河南半導(dǎo)體芯片封裝技術(shù)

SiP系統(tǒng)級(jí)封裝作為一種集成封裝技術(shù)，在滿足多種先進(jìn)應(yīng)用需求方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用。以其更小、薄、輕和更多功能的競(jìng)爭(zhēng)力，為芯片和器件整合提供了新的可能性，目前其主要應(yīng)用領(lǐng)域?yàn)樯漕l／無(wú)線應(yīng)用、移動(dòng)通信、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、計(jì)算機(jī)和外設(shè)、數(shù)碼產(chǎn)品、圖像、生物和MEMS傳感器等。固晶貼片機(jī)（Die bonder），是封裝過(guò)程中的芯片貼裝（Die attach）的主要設(shè)備。隨著SiP系統(tǒng)級(jí)封裝、3D封裝等先進(jìn)封裝的普及，對(duì)固晶機(jī)設(shè)備在性能方面提出了更高的需求。SiP系統(tǒng)級(jí)封裝作為一種集成封裝技術(shù)，在滿足多種先進(jìn)應(yīng)用需求方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用。河南半導(dǎo)體芯片封裝技術(shù)

SiP還具有以下更多優(yōu)勢(shì)：小型化 – 半導(dǎo)體制造的一個(gè)極具影響力的元素是不斷小型化的能力。這一事實(shí)在物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備和小工具的新時(shí)代變得越來(lái)越重要。但是，當(dāng)系統(tǒng)中只有幾個(gè)組件可以縮小時(shí)，維護(hù)起來(lái)變得越來(lái)越困難。SiP在這里大放異彩，因?yàn)樗梢蕴峁└玫男酒珊透o密的無(wú)源集成。通過(guò)這種方式，SiP方法可以將給定系統(tǒng)的整體尺寸減小多達(dá)65%。簡(jiǎn)化 – SiP方法允許芯片設(shè)計(jì)人員使用更抽象的構(gòu)建模塊，從而具有更高的周轉(zhuǎn)率和整體更短的設(shè)計(jì)周期的優(yōu)勢(shì)。此外，BOM也得到了簡(jiǎn)化，從而減少了對(duì)已經(jīng)經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的模塊的測(cè)試。河南半導(dǎo)體芯片封裝技術(shù)SiP封裝通常在一塊大的基板上進(jìn)行，每塊基板可以制造幾十到幾百顆SiP成品。

合封電子的功能，性能提升，合封電子：通過(guò)將多個(gè)芯片或模塊封裝在一起，云茂電子可以明顯提高數(shù)據(jù)處理速度和效率。由于芯片之間的連接更緊密，數(shù)據(jù)傳輸速度更快，從而提高了整體性能。穩(wěn)定性增強(qiáng)，合封電子：由于多個(gè)芯片共享一些共同的功能模塊，以及更緊密的集成方式，云茂電子可以減少故障率。功耗降低、開(kāi)發(fā)簡(jiǎn)單，合封電子：由于多個(gè)芯片共享一些共同的功能模塊，以及更緊密的集成方式，云茂電子可以降低整個(gè)系統(tǒng)的功耗。此外，通過(guò)優(yōu)化內(nèi)部連接和布局，可以進(jìn)一步降低功耗。防抄襲，多個(gè)芯片和元器件模塊等合封在一起，就算被采購(gòu)，也無(wú)法模仿抄襲。

2.5D SIP，2.5D本身是一種在客觀世界并不存在的維度，因?yàn)槠浼擅芏瘸搅?D，但又達(dá)不到3D集成密度，取其折中，因此被稱為2.5D。其中的表示技術(shù)包括英特爾的EMIB、臺(tái)積電的CoWos、三星的I-Cube。在先進(jìn)封裝領(lǐng)域，2.5D是特指采用了中介層（interposer）的集成方式，中介層目前多采用硅材料，利用其成熟的工藝和高密度互連的特性。物理結(jié)構(gòu)：所有芯片和無(wú)源器件均在XY平面上方，至少有部分芯片和無(wú)源器件安裝在中介層上，在XY平面的上方有中介層的布線和過(guò)孔，在XY平面的下方有基板的布線和過(guò)孔。電氣連接：中介層可提供位于中介層上芯片的電氣連接。雖然理論上講，中介層可以有TSV也可以沒(méi)有TSV，但在進(jìn)行高密度互連時(shí)，TSV幾乎是不可或缺的，中介層中的TSV通常被稱為2.5D TSV。不同的芯片，排列方式，與不同內(nèi)部結(jié)合技術(shù)搭配，使SiP 的封裝形態(tài)產(chǎn)生多樣化的組合。

SIP工藝解析：表面打標(biāo)，打標(biāo)就是在封裝模塊的頂表面印上去不掉的、字跡清楚的字母和標(biāo)識(shí)，包括制造商的信息、國(guó)家、器件代碼等，主要介紹激光印碼。測(cè)試，它利用測(cè)試設(shè)備(Testing Equipment)以及自動(dòng)分選器(Handler)，測(cè)定封裝IC的電氣特性，把良品、不良品區(qū)分開(kāi)來(lái);對(duì)某些產(chǎn)品，還要根據(jù)測(cè)試結(jié)果進(jìn)行良品的分級(jí)。測(cè)試按功能可分為DC測(cè)試(直流特性)、AC測(cè)試(交流特性或timing特性)及FT測(cè)試(邏輯功能測(cè)試)三大類。同時(shí)還有一些輔助工序，如BT老化、插入、拔出、實(shí)裝測(cè)試、電容充放電測(cè)試等。SiP 實(shí)現(xiàn)是系統(tǒng)的集成。陜西模組封裝測(cè)試

SIP工藝流程劃分，SIP封裝制程按照芯片與基板的連接方式可分為引線鍵合封裝和倒裝焊兩種。河南半導(dǎo)體芯片封裝技術(shù)

SiP整體制程囊括了著晶、打線、主/被動(dòng)組件SMT及塑封技術(shù)，封裝成型可依據(jù)客戶設(shè)計(jì)制作不同形狀模塊，甚至是3D立體結(jié)構(gòu)，藉此可將整體尺寸縮小，預(yù)留更大空間放置電池，提供更大電力儲(chǔ)存，延長(zhǎng)產(chǎn)品使用時(shí)間，但功能更多、速度更快，因此特別適用于射頻相關(guān)應(yīng)用如5G毫米波模塊、穿戴式裝置及汽車電子等領(lǐng)域。微小化制程三大關(guān)鍵技術(shù)，在設(shè)計(jì)中元器件的數(shù)量多寡及排布間距，即是影響模塊尺寸的較主要關(guān)鍵。要能夠?qū)崿F(xiàn)微小化，較重要的莫過(guò)于三項(xiàng)制程技術(shù)：塑封、屏蔽及高密度打件技術(shù)。河南半導(dǎo)體芯片封裝技術(shù)