半導(dǎo)體二極管的非線性電流-電壓特性，可以根據(jù)選擇不同的半導(dǎo)體材料和摻雜不同的雜質(zhì)從而形成雜質(zhì)半導(dǎo)體來改變。特性改變后的二極管在使用上除了用做開關(guān)的方式之外，還有很多其他的功能，如：用來調(diào)節(jié)電壓（齊納二極管），限制高電壓從而保護(hù)電路（雪崩二極管），無線電調(diào)諧...

三極管偏置電路分析電路中，三極管VT1工作在放大狀態(tài)時(shí)要給它一定的直流偏置電壓，這由偏置電路來完成。電路中的R1、VD1和R2構(gòu)成分壓式偏置電路，為三極管VT1基極提供直流工作電壓，基極電壓的大小決定了VT1基極電流的大小。如果不考慮溫度的影響，而且直流工作電...

晶體三極管（以下簡(jiǎn)稱三極管）按材料分有兩種：鍺管和硅管。而每一種又有NPN和PNP兩種結(jié)構(gòu)形式，但使用多的是硅NPN和鍺PNP兩種三極管，（其中，N是負(fù)極的意思（英文中Negative），N型半導(dǎo)體在高純度硅中加入磷取代一些硅原子，在電壓刺激下產(chǎn)生自由電子導(dǎo)電...

三極管的工作原理：放大原理因三極管三個(gè)區(qū)制作工藝的設(shè)定以及內(nèi)部的兩個(gè)PN結(jié)相互影響，使三極管呈現(xiàn)出單個(gè)PN結(jié)所沒有的電流放大的功能。外加偏置電源配置：要求發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。三極管在實(shí)際的放大電路中使用時(shí)，還需要外加合適的偏置電路。原因是：由于三極管BE結(jié)...

三極管鍺管的穿透電流比較大，一般由幾十微安到幾百微安，硅管的穿透電流就比較小，一般只有零點(diǎn)幾微安到幾微安。 I ceo 雖然不大，卻與溫度有著密切的關(guān)系，它們遵循著所謂的“加倍規(guī)則”，這就是溫度每升高 10℃ ， I ceo 約增大一倍。例如，某鍺管在常溫 2...

場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù)：① 開啟電壓VGS（th） （或VT）開啟電壓是MOS增強(qiáng)型管的參數(shù)，柵源電壓小于開啟電壓的好不要值，場(chǎng)效應(yīng)管不能導(dǎo)通。② 夾斷電壓VGS（off） （或VP）夾斷電壓是耗盡型FET的參數(shù)，當(dāng)VGS=VGS（off） 時(shí)，漏極電流為零。③ ...

場(chǎng)效應(yīng)管電極：所有的FET都有柵極（gate）、漏極（drain）、源極（source）三個(gè)端，分別大致對(duì)應(yīng)BJT的基極（base）、集電極（collector）和發(fā)射極（emitter）。除JFET以外，所有的FET也有第四端，被稱為體（body）、基（...

場(chǎng)效應(yīng)管大功率如何使用：為了防止場(chǎng)效應(yīng)管柵極感應(yīng)擊穿,要求一切測(cè)試儀器、工作臺(tái)、電烙鐵、線路本身都必須有良好的接地;管腳在焊接時(shí),先焊源極;在連入電路之前,管的全部引線端保持互相短接狀態(tài),焊接完后才把短接材料去掉;從元器件架上取下管時(shí),應(yīng)以適當(dāng)?shù)姆绞酱_保人體接...

二極管在20世紀(jì)20年代由熱離子二極管所取代。20世紀(jì)50年代，高純度的半導(dǎo)體材料出現(xiàn)。因?yàn)樾鲁霈F(xiàn)的鍺二極管價(jià)格便宜，晶體收音機(jī)重新開始被大規(guī)模使用。貝爾實(shí)驗(yàn)室還開發(fā)了鍺二極管微波接收器。20世紀(jì)40年代中后期，美國電話電報(bào)公司在美國四處新建的微波塔上開始...

場(chǎng)效應(yīng)管輸入電阻基本是無窮大，但是GS之間存在一個(gè)電容，而且場(chǎng)效應(yīng)管能承受電流越大，Cgs一般也越大，在高速開關(guān)時(shí)，MOS會(huì)在突然導(dǎo)通與突然關(guān)斷之間切換，那么前級(jí)的推動(dòng)電路就需要對(duì)MOS的輸入電容進(jìn)行充放電，如果不要驅(qū)動(dòng)電路，推動(dòng)電路加在MOS上的電壓上升速度...

場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù):場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù)很多，包括直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù)，但一般使用時(shí)關(guān)注以下主要參數(shù)：1、I DSS — 飽和漏源電流。是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中，柵極電壓U GS=0時(shí)的漏源電流。　2、UP — 夾斷電壓。是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中...

C-MOS場(chǎng)效應(yīng)管（增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管）電路將一個(gè)增強(qiáng)型P溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管和一個(gè)增強(qiáng)型N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管組合在一起使用。當(dāng)輸入端為低電平時(shí)，P溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管導(dǎo)通，輸出端與電源正極接通。當(dāng)輸入端為高電平時(shí)，N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管導(dǎo)通，輸出端與電源地接...

場(chǎng)效應(yīng)管的分類:場(chǎng)效應(yīng)管分結(jié)型、絕緣柵型兩大類。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）因有兩個(gè)PN結(jié)而得名，絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管（JGFET）則因柵極與其它電極完全絕緣而得名。目前在絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管中，應(yīng)用為普遍的是MOS場(chǎng)效應(yīng)管，簡(jiǎn)稱MOS管（即金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管M...

場(chǎng)效應(yīng)管傳統(tǒng)的MOS場(chǎng)效應(yīng)管的柵極、源極和漏極較大致處于同一水平面的芯片上，其工作電流基本上是沿水平方向流動(dòng)。VMOS管則不同，其兩大結(jié)構(gòu)特點(diǎn):點(diǎn)，金屬柵極采用V型槽結(jié)構(gòu)；具有垂直導(dǎo)電性。由于漏極是從芯片的背面引出，所以ID不是沿芯片水平流動(dòng)，而是自重?fù)诫sN+...

二極管的結(jié)構(gòu)組成：二極管就是由一個(gè)PN結(jié)加上相應(yīng)的電極引線及管殼封裝而成的。 采用不同的摻雜工藝，通過擴(kuò)散作用，將P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體制作在同一塊半導(dǎo)體（通常是硅或鍺）基片上，在它們的交界面就形成空間電荷區(qū)稱為PN結(jié)。由P區(qū)引出的電極稱為陽極，N區(qū)引出的電極...

二極管的結(jié)構(gòu)組成：二極管就是由一個(gè)PN結(jié)加上相應(yīng)的電極引線及管殼封裝而成的。 采用不同的摻雜工藝，通過擴(kuò)散作用，將P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體制作在同一塊半導(dǎo)體（通常是硅或鍺）基片上，在它們的交界面就形成空間電荷區(qū)稱為PN結(jié)。由P區(qū)引出的電極稱為陽極，N區(qū)引出的電極...

二極管種類：恒流二極管（或稱定電流二極管，CRD、Current Regulative Diode）被施加順方向電壓的場(chǎng)合，無論電壓多少，可以得到一定的電流的元件。通常的電流容量在1~15mA的范圍。雖然被稱為二極管，但是構(gòu)造、動(dòng)作原理都與接合型電場(chǎng)效應(yīng)電晶體...

二極管電路分析思路說明對(duì)電路中VD1和VD2作用分析的思路主要說明下列幾點(diǎn)：（1）從電路中可以看出，VD1、VD2、VD3和VD4、VD5、VD6兩組二極管的電路結(jié)構(gòu)一樣，這兩組二極管在這一電路中所起的作用是相同的，所以只要分析其中一組二極管電路工作原理即可。...

二極管小實(shí)驗(yàn)在電子電路中，將二極管的正極(P區(qū))接在高電位端，負(fù)極(N區(qū))接在低電位端，二極管就會(huì)導(dǎo)通，這種連接方式稱為正向偏置。必須說明，當(dāng)加在二極管兩端的正向電壓很小時(shí)，二極管仍然不能導(dǎo)通，流過二極管的正向電流十分微弱。只有當(dāng)正向電壓達(dá)到某一數(shù)值(這一數(shù)值...

開關(guān)二極管的勢(shì)壘電容一般極小，這就相當(dāng)于堵住了勢(shì)壘電容這條路，達(dá)到了在高頻條件下還可以保持好的單向?qū)щ娦缘男Ч?。開關(guān)二極管從截止(高阻狀態(tài))到導(dǎo)通(低阻狀態(tài))的時(shí)間叫開通時(shí)間；從導(dǎo)通到截止的時(shí)間叫反向恢復(fù)時(shí)間；兩個(gè)時(shí)間之和稱為開關(guān)時(shí)間。一般反向恢復(fù)時(shí)間大于開通...

面接觸式二極管：面接觸式PN結(jié)二極管是由一塊半導(dǎo)體晶體制成的。不同的摻雜工藝可以使同一個(gè)半導(dǎo)體（如本征硅）的一端成為一個(gè)包含負(fù)極性載流子（電子）的區(qū)域，稱作N型半導(dǎo)體；另一端成為一個(gè)包含正極性載流子（空穴）的區(qū)域，稱作P型半導(dǎo)體。兩種材料在一起時(shí)，電子會(huì)從N型...

二極管小實(shí)驗(yàn)在電子電路中，將二極管的正極(P區(qū))接在高電位端，負(fù)極(N區(qū))接在低電位端，二極管就會(huì)導(dǎo)通，這種連接方式稱為正向偏置。必須說明，當(dāng)加在二極管兩端的正向電壓很小時(shí)，二極管仍然不能導(dǎo)通，流過二極管的正向電流十分微弱。只有當(dāng)正向電壓達(dá)到某一數(shù)值(這一數(shù)值...

二極管的光電二極管又稱光敏二極管。它的管殼上備有一個(gè)玻璃窗口，以便于接受光照。其特點(diǎn)是，當(dāng)光線照射于它的PN結(jié)時(shí)，可以成對(duì)地產(chǎn)生自由電子和空穴，使半導(dǎo)體中少數(shù)載流子的濃度提高，在一定的反向偏置電壓作用下，使反向電流增加。因此它的反向電流隨光照強(qiáng)度的增加而線性增...

二極管控制電路的一般分析方法說明對(duì)于控制電路的分析通常要分成多種情況，例如將控制信號(hào)分成大、中、小等幾種情況。就這一電路而言，控制電壓Ui對(duì)二極管VD1的控制要分成下列幾種情況。（1）電路中沒有錄音信號(hào)時(shí)，直流控制電壓Ui為0，二極管VD1截止，VD1對(duì)電路工...

平面型二極管：在半導(dǎo)體單晶片（主要地是N型硅單晶片）上，擴(kuò)散P型雜質(zhì)，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在N型硅單晶片上光選擇性地?cái)U(kuò)散一部分而形成的PN結(jié)。因此，不需要為調(diào)整PN結(jié)面積的藥品腐蝕作用。由于半導(dǎo)體表面被制作得平整，故而得名。并且，PN結(jié)合的表面，因被...

二極管并聯(lián)的情況:兩只二極管并聯(lián)、每只分擔(dān)電路總電流的一半口三只二極管并聯(lián),每只分擔(dān)電路總電流的三分之一?？傊?有幾只二極管并聯(lián),"流經(jīng)每只二極管的電流就等于總電流的幾分之一。但是,在實(shí)際并聯(lián)運(yùn)用時(shí)",由于各二極管特性不完全一致,不能均分所通過的電流,會(huì)使有的...

二極管基本的工作狀態(tài)是導(dǎo)通和截止兩種，利用這一特性可以構(gòu)成限幅電路。所謂限幅電路就是限制電路中某一點(diǎn)的信號(hào)幅度大小，讓信號(hào)幅度大到一定程度時(shí)，不讓信號(hào)的幅度再增大，當(dāng)信號(hào)的幅度沒有達(dá)到限制的幅度時(shí)，限幅電路不工作，具有這種功能的電路稱為限幅電路，利用二極管來完...

二極管共有兩種工作狀態(tài):截止和導(dǎo)通。二極管導(dǎo)通與截止有一定的工作條件。二極管導(dǎo)通的條件有兩個(gè)：正向偏置電壓；正向偏置電壓大到一定程度，對(duì)于硅二極管而言為0.6V。只要正向電壓達(dá)到一定的值，二極管便導(dǎo)通，導(dǎo)通后二極管相當(dāng)于一個(gè)導(dǎo)體，二極管的兩根引腳之間的電阻很小...

固態(tài)二極管1874年，德國物理學(xué)家卡爾·布勞恩發(fā)現(xiàn)了晶體的“單向傳導(dǎo)”的能力，并在1899年將晶體整流器申請(qǐng)了。氧化亞銅和硒整流器則是在1930年代為了供電應(yīng)用而發(fā)明的。印度人賈格迪什·錢德拉·博斯在1894年成為了個(gè)使用晶體檢測(cè)無線電波的科學(xué)家。他也在厘米和...

光電二極管特性可以用一個(gè)等效電路模型表示，該模型由一個(gè)理想的二極管一個(gè)電流源和其他寄生的電阻電容構(gòu)成。其中電流源表示了光電二極管產(chǎn)生的光電流信號(hào)，理想二極管表示了P-N結(jié)，體現(xiàn)了光電二極管正向偏壓狀態(tài)時(shí)的電壓條件。旁路電阻R表示了光電二極管的伏安特性曲線中的斜...