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SOT (Small Outline Transistor):SOT 封裝是一種塑料封裝方式,通常用于低頻、低功率的場(chǎng)合。它由一個(gè)塑料外殼和多個(gè)引腳組成,外形類(lèi)似于一個(gè)透明的方形或圓形盒。SOT 封裝的優(yōu)點(diǎn)是體積小、重量輕、安裝方便,缺點(diǎn)是散熱性能較差。應(yīng)用情況:主要用于低頻、低功率的場(chǎng)合,如電子玩具、家電產(chǎn)品等。SOP (Small Outline Package),SOP 封裝是一種塑料封裝方式,通常用于低頻、低功率的場(chǎng)合。它由一個(gè)塑料外殼和多個(gè)引腳組成,外形類(lèi)似于一個(gè)扁平的方形或圓形盒。SOP 封裝的優(yōu)點(diǎn)是體積小、重量輕、安裝方便,缺點(diǎn)是散熱性能較差。應(yīng)用情況:主要用于低頻、低功率的場(chǎng)合,如電子玩具、家電產(chǎn)品等。BOX封裝是一種大功率半導(dǎo)體器件的封裝形式。貴州專(zhuān)業(yè)特種封裝供應(yīng)
集成電路包括IDM和垂直分工兩種模式,目前垂直分工模式逐漸崛起。IDM作為垂直產(chǎn)業(yè)鏈一體化模式,由一家廠商完成設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)三個(gè)環(huán)節(jié),表示廠商包括英特爾、三星、德州儀器、意法半導(dǎo)體等。垂直分工模式下三個(gè)環(huán)節(jié)分別由專(zhuān)門(mén)的廠商完成,全球IC設(shè)計(jì)企業(yè)包括高通、博通、聯(lián)發(fā)科、華為海思等;IC制造企業(yè)主要有臺(tái)積電、中芯國(guó)際等;IC封裝測(cè)試企業(yè)主要有日月光、安靠、長(zhǎng)電科技、通富微電、華天科技、晶方科技等。由于集成電路行業(yè)投資巨大,垂直分工模式下企業(yè)能夠降低運(yùn)營(yíng)和研發(fā)風(fēng)險(xiǎn),隨著fabless模式在集成電路領(lǐng)域興起,垂直分工模式逐漸崛起。甘肅半導(dǎo)體芯片特種封裝價(jià)格大模塊金屬封裝的逐步普及和應(yīng)用,為工業(yè)自動(dòng)化和能源節(jié)約提供了可靠的技術(shù)支持。
蝶形封裝,蝶形封裝在外觀上殼體通常為長(zhǎng)方體,其上含有雙列直插引腳,結(jié)構(gòu)及實(shí)現(xiàn)功能通常比較復(fù)雜,可以?xún)?nèi)置制冷器、熱沉、陶瓷基塊、芯片、熱敏電阻、背光監(jiān)控,并且可以支持所有以上部件的鍵合引線,殼體面積大,散熱好,可以用于各種速率及80km長(zhǎng)距離傳輸。如圖3所示的多種尺寸的蝶形封裝示例。對(duì)于蝶形封裝元器件,可采用GHJ-4單頭平行焊機(jī)或者GHJ-5大模塊平行滾焊機(jī)進(jìn)行封裝,具體使用哪種型號(hào)焊機(jī)進(jìn)行封裝需要根據(jù)蝶形封裝尺寸進(jìn)行選擇。
QFN、DQFN封裝,TO:晶體管外形封裝,TO252和TO263就是表面貼裝封裝。其中TO-252又稱(chēng)之為D-PAK,TO-263又稱(chēng)之為D2PAK。還有TO-220(目前主流的直插式封裝)SOT(小功率MOSFET,比TO封裝尺寸小):小外形晶體管封裝,LFPAK56(SOT669):恩智浦(原Philps)對(duì)SO(P)-8封裝技術(shù)改進(jìn)為L(zhǎng)FPAK和QLPAK。其中LFPAK被認(rèn)為是世界上高度可靠的功率SO-8封裝;而QLPAK具有體積小、散熱效率更高的特點(diǎn),與普通SO-8相比,QLPAK占用PCB板的面積為6*5mm,同時(shí)熱阻為1.5k/W。SMD封裝尺寸小、重量輕、性能優(yōu)異、可自動(dòng)化生產(chǎn)等特點(diǎn),適用于通信、計(jì)算機(jī)等高密度集成電路。
IGBT封裝工藝流程:1、超聲波清洗:通過(guò)清洗劑對(duì)焊接完成后的DBC半成品進(jìn)行清洗,以保證IGBT芯片表面潔凈度滿(mǎn)足鍵合打線要求求。2、X-RAY缺陷檢測(cè):通過(guò)X光檢測(cè)篩選出空洞大小符合標(biāo)準(zhǔn)的半成品,防止不良品流入下一道工序;3、自動(dòng)鍵合:通過(guò)鍵合打線,IGBT芯片打線將各個(gè)IGBT芯片或DBC間連結(jié)起來(lái),形成完整的電路結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體鍵合AOI主要應(yīng)用于WB段后的檢測(cè),可為IGBT生產(chǎn)提供焊料、焊線、焊點(diǎn)、DBC表面、芯片表面、插針等全方面的檢測(cè)。4、激光打標(biāo):對(duì)IGBT模塊殼體表面進(jìn)行激光打標(biāo),標(biāo)明產(chǎn)品型號(hào)、日期等信息;8、殼體塑封:對(duì)殼體進(jìn)行點(diǎn)膠并加裝底板,起到粘合底板的作用;5、功率端子鍵合;6、殼體灌膠與固化:對(duì)殼體內(nèi)部進(jìn)行加注A、B膠并抽真空,高溫固化 ,達(dá)到絕緣保護(hù)作用;7、封裝、端子成形:對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行加裝頂蓋并對(duì)端子進(jìn)行折彎成形;8、功能測(cè)試:對(duì)成形后產(chǎn)品進(jìn)行高低溫沖擊檢驗(yàn)、老化檢驗(yàn)后,測(cè)試IGBT靜態(tài)參數(shù)、動(dòng)態(tài)參數(shù)以符合出廠標(biāo)準(zhǔn) IGBT 模塊成品。常見(jiàn)的七種 MOS 管封裝類(lèi)型:DIP、TO、PGA、D-PAK、SOT、SOP 和 QFP。貴州PCBA板特種封裝供應(yīng)
云茂電子具有封裝工藝流程、模具、治具等設(shè)計(jì)能力和經(jīng)驗(yàn),并且能夠滿(mǎn)足客戶(hù)可靠性要求。貴州專(zhuān)業(yè)特種封裝供應(yīng)
IGBT模塊的封裝技術(shù)難度高,高可靠性設(shè)計(jì)和封裝工藝控制是其技術(shù)難點(diǎn)。IGBT模塊具有使用時(shí)間長(zhǎng)的特點(diǎn),汽車(chē)級(jí)模塊的使用時(shí)間可達(dá)15年。因此在封裝過(guò)程中,模塊對(duì)產(chǎn)品的可靠性和質(zhì)量穩(wěn)定性要求非常高。高可靠性設(shè)計(jì)需要考慮材料匹配、高效散熱、低寄生參數(shù)、高集成度。 封裝工藝控制包括低空洞率焊接/燒結(jié)、高可靠互連、ESD防護(hù)、老化篩選等,生產(chǎn)中一個(gè)看似簡(jiǎn)單的環(huán)節(jié)往往需要長(zhǎng)時(shí)間摸索才能熟練掌握,如鋁線鍵合,表面看只需把電路用鋁線連接起來(lái),但鍵合點(diǎn)的選擇、鍵合的力度、時(shí)間及鍵合機(jī)的參數(shù)設(shè)置、鍵合過(guò)程中應(yīng)用的夾具設(shè)計(jì)、員工操作方式等等都會(huì)影響到產(chǎn)品的質(zhì)量和成品率。貴州專(zhuān)業(yè)特種封裝供應(yīng)