ESD保護(hù)二極管是一種基于PN結(jié)的半導(dǎo)體器件,其工作原理是在正常工作條件下呈現(xiàn)高阻抗?fàn)顟B(tài),而在靜電放電事件中,能夠迅速導(dǎo)通并將電荷釋放到地線,從而保護(hù)電子設(shè)備免受靜電放電的損害。當(dāng)外部接口電壓超過(guò)ESD二極管的擊穿電壓時(shí),二極管開(kāi)始起作用,將電流分流到地,防止電壓超過(guò)內(nèi)部電路的承受能力。ESD保護(hù)二極管具有快速響應(yīng)能力,能夠在極短的時(shí)間內(nèi)導(dǎo)通并釋放靜電能量。由于其獨(dú)特的設(shè)計(jì)和工作原理,ESD保護(hù)二極管能夠提供可靠的保護(hù),防止電子設(shè)備因靜電放電而受損。齊納二極管在超過(guò)其齊納電壓時(shí)導(dǎo)通,用于限制電壓峰值。深圳常規(guī)ESD保護(hù)二極管SR24D3BL型號(hào)報(bào)價(jià)
SR18D3BL是一款18V的ESD保護(hù)二極管,峰值脈沖電流為5A。該型號(hào)的主要特點(diǎn)是具有低電容和快速響應(yīng)速度,能夠在瞬間將ESD電壓降至安全水平。因此,SR18D3BL適用于需要高速響應(yīng)和低電容的應(yīng)用場(chǎng)景,如USB接口、HDMI接口、以太網(wǎng)接口等。SR24D3BL是一款24V的ESD保護(hù)二極管,其峰值脈沖電流為5A。相較于SR18D3BL,SR24D3BL的電壓等級(jí)更高,因此適用于需要更高電壓保護(hù)的應(yīng)用場(chǎng)景,如電源線、電池充電器等。SR12D3BL是一款12V的ESD保護(hù)二極管,其峰值脈沖電流為5A。該型號(hào)的主要特點(diǎn)是具有低電容和快速響應(yīng)速度,能夠在瞬間將ESD電壓降至安全水平。廣州常規(guī)ESD保護(hù)二極管SR08D3BL型號(hào)多少錢(qián)星河微ESD靜電保護(hù)二極管可以在各種環(huán)境下工作,包括高溫、低溫、高濕度、低濕度等條件下。
ESD保護(hù)二極管是一種齊納二極管。當(dāng)二極管反向偏置時(shí),有很少的電流從陰極流向陽(yáng)極。然而,當(dāng)反向偏壓超過(guò)某一點(diǎn)(稱(chēng)為反向擊穿電壓)時(shí),反向電流突然增加。隨著反向偏壓增加,無(wú)論二極管流過(guò)的電流大小,二極管都會(huì)形成恒定電壓區(qū)域。利用齊納二極管擊穿電壓(齊納電壓)特性可以構(gòu)成恒壓穩(wěn)壓器,抑制浪涌電壓。齊納穩(wěn)壓二極管用于保持恒定電壓,而ESD保護(hù)二極管用于吸收ESD能量,保護(hù)電路。反向擊穿電壓由齊納擊穿或雪崩擊穿決定。
EAP配置中低電容ESD保護(hù)二極管:它由三個(gè)二極管組成:低電容二極管1和二極管2(電容分別為C(1)和C(2))和高電容二極管3(電容為C(3))。二極管1和二極管2的pn結(jié)面積小,反向擊穿電壓(V(BR))高,而二極管3的pn結(jié)面積大,并且有足夠大的反向擊穿電壓(V(BR))。加到陽(yáng)極的ESD電流沿正向流過(guò)二極管1,加到陰極的ESD電流沿正向流過(guò)二極管2,然后反向流過(guò)二極管3,因?yàn)槎O管3的V(BR)低于二極管1。通常,二極管反向ESD能量耐受性低于正向。由于二極管1和二極管2的pn結(jié)面積較小,因此它們的反向ESD能量耐受性更差。然而,ESD保護(hù)二極管配置如圖3.5(a)所示時(shí),ESD電流不會(huì)反向流過(guò)二極管1和二極管2。因此,這個(gè)電路整體上提高了ESD抗擾度。圖3.5(b)顯示這個(gè)ESD保護(hù)二極管的等效電容電路。低電容二極管2和高電容二極管3串聯(lián),可以減小組合電容。此外,由于該電路V(BR)由二極管3的V(BR)決定,因此可以根據(jù)被保護(hù)的信號(hào)線調(diào)整二極管3的V(BR),從而提高ESD抗擾度。ESD保護(hù)二極管”用于便攜式電子設(shè)備:如智能手機(jī)、平板電腦等,在生產(chǎn)和使用過(guò)程中容易受到靜電的影響。
電容大的二極管插入損耗高(如圖所示,特性曲線負(fù)值變化較大),從而限制了可使用的頻率范圍。例如,在Thunderbolt(帶寬為10Gbps,相當(dāng)于5GHz的頻率)的情況下,電容小(0.1pF至0.3pF)的ESD保護(hù)二極管插入損耗小,幾乎不會(huì)影響二極管傳輸?shù)男盘?hào),而5pF電容的ESD保護(hù)二極管插入損耗大,通過(guò)二極管的信號(hào)明顯衰減。反向偏置時(shí),二極管因pn結(jié)(p:p型半導(dǎo)體,n:n型半導(dǎo)體)形成耗盡層產(chǎn)生電容。與電容相反,耗盡層起阻擋層的作用,只有少數(shù)載流子通過(guò)。降低半導(dǎo)體區(qū)摻雜濃度會(huì)增加耗盡層寬度。因此,為了減小二極管的電容,有必要減小pn結(jié)面積或提高反向擊穿電壓(VBR),但任何一種方式都會(huì)導(dǎo)致ESD抗擾度下降。當(dāng)兩個(gè)二極管串聯(lián)時(shí),它們的組合電容減小。此外,二極管反向ESD能量耐受性比正向差。東芝低電容(Ct)ESD保護(hù)二極管采用ESD二極管陣列工藝(EAP)制造,多個(gè)二極管組合在一起減小電容,不影響ESD抗擾度。ESD靜電保護(hù)二極管被應(yīng)用于各種電子產(chǎn)品中,如手機(jī)、電視、電腦、數(shù)碼相機(jī)等。廣東定制ESD保護(hù)二極管SR08D3BL型號(hào)報(bào)價(jià)
SR15D3BL和SR18D3BL的電容和電感非常低,可減少電路的噪聲和干擾,提高電路的穩(wěn)定性和可靠性。深圳常規(guī)ESD保護(hù)二極管SR24D3BL型號(hào)報(bào)價(jià)
低鉗位電壓(V(C))和***峰值電壓:采用IEC 61000-4-2規(guī)定ESD波形時(shí),高低鉗位電壓(V(C))ESD保護(hù)二極管的波形效果。這些波形采集于受保護(hù)器件(DUP)輸入端。具有低V(C )的ESD保護(hù)二極管在30ns和60ns處鉗位電壓低于具有高V(C)的ESD保護(hù)二極管。ESD波形曲線下的面積越小,受保護(hù)器件(DUP)受到的損壞越小。因此,具有低V(C)的ESD保護(hù)二極管可提供更好的ESD脈沖保護(hù)。此外,一些ESD保護(hù)二極管在ESD進(jìn)入后不會(huì)立即響應(yīng)。因此,如果ESD脈沖***峰值電壓高于ESD保護(hù)二極管的V(C),則可能施加到受保護(hù)器件,造成故障或破壞。ESD保護(hù)二極管響應(yīng)速度高于其他類(lèi)型保護(hù)器件。此外,東芝正在優(yōu)化芯片工藝和內(nèi)部器件結(jié)構(gòu),進(jìn)一步降低***個(gè)峰值電壓,從而在初始階段對(duì)ESD峰值電壓提供更可靠的保護(hù)。深圳常規(guī)ESD保護(hù)二極管SR24D3BL型號(hào)報(bào)價(jià)