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合封電子、芯片合封和SiP系統(tǒng)級(jí)封裝經(jīng)常被提及的概念。但它們是三種不同的技術(shù),還是同一種技術(shù)的不同稱呼?本文將幫助我們更好地理解它們的差異。合封電子與SiP系統(tǒng)級(jí)封裝的定義,首先合封電子和芯片合封都是一個(gè)意思合封電子是一種將多個(gè)芯片(多樣選擇)或不同的功能的電子模塊(LDO、充電芯片、射頻芯片、mos管)封裝在一起的定制化芯片,從而形成一個(gè)系統(tǒng)或者子系統(tǒng)。以實(shí)現(xiàn)更復(fù)雜、更高效的任務(wù)。云茂電子可定制組成方式包括CoC封裝技術(shù)、SiP封裝技術(shù)等。隨著SiP模塊成本的降低,且制造工藝效率和成熟度的提高。貴州WLCSP封裝測(cè)試
硅中介層具有TSV集成方式為2.5D集成技術(shù)中較為普遍的方式,芯片一般用MicroBump與中介層連接,硅基板做中介層使用Bump與基板連接,硅基板的表面采用RDL接線,TSV是硅基板上、下表面的電連接通道,該2.5D集成方式適用于芯片尺寸相對(duì)較大的場(chǎng)合,當(dāng)引腳密度較大時(shí),通常采用Flip Chip方式將Die鍵合到硅基板中。硅中介層無(wú)TSV的2.5D集成結(jié)構(gòu)一般如下圖所示,有一顆面積較大的裸芯片直接安裝在基板上,該芯片和基板的連接可以采用Bond Wire 或者Flip Chip兩種方式。大芯片上方由于面積較大,可以安裝多個(gè)較小的裸芯片,但是小芯片無(wú)法直接連接到基板,所以需要插入一塊中介層,若干裸芯片安裝于中介層之上,中介層具有RDL布線可以從中介層邊緣引出芯片信號(hào),再經(jīng)Bond Wire 與基板相連。這種中介層一般無(wú)需TSV,只需在interposer的上層布線來(lái)實(shí)現(xiàn)電氣互連,interposer采用Bond Wire和封裝基板連接。陶瓷封裝定制價(jià)格SiP可以說(shuō)是先進(jìn)的封裝技術(shù)、表面安裝技術(shù)、機(jī)械裝配技術(shù)的融合。
系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)技術(shù)種類繁多,裸片與無(wú)源器件貼片,植球——將焊錫球置于基板焊盤上,用于電氣連接,回流焊接(反面)——通過(guò)控制加溫熔化焊料達(dá)到器件與基板間的,鍵合,塑封(Molding)——注入塑封材料包裹和保護(hù)裸片及器件,減薄——通過(guò)研磨將多余的塑封材料去除,BGA植球——進(jìn)行成品的BGA(球柵陣列封裝)植球,切割——將整塊基板切割為多個(gè)SiP成品。通過(guò)測(cè)試后的芯片成品,將被集成在各類智能產(chǎn)品內(nèi),較終應(yīng)用在智能生活的各個(gè)領(lǐng)域。
突破「微小化」競(jìng)爭(zhēng)格局,憑借異質(zhì)整合微小化優(yōu)勢(shì),系統(tǒng)級(jí)封裝能集成不同制程技術(shù)節(jié)點(diǎn) (technology node),不同功能、不同供貨商,甚至是不同半導(dǎo)體原材料的組件,整體可為產(chǎn)品節(jié)省約30-40%的空間,也能依據(jù)需求客制模塊外型并一定程度簡(jiǎn)化系統(tǒng)主板設(shè)計(jì),讓主板、天線及機(jī)構(gòu)的設(shè)計(jì)整合上更加有彈性。同時(shí),相較于IC制程的開(kāi)發(fā)限制,系統(tǒng)整合模塊可以在系統(tǒng)等級(jí)功能就先進(jìn)行驗(yàn)證與認(rèn)證,加速終端產(chǎn)品開(kāi)發(fā),集中系統(tǒng)產(chǎn)品研發(fā)資源。 SiP技術(shù)是全球封測(cè)業(yè)者較看重的焦點(diǎn),系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)技術(shù)的突破正在影響產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈、改變競(jìng)爭(zhēng)格局。云茂電子從Wi-Fi模塊產(chǎn)品就開(kāi)始進(jìn)行布局、站穩(wěn)腳步,積累多年在射頻、穿戴式裝置等產(chǎn)品的豐富制程經(jīng)驗(yàn),透過(guò)「一站式系統(tǒng)級(jí)封裝服務(wù)」協(xié)助客戶實(shí)現(xiàn)構(gòu)想。 SiP 封裝采用超薄的芯片堆疊與TSV技術(shù)使得多層芯片的堆疊封裝體積減小。
SIP工藝解析:表面打標(biāo),打標(biāo)就是在封裝模塊的頂表面印上去不掉的、字跡清楚的字母和標(biāo)識(shí),包括制造商的信息、國(guó)家、器件代碼等,主要介紹激光印碼。測(cè)試,它利用測(cè)試設(shè)備(Testing Equipment)以及自動(dòng)分選器(Handler),測(cè)定封裝IC的電氣特性,把良品、不良品區(qū)分開(kāi)來(lái);對(duì)某些產(chǎn)品,還要根據(jù)測(cè)試結(jié)果進(jìn)行良品的分級(jí)。測(cè)試按功能可分為DC測(cè)試(直流特性)、AC測(cè)試(交流特性或timing特性)及FT測(cè)試(邏輯功能測(cè)試)三大類。同時(shí)還有一些輔助工序,如BT老化、插入、拔出、實(shí)裝測(cè)試、電容充放電測(cè)試等。SiP整體制程囊括了著晶、打線、主/被動(dòng)組件SMT及塑封技術(shù)。甘肅芯片封裝市場(chǎng)價(jià)格
SIP模組能夠減少倉(cāng)庫(kù)備料的項(xiàng)目及數(shù)量,簡(jiǎn)化生產(chǎn)的步驟。貴州WLCSP封裝測(cè)試
SiP 封裝優(yōu)勢(shì):1)短產(chǎn)品研制和投放市場(chǎng)的周期,SiP在對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行功能分析和劃分后,可充分利用商品化生產(chǎn)的芯片資源,經(jīng)過(guò)合理的電路互連結(jié)構(gòu)及封裝設(shè)計(jì),易于修改、生產(chǎn),力求以較佳方式和較低成本達(dá)到系統(tǒng)的設(shè)計(jì)性能,無(wú)需像SoC那樣進(jìn)行版圖級(jí)布局布線,從而減少了設(shè)計(jì)、驗(yàn)證、調(diào)試的復(fù)雜性與系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的時(shí)間,可比SoC節(jié)省更多的系統(tǒng)設(shè)計(jì)和生產(chǎn)費(fèi)用,投放市場(chǎng)的時(shí)間至少可減少1/4。2)所有元件在一個(gè)封裝殼體內(nèi),縮短了電路連接,見(jiàn)笑了阻抗、射頻、熱等損耗影響。提高了光,電等信號(hào)的性能。貴州WLCSP封裝測(cè)試