在需要高功率的場(chǎng)景中,常將多顆SiC功率半導(dǎo)體封裝到模塊中,實(shí)現(xiàn)芯片互連和與其他電路的連接。SiC功率模塊封裝包括芯片、絕緣基板、散熱基板等組件。按封裝芯片類型,可分為混合模塊和全SiC模塊,前者是替換硅基IGBT中的二極管,后者全用SiC芯片,兩者在效率、尺寸和成本上有差異;按拓?fù)浞绞?,可分為三相模塊、半橋模塊等封裝形式;按散熱方式,可分為單面冷卻和雙面冷卻;按封裝外殼類型,可分為轉(zhuǎn)模塑封結(jié)構(gòu)和HPD(gao壓聚乙烯塑料)框架結(jié)構(gòu)。隨著需求多樣化,定制化模塊逐漸流行。目前,SiC功率模塊多沿用傳統(tǒng)硅基IGBT封裝結(jié)構(gòu),難以發(fā)揮SiC材料特性,面臨可靠性和成本等挑戰(zhàn)。“第十七屆中國?國際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕!展會(huì)展覽面積將超過50,000平方米,中外展商約900家,參展品牌1500個(gè),國內(nèi)外觀眾預(yù)計(jì)將達(dá)到70,000人次。展會(huì)打通供需堵點(diǎn),整合全產(chǎn)業(yè)鏈資源,集中展示涵蓋原材料、設(shè)備、儀器、制品等產(chǎn)品、服務(wù)和整體解決方案。誠邀您蒞臨參觀!“中國?國際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”2025年3月10日上海世博展覽館。云集行業(yè)杰出企業(yè)的商貿(mào)平臺(tái),共襄行業(yè)盛會(huì)!2025年3月10至12日中國上海市國際先進(jìn)陶瓷技術(shù)前沿論壇
在IT和電子行業(yè)中,元器件散熱需要用到風(fēng)扇,風(fēng)扇中馬達(dá)若采用陶瓷軸承即可減少噪音,又可延長(zhǎng)壽命,比金屬軸承具有更大優(yōu)越性。ZrO2和Si3N4陶瓷不僅耐磨性好,斷裂韌性高,而且具有一定的自潤(rùn)滑性,因此是制造陶瓷軸承的理想候選材料。電子用精密陶瓷部件、機(jī)電工業(yè)用精密陶瓷部件包括各種氧化鋁(Al2O3)體系絕緣陶瓷零部件,如集成電路封裝管殼;電真空開關(guān)陶瓷管;微波爐中磁控管用絕緣陶瓷以及絕緣陶瓷燈座等。機(jī)電工業(yè)用精密陶瓷部件、透明氧化鋁陶瓷產(chǎn)品許多透明氧化鋁陶瓷產(chǎn)品已采用注射成型技術(shù)制備,包括牙齒矯正用透明陶瓷托槽、陶瓷金屬鹵化物燈泡內(nèi)的透明陶瓷電弧發(fā)光管、以及集實(shí)用與美觀于一體的半透明氧化鋁陶瓷杯?!暗谑邔弥袊?國際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。華東區(qū)國際先進(jìn)陶瓷技術(shù)展“第十七屆中國?國際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”:2025年3月10-12日上海世博展覽館。誠邀您蒞臨參觀!
氮化硅(Si3N4)采用氮化硅制成的新款陶瓷基板的撓曲強(qiáng)度比采用Al2O3和AlN制成的基板高。Si3N4的斷裂韌性甚至超過了氧化鋯摻雜陶瓷。功率模塊內(nèi)使用的覆銅陶瓷基板的可靠性一直受制于陶瓷較低的撓曲強(qiáng)度,而后者會(huì)降低熱循環(huán)能力。對(duì)于那些整合了極端熱和機(jī)械應(yīng)力的應(yīng)用(例如混合動(dòng)力汽車和電動(dòng)汽車(HEV/EV)而言,目前常用的陶瓷基板不是*佳選擇?;澹ㄌ沾桑┖蛯?dǎo)體(銅)的熱膨脹系數(shù)存在很大差異,會(huì)在熱循環(huán)期間對(duì)鍵合區(qū)產(chǎn)生壓力,進(jìn)而降低可靠性。隨著HEV/EV和可再生能源應(yīng)用的增長(zhǎng),設(shè)計(jì)者找到了新方法來確保這些推動(dòng)極具挑戰(zhàn)性的新技術(shù)發(fā)展所需的電子元件的可靠性。由于工作壽命比電力電子使用的其它陶瓷長(zhǎng)10倍或者更高,所以氮化硅基板能夠提供對(duì)于達(dá)到必要的可靠性要求至關(guān)重要的機(jī)械強(qiáng)度。陶瓷基板的壽命是由在不出現(xiàn)剝離和其它影響電路功能與安全的故障的情況下,基板可以承受的熱循環(huán)重復(fù)次數(shù)來衡量的。該測(cè)試通常是通過從-55°C到125°C或者150°C對(duì)樣品進(jìn)行循環(huán)運(yùn)行來完成的?!暗谑邔弥袊?國際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。誠邀您蒞臨參觀!
外延生長(zhǎng)技術(shù)是碳化硅器件的關(guān)鍵環(huán)節(jié),外延質(zhì)量對(duì)器件性能影響很大,碳化硅襯底無法直接制作器件,優(yōu)質(zhì)外延工藝可改進(jìn)微管(Micropipe)、多型、劃痕、層錯(cuò)、貫穿螺型位錯(cuò)(TSD)、貫穿刃型位錯(cuò)(TED)和基平面位錯(cuò)(BPD)等襯底缺陷,減少外延生長(zhǎng)缺陷,同時(shí)精確控zhi摻雜濃度,提升均勻性和器件良率。不同外延層厚度對(duì)應(yīng)不同耐壓等級(jí)的器件規(guī)格。通常,1μm的外延層對(duì)應(yīng)100V左右的耐壓;耐壓在600V左右時(shí),需要6μm左右的外延層;耐壓高于10000V時(shí),外延層厚度需在100μm以上?!暗谑邔弥袊?國際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕!展會(huì)展覽面積將超過50,000平方米,中外展商約900家,參展品牌1500個(gè),國內(nèi)外觀眾預(yù)計(jì)將達(dá)到70,000人次。展會(huì)打通供需堵點(diǎn),整合全產(chǎn)業(yè)鏈資源,集中展示涵蓋原材料、設(shè)備、儀器、制品等產(chǎn)品、服務(wù)和整體解決方案。 誠邀您蒞臨參觀!深耕行業(yè)市場(chǎng),開拓業(yè)務(wù)網(wǎng)絡(luò),新之聯(lián)伊麗斯誠邀您相聚2025年3月10日中國?國際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)!
碳化硅芯片驗(yàn)證周期長(zhǎng),批量生產(chǎn)難度大。碳化硅主驅(qū)芯片可靠性驗(yàn)證要求極高,需7-8年才能實(shí)現(xiàn)從設(shè)計(jì)到量產(chǎn)。國外廠商技術(shù)和產(chǎn)量的優(yōu)勢(shì),并通過車企驗(yàn)證,基本壟斷了碳化硅主驅(qū)芯片供應(yīng)端。國內(nèi)企業(yè)尚處于可靠性驗(yàn)證起始階段,未實(shí)現(xiàn)批量供應(yīng)。國產(chǎn)主驅(qū)芯片需克服可靠性驗(yàn)證和批量化生產(chǎn)兩大難關(guān),確保大規(guī)模供應(yīng)的同時(shí)保證產(chǎn)品品質(zhì)穩(wěn)定是行業(yè)性難題。“第十七屆中國?國際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕!五展聯(lián)動(dòng);第17屆中國?國際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會(huì)(PM CHINA)、2025上海國際線圈、變壓器、電感、電機(jī)與磁性材料展覽會(huì)(MMIC CHINA)、2025上海國際增材制造應(yīng)用技術(shù)展覽會(huì)(AM CHINA)和2025上海國際粉體加工與處理展覽會(huì)(POWDEX CHINA)同期同地舉辦。五展聯(lián)動(dòng),串聯(lián)相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈,吸引更多的觀眾群體,形成既匯聚更多參展企業(yè)同臺(tái)競(jìng)技,又滿足觀眾和買家多樣化需求的“一站式”商貿(mào)交流平臺(tái)。展會(huì)展覽面積將超過50,000平方米,中外展商約900家,參展品牌1500個(gè),國內(nèi)外觀眾預(yù)計(jì)將達(dá)到70,000人次。展會(huì)打通供需堵點(diǎn),整合全產(chǎn)業(yè)鏈資源,集中展示涵蓋原材料、設(shè)備、儀器、制品等產(chǎn)品、服務(wù)和整體解決方案。 誠邀您蒞臨參觀!深耕行業(yè)市場(chǎng),拓展業(yè)務(wù)網(wǎng)絡(luò),中國?國際先進(jìn)陶瓷展,2025年3月10-12日上海世博展覽館。誠邀您蒞臨參觀!3月10-12日華東國際先進(jìn)陶瓷技術(shù)會(huì)議
“中國?國際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”提高材料性能,創(chuàng)新技術(shù)工藝。2025年3月10日上海世博展覽館。誠邀您蒞臨!2025年3月10至12日中國上海市國際先進(jìn)陶瓷技術(shù)前沿論壇
微波燒結(jié)是利用微波電磁場(chǎng)中材料的介質(zhì)損耗使材料整體加熱至燒結(jié)溫度而實(shí)現(xiàn)燒結(jié)和致密化。微波燒結(jié)具有體加熱的特性,燒結(jié)過程中依靠材料本身吸收微波能,并轉(zhuǎn)化為材料內(nèi)部分子的動(dòng)能和勢(shì)能,降低燒結(jié)活化能,提高擴(kuò)散系數(shù),從而實(shí)現(xiàn)低溫快速燒結(jié),可獲得納米晶粒的燒結(jié)體。微波燒結(jié)的優(yōu)點(diǎn)為具有較短的燒結(jié)時(shí)間,使引起低頻介質(zhì)損耗的缺陷濃度減小,從而使得介質(zhì)損耗降低。相對(duì)于常規(guī)無壓燒結(jié),微波燒結(jié)制備的BaTiO3陶瓷晶粒更小,具有相對(duì)多的晶界,晶界的介電常數(shù)較低?!暗谑邔弥袊?國際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。誠邀您蒞臨參觀!2025年3月10至12日中國上海市國際先進(jìn)陶瓷技術(shù)前沿論壇