中國(guó)香港常規(guī)IGBT模塊代理商

    1被廣泛應(yīng)用于工業(yè)行業(yè)中，對(duì)于一些專(zhuān)業(yè)的電力技術(shù)人員，都知道的來(lái)歷及各種分類(lèi)。不過(guò)現(xiàn)在從事這一行的人越來(lái)越多，有的采購(gòu)人員對(duì)這方面還不是很了解。有的客戶也經(jīng)常問(wèn)起我們模塊的來(lái)歷?，F(xiàn)在就為大家分享一下：2晶閘管誕生后，其結(jié)構(gòu)的改進(jìn)和工藝的**，為新器件的不斷出現(xiàn)提供了條件。1964年，雙向晶閘管在GE公司開(kāi)發(fā)成功，應(yīng)用于調(diào)光和馬達(dá)控制；1965年，小功率光觸發(fā)晶閘管出現(xiàn)，為其后出現(xiàn)的光耦合器打下了基礎(chǔ)；60年代后期，大功率逆變晶閘管問(wèn)世，成為當(dāng)時(shí)逆變電路的基本元件；1974年，逆導(dǎo)晶閘管和非對(duì)稱晶閘管研制完成。3普通晶閘廣泛應(yīng)用于交直流調(diào)速、調(diào)光、調(diào)溫等低頻(400Hz以下)領(lǐng)域，運(yùn)用由它所構(gòu)成的電路對(duì)電網(wǎng)進(jìn)行控制和變換是一種簡(jiǎn)便而經(jīng)濟(jì)的辦法。不過(guò)，這種裝置的運(yùn)行會(huì)產(chǎn)生波形畸變和降低功率因數(shù)、影響電網(wǎng)的質(zhì)量。目前水平為12kV/1kA和6500V/4000A。雙向晶閘可視為一對(duì)反并聯(lián)的普通晶閘管的集成，常用于交流調(diào)壓和調(diào)功電路中。正、負(fù)脈沖都可觸發(fā)導(dǎo)通，因而其控制電路比較簡(jiǎn)單。其缺點(diǎn)是換向能力差、觸發(fā)靈敏度低、關(guān)斷時(shí)間較長(zhǎng)，其水平已超過(guò)2000V/500A。4光控晶閘是通過(guò)光信號(hào)控制晶閘管觸發(fā)導(dǎo)通的器件。 從晶閘管的電路符號(hào)〔圖2(b）〕可以看到，它和二極管一樣是一種單方向?qū)щ姷钠骷?。中?guó)香港常規(guī)IGBT模塊代理商

    但輸出基頻就不到50HZ了，再把8010的18腳接高電平，也就是接成原60HZ的形式，這時(shí)實(shí)際輸出就為50HZ了。這個(gè)方法，得到了屹晶公司許工的認(rèn)可。經(jīng)過(guò)和神八兄多次的策劃，大約花了一個(gè)月左右的“空閑”時(shí)間，我終于做出了***塊驅(qū)動(dòng)板，見(jiàn)下面的圖片，板子還是比較大的，長(zhǎng)16CM，寬。這塊驅(qū)動(dòng)板元器件特別多，有280個(gè)左右的元件。所以，畫(huà)PCB和裝樣板，頗費(fèi)了一番周折。因?yàn)?，一般大功率的機(jī)器，前級(jí)和后級(jí)可能是分離的，對(duì)于后級(jí)來(lái)講，一般是接入360V左右的高壓，就要能工作，所以，這個(gè)驅(qū)動(dòng)卡的輔助電源是高壓輸入的，我用了一塊PI公司的TNY277的IC，電路比較簡(jiǎn)單，但輸出路數(shù)很多，有5路，都是互相隔離的。因功率不大，可以用EE20EFD20等磁芯，但這類(lèi)磁芯，找不到與它匹配的腳位有6+6以上的骨架，所以，只得用了EI28磁芯，用了11+11的骨架。下圖是輔助電源部分的電路和TNY277的D極波形。下面是這款驅(qū)動(dòng)卡聯(lián)上300A模塊的圖片，四路輸出的圖騰管是用D1804和B1204，輸出電流8A，在連上300A模塊時(shí)，G極上升時(shí)間約為380NS左右(G極電阻10R)，不算很快，但也不算特別慢了。我在模塊上接入30V的母線電壓，輸出的正弦波如下圖，可見(jiàn)，設(shè)計(jì)上沒(méi)有明顯的錯(cuò)誤，時(shí)序也是對(duì)的。現(xiàn)在。 甘肅好的IGBT模塊銷(xiāo)售IGBT模塊的底部是散熱基板，主要目的是快速傳遞IGBT開(kāi)關(guān)過(guò)程中產(chǎn)生的熱量。

    5）由硒堆及壓敏電阻等非線性元件組成吸收回路上述阻容吸收回路的時(shí)間常數(shù)RC是固定的，有時(shí)對(duì)時(shí)間短、峰值高、能量大的過(guò)電壓來(lái)不及放電，抑制過(guò)電壓的效果較差。因此，一般在變流裝置的進(jìn)出線端還并有硒堆或壓敏電阻等非線性元件。硒堆的特點(diǎn)是其動(dòng)作電壓和溫度有關(guān)，溫度越低耐壓越高；另外是硒堆具有自恢復(fù)特性，能多次使用，當(dāng)過(guò)電壓動(dòng)作后硒基片上的灼傷孔被溶化的硒重新覆蓋，又重新恢復(fù)其工作特性。壓敏電阻是以氧化鋅為基體的金屬氧化物非線性電阻，其結(jié)構(gòu)為兩個(gè)電極，電極之間填充的粒徑為10~50μm的不規(guī)則的ZNO微結(jié)晶，結(jié)晶粒間是厚約1μm的氧化鉍粒界層。這個(gè)粒界層在正常電壓下呈高阻狀態(tài)，只有很小的漏電流，其值小于100μA。當(dāng)加上電壓時(shí)，引起了電子雪崩，粒界層迅速變成低阻抗，電流迅速增加，泄漏了能量，抑制了過(guò)電壓，從而使晶閘管得到保護(hù)。浪涌過(guò)后，粒界層又恢復(fù)為高阻態(tài)。壓敏電阻的特性主要由下面幾個(gè)參數(shù)來(lái)表示。標(biāo)稱電壓：指壓敏電阻流過(guò)1mA直流電流時(shí)，其兩端的電壓值。通流容量：是用前沿8微秒、波寬20微秒的波形沖擊電流，每隔5分鐘沖擊1次，共沖擊10次，標(biāo)稱電壓變化在-10[[[%]]]以內(nèi)的**大沖擊電流值來(lái)表示。

    這個(gè)話題的起因，是神八兄送了我?guī)讉€(gè)大電流IGBT模塊，有150A的，也有300A的，據(jù)說(shuō)功率分別可以做到10KW和20KW以上，也是擋不住的誘惑，決定來(lái)試一試。但首先必須做一塊能驅(qū)動(dòng)這些大家伙的驅(qū)動(dòng)電路板。經(jīng)和神八兄多次商量后，決定還是用EG8010芯片，理由是：這款SPWM芯片價(jià)格便宜，功能很多，性能比較好，特別穩(wěn)壓特性很好。但是，用8010來(lái)驅(qū)動(dòng)IGBT模塊，也有二個(gè)問(wèn)題需要解決：***個(gè)問(wèn)題：8010的**大死區(qū)時(shí)間只有，而這些大模塊，因?yàn)檩斎腚娙荼容^大，需要有比較大的死區(qū)時(shí)間，有時(shí)可能要放大到3US以上，才能安全工作。為了解決這個(gè)問(wèn)題，我把8010的輸出接法做了較大的改進(jìn)，先把8010輸出的4路用與門(mén)合并成2路，做成象張工的22851093這樣的時(shí)序，再把二路SPWM分成4路，用與非門(mén)做成硬件死區(qū)電路，這樣，死區(qū)時(shí)間就不受8010內(nèi)建死區(qū)的限止了，可以隨意做到幾US。這樣的接法，還有一個(gè)**的好處，就是H橋的4個(gè)管子功耗是平均的，不會(huì)出現(xiàn)半橋熱半橋冷的現(xiàn)象。第二個(gè)問(wèn)題：因?yàn)镮GBT模塊的工作頻率都比較低，一般要求在20K以下，但8010的載波頻率比較高，神八兄經(jīng)過(guò)實(shí)險(xiǎn)和計(jì)算，決定用下面方式來(lái)解決，把原先8010用的12M晶振，改為10M晶振，這樣，載頻就降到。 IGBT模塊是由不同的材料層構(gòu)成，如金屬，陶瓷以及高分子聚合物以及填充在模塊內(nèi)部用來(lái)改善器件。

    本實(shí)用新型屬于智能功率模塊保護(hù)電路技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種ipm模塊短路檢測(cè)電路。背景技術(shù)：ipm(intelligentpowermodule)，即智能功率模塊，不僅把功率開(kāi)關(guān)器件和驅(qū)動(dòng)電路集成在一起。而且其內(nèi)部還集成有過(guò)電壓，過(guò)電流和過(guò)熱等故障檢測(cè)電路，并可將檢測(cè)信號(hào)送到cpu。它由高速低功耗的管芯和優(yōu)化的門(mén)極驅(qū)動(dòng)電路以及快速保護(hù)電路構(gòu)成。即使發(fā)生負(fù)載事故或使用不當(dāng)，也可以保證ipm自身不受損壞。近年來(lái)，ipm模塊已經(jīng)在汽車(chē)電子、機(jī)車(chē)牽引和新能源等各個(gè)領(lǐng)域獲得廣泛的應(yīng)用。隨著ipm模塊在各個(gè)領(lǐng)域的進(jìn)一步應(yīng)用，對(duì)ipm模塊的及其應(yīng)用的要求也進(jìn)一步提高，由于大功率ipm模塊通常工作在高壓大電流的條件下，在系統(tǒng)運(yùn)行的過(guò)程中，ipm模塊會(huì)出現(xiàn)短路損壞的問(wèn)題，嚴(yán)重影響其應(yīng)用。因此，ipm模塊的短路檢測(cè)是其中的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)。由于ipm模塊的開(kāi)關(guān)速度越來(lái)越快，ipm模塊發(fā)生短路時(shí)的電流是額定電流的4-6倍，如果不能快速的檢測(cè)到短路故障,保護(hù)電路不能***時(shí)間進(jìn)行器件保護(hù)，這將不可避免的導(dǎo)致ipm模塊發(fā)生損壞，所以對(duì)ipm模塊進(jìn)行短路監(jiān)測(cè)的精度要求肯定越來(lái)越高，而傳統(tǒng)的ipm模塊退飽和檢測(cè)法的劣勢(shì)將會(huì)越來(lái)越明顯，由于設(shè)置的基準(zhǔn)電壓不準(zhǔn)確更有可能導(dǎo)致退飽和短路檢測(cè)方法下的誤動(dòng)作。 它在交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)、調(diào)功系統(tǒng)及隨動(dòng)系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用。江蘇哪里有IGBT模塊銷(xiāo)售電話

由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu)，IGBT的柵極通過(guò)一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離，具有出色的器件性能。中國(guó)香港常規(guī)IGBT模塊代理商

    3.輕松啟動(dòng)一臺(tái)3700W的水泵，水泵工作正常。4.測(cè)試了帶感性負(fù)載情況下的短路保護(hù)，保護(hù)正常。5.母線電壓366V情況下，空載電流24MA，其中包括輔助電源部分13MA。6.效率：4400W輸出時(shí)，效率。發(fā)點(diǎn)測(cè)試的圖這是空載的輸入電壓和輸出電壓這個(gè)是帶11根小太陽(yáng)的輸入電壓和輸出電壓和輸出電流，鉗流表的電流不太準(zhǔn)電感熱不熱你450V電解電容10KW要多放個(gè)電感風(fēng)冷的情況下滿載10KW溫度可以接受，不開(kāi)風(fēng)扇電感只能在5KW以內(nèi)不熱，電感是用6平方的沙包線4個(gè)77110A疊在一起繞的電感。電容是小點(diǎn)現(xiàn)在是一個(gè)3300UF的再加一個(gè)就足夠了，我的母線是28塊100AH的電瓶串聯(lián)起來(lái)的這電路在關(guān)閉spwm的同時(shí)能關(guān)閉雙igbt下管，使4個(gè)igbt都處于關(guān)閉狀態(tài)**好不過(guò)的.不知道這個(gè)線路能不能這樣用這樣做不僅沒(méi)有作用，而且還會(huì)帶來(lái)負(fù)面影響，反相器輸出低電平時(shí)對(duì)地是導(dǎo)通的，會(huì)導(dǎo)致正常的驅(qū)動(dòng)問(wèn)題，此電路也沒(méi)有必要多此一舉。老師您好，我是一個(gè)初學(xué)者，想向您請(qǐng)教一下，igbt過(guò)流保護(hù)電路問(wèn)題，下圖為一個(gè)igbt驅(qū)動(dòng)芯片，1引腳用來(lái)檢測(cè)igbt是否過(guò)流，當(dāng)igbt的c端電壓高于7v時(shí)，igbt就會(huì)關(guān)斷，我現(xiàn)在不明白的就是這個(gè)電路中Vcc加25v電壓，igbt不導(dǎo)通時(shí)測(cè)量c端電壓和驅(qū)動(dòng)芯片電源端的地時(shí)，電壓27v左右。 中國(guó)香港常規(guī)IGBT模塊代理商