功能單元,是各種電子元件、器件、模塊、部件、組件的統(tǒng)稱,同時(shí)還涵蓋與上述電子元器件結(jié)構(gòu)與性能密切相關(guān)的封裝外殼、電子功能材料等。中國(guó)微納加工技術(shù)服務(wù),真空鍍膜技術(shù)服務(wù),紫外光刻技術(shù)服務(wù),材料刻蝕技術(shù)服務(wù)行業(yè)協(xié)會(huì)秘書長(zhǎng)古群表示 5G 時(shí)代下微納加工技術(shù)服務(wù),真空鍍膜技術(shù)服務(wù),紫外光刻技術(shù)服務(wù),材料刻蝕技術(shù)服務(wù)產(chǎn)業(yè)面臨的機(jī)遇與挑戰(zhàn)。認(rèn)為,在當(dāng)前不穩(wěn)定的國(guó)際貿(mào)易關(guān)系局勢(shì)下,通過 2018—2019 年中國(guó)電子元件行業(yè)發(fā)展情況可以看到,被美國(guó)加征關(guān)稅的微納加工技術(shù)服務(wù),真空鍍膜技術(shù)服務(wù),紫外光刻技術(shù)服務(wù),材料刻蝕技術(shù)服務(wù)產(chǎn)品的出口額占電子元件出口總額的比重只有 10%。根據(jù)近幾年的數(shù)據(jù)顯示,中國(guó)已然成為世界極大的電子元器件市場(chǎng),每年的進(jìn)口額高達(dá)2300多億美元,超過石油進(jìn)口金額。但是根本的痛點(diǎn)仍然沒有得到解決——眾多的****企業(yè),資歷不深缺少金錢,缺乏人才,渠道和供應(yīng)鏈也是缺少,而其中困惱還是忠實(shí)用戶的數(shù)量。當(dāng)前國(guó)內(nèi)微納加工技術(shù)服務(wù),真空鍍膜技術(shù)服務(wù),紫外光刻技術(shù)服務(wù),材料刻蝕技術(shù)服務(wù)行業(yè)發(fā)展迅速,我國(guó) 5G 產(chǎn)業(yè)發(fā)展已走在世界前列,但在整體產(chǎn)業(yè)鏈布局方面,我國(guó)企業(yè)主要處于產(chǎn)業(yè)鏈的中下游。在產(chǎn)業(yè)鏈上游,尤其是微納加工技術(shù)服務(wù),真空鍍膜技術(shù)服務(wù),紫外光刻技術(shù)服務(wù),材料刻蝕技術(shù)服務(wù)和器件等重點(diǎn)環(huán)節(jié),技術(shù)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展水平遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于國(guó)外。激光直寫光刻工藝

廣東省半導(dǎo)體所,2016-04-07正式啟動(dòng),成立了微納加工技術(shù)服務(wù),真空鍍膜技術(shù)服務(wù),紫外光刻技術(shù)服務(wù),材料刻蝕技術(shù)服務(wù)等幾大市場(chǎng)布局,應(yīng)對(duì)行業(yè)變化,順應(yīng)市場(chǎng)趨勢(shì)發(fā)展,在創(chuàng)新中尋求突破,進(jìn)而提升芯辰實(shí)驗(yàn)室,微納加工的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力,把握市場(chǎng)機(jī)遇,推動(dòng)電子元器件產(chǎn)業(yè)的進(jìn)步。廣東省半導(dǎo)體所經(jīng)營(yíng)業(yè)績(jī)遍布國(guó)內(nèi)諸多地區(qū)地區(qū),業(yè)務(wù)布局涵蓋微納加工技術(shù)服務(wù),真空鍍膜技術(shù)服務(wù),紫外光刻技術(shù)服務(wù),材料刻蝕技術(shù)服務(wù)等板塊。同時(shí),企業(yè)針對(duì)用戶,在微納加工技術(shù)服務(wù),真空鍍膜技術(shù)服務(wù),紫外光刻技術(shù)服務(wù),材料刻蝕技術(shù)服務(wù)等幾大領(lǐng)域,提供更多、更豐富的電子元器件產(chǎn)品,進(jìn)一步為全國(guó)更多單位和企業(yè)提供更具針對(duì)性的電子元器件服務(wù)。公司坐落于長(zhǎng)興路363號(hào),業(yè)務(wù)覆蓋于全國(guó)多個(gè)省市和地區(qū)。持續(xù)多年業(yè)務(wù)創(chuàng)收,進(jìn)一步為當(dāng)?shù)亟?jīng)濟(jì)、社會(huì)協(xié)調(diào)發(fā)展做出了貢獻(xiàn)。