陽江真空鍍膜工藝流程

PECVD系統(tǒng)的氣源幾乎都是由氣體鋼瓶供氣，這些鋼瓶被放置在有許多安全保護裝置的氣柜中，通過氣柜上的控制面板、管道輸送到PECVD的工藝腔體中。在淀積時，反應氣體的多少會影響淀積的速率及其均勻性等，因此需要嚴格控制氣體流量，通常采用質量流量計來實現(xiàn)精確控制。PECVD反應過程中，反應氣體從進氣口進入爐腔，逐漸擴散至襯底表面，在射頻源激發(fā)的電場作用下，反應氣體分解成電子、離子和活性基團等。分解物發(fā)生化學反應，生成形成膜的初始成分和副反應物，這些生成物以化學鍵的形式吸附到樣品表面，生成固態(tài)膜的晶核，晶核逐漸生長成島狀物，島狀物繼續(xù)生長成連續(xù)的薄膜。在薄膜生長過程中，各種副產(chǎn)物從膜的表面逐漸脫離，在真空泵的作用下從出口排出。廣義的真空鍍膜還包括在金屬或非金屬材料表面真空蒸鍍聚合物等非金屬功能性薄膜。陽江真空鍍膜工藝流程

真空鍍膜：真空濺射法：真空濺射法是物理的氣相沉積法中的后起之秀。隨著高純靶材料和高純氣體制備技術的發(fā)展，濺射鍍膜技術飛速發(fā)展，在多元合金薄膜的制備方面顯示出獨到之處。其原理為：稀薄的空氣在異常輝光放電產(chǎn)生的等離子體在電場的作用下，對陰極靶材料表面進行轟擊，把靶材料表面的分子、原子、離子及電子等濺射出來，被濺射出來的粒子帶有一定的動能，沿一定的方法射向基體表面，在基體表面形成鍍層。特點為：鍍膜層與基材的結合力強；鍍膜層致密、均勻；設備簡單，操作方便，容易控制。主要的濺射方法有直流濺射、射頻濺射、磁控濺射等。目前應用較多的是磁控濺射法。貴陽UV光固化真空鍍膜真空鍍膜機、真空鍍膜設備爐門采用懸垂吊掛式平移結構，便于爐外料車與爐內輥軸的對接傳遞，減少占地空間。

真空鍍膜：真空涂層技術發(fā)展到了現(xiàn)在還出現(xiàn)了PCVD（物理化學氣相沉積）、MT-CVD（中溫化學氣相沉積）等新技術，各種涂層設備、各種涂層工藝層出不窮。目前較為成熟的PVD方法主要有多弧鍍與磁控濺射鍍兩種方式。多弧鍍設備結構簡單，容易操作。多弧鍍的不足之處是，在用傳統(tǒng)的DC電源做低溫涂層條件下，當涂層厚度達到0。3um時，沉積率與反射率接近，成膜變得非常困難。而且，薄膜表面開始變朦。多弧鍍另一個不足之處是，由于金屬是熔后蒸發(fā)，因此沉積顆粒較大，致密度低，耐磨性比磁控濺射法成膜差?？梢?，多弧鍍膜與磁控濺射法鍍膜各有優(yōu)劣，為了盡可能地發(fā)揮它們各自的優(yōu)越性，實現(xiàn)互補，將多弧技術與磁控技術合而為一的涂層機應運而生。在工藝上出現(xiàn)了多弧鍍打底，然后利用磁控濺射法增厚涂層，較后再利用多弧鍍達到較終穩(wěn)定的表面涂層顏色的新方法。

PECVD( Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)等離子增強化學氣相沉積，等離子體是物質分子熱運動加劇，相互間的碰撞會導致氣體分子產(chǎn)生電離，物質就會變成自由運動并由相互作用的正離子、電子和中性粒子組成的混合物。使用等離子體增強氣相沉積法（PECVD）可在低溫（200-350℃）沉積出良好的氧化硅薄膜，已被廣泛應用于半導體器件工藝當中。在LED工藝當中，因為PECVD生長出的氧化硅薄膜具有結構致密，介電強度高、硬度大等優(yōu)點，而且氧化硅薄膜對可見光波段吸收系數(shù)很小，所以氧化硅被用于芯片的絕緣層和鈍化層。真空鍍膜技術是一種新穎的材料合成與加工的新技術，是表面工程技術領域的重要組成部分。

電子束蒸發(fā)是基于鎢絲的蒸發(fā)。大約 5 到 10 kV 的電流通過鎢絲（位于沉積區(qū)域外以避免污染）并將其加熱到發(fā)生電子熱離子發(fā)射的點。使用永磁體或電磁體將電子聚焦并導向蒸發(fā)材料（放置在坩堝中）。在電子束撞擊蒸發(fā)丸表面的過程中，其動能轉化為熱量，釋放出高能量（每平方英寸數(shù)百萬瓦以上）。因此，容納蒸發(fā)材料的爐床必須水冷以避免熔化。電子束蒸發(fā)設備結構簡單，成本低廉，而且可以蒸發(fā)高熔點材料，在蒸鍍合金時可以實現(xiàn)快速蒸發(fā)，避免合金的分餾，其鍍膜質量也可以達到較高水平，可以廣泛應用于激光器腔面鍍膜以及玻璃等各種光學材料表面鍍膜，是一種可易于實現(xiàn)大批量生產(chǎn)的成熟鍍膜技術。真空鍍膜技術是利用物理、化學手段將固體表面涂覆一層特殊性能的鍍膜。貴陽UV光固化真空鍍膜

真空鍍膜機的優(yōu)點:可以通過涂料處理形成彩色膜，其裝潢效果是鋁箔所不及的。陽江真空鍍膜工藝流程

真空鍍膜：離子鍍特點：離子鍍是物理的氣相沉積方法中應用較普遍的一種鍍膜工藝。離子鍍的基本特點是采用某種方法（如電子束蒸發(fā)磁控濺射，或多弧蒸發(fā)離化等）使中性粒子電離成離子和電子，在基體上必須施加負偏壓，從而使離子對基體產(chǎn)生轟擊，適當降低負偏壓后使離子進而沉積于基體成膜，適用于高速鋼工具，熱鍛模等材料的表面處理過程。離子鍍的優(yōu)點如下：膜層和基體結合力強，反應溫度低。膜層均勻，致密。在負偏壓作用下繞鍍性好。無污染。多種基體材料均適合于離子鍍。陽江真空鍍膜工藝流程

廣東省科學院半導體研究所正式組建于2016-04-07，將通過提供以微納加工技術服務，真空鍍膜技術服務，紫外光刻技術服務，材料刻蝕技術服務等服務于于一體的組合服務。業(yè)務涵蓋了微納加工技術服務，真空鍍膜技術服務，紫外光刻技術服務，材料刻蝕技術服務等諸多領域，尤其微納加工技術服務，真空鍍膜技術服務，紫外光刻技術服務，材料刻蝕技術服務中具有強勁優(yōu)勢，完成了一大批具特色和時代特征的電子元器件項目；同時在設計原創(chuàng)、科技創(chuàng)新、標準規(guī)范等方面推動行業(yè)發(fā)展。隨著我們的業(yè)務不斷擴展，從微納加工技術服務，真空鍍膜技術服務，紫外光刻技術服務，材料刻蝕技術服務等到眾多其他領域，已經(jīng)逐步成長為一個獨特，且具有活力與創(chuàng)新的企業(yè)。廣東省科學院半導體研究所業(yè)務范圍涉及面向半導體光電子器件、功率電子器件、MEMS、生物芯片等前沿領域，致力于打造***的公益性、開放性、支撐性樞紐中心。平臺擁有半導體制備工藝所需的整套儀器設備，建立了一條實驗室研發(fā)線和一條中試線，加工尺寸覆蓋2-6英寸（部分8英寸），同時形成了一支與硬件有機結合的專業(yè)人才隊伍。平臺當前緊抓技術創(chuàng)新和公共服務，面向國內外高校、科研院所以及企業(yè)提供開放共享，為技術咨詢、創(chuàng)新研發(fā)、技術驗證以及產(chǎn)品中試提供支持。等多個環(huán)節(jié)，在國內電子元器件行業(yè)擁有綜合優(yōu)勢。在微納加工技術服務，真空鍍膜技術服務，紫外光刻技術服務，材料刻蝕技術服務等領域完成了眾多可靠項目。