智能功率模塊(IPM)是IntelligentPowerModule的縮寫，是一種先進(jìn)的功率開關(guān)器件，具有GTR(大功率晶體管)高電流密度、低飽和電壓和耐高壓的優(yōu)點(diǎn),以及MOSFET(場效應(yīng)晶體管)高輸入阻抗、高開關(guān)頻率和低驅(qū)動(dòng)功率的優(yōu)點(diǎn)。而且IPM內(nèi)部集成了邏輯、控制、檢測和保護(hù)電路，使用起來方便,不*減小了系統(tǒng)的體積以及開發(fā)時(shí)間，也**增強(qiáng)了系統(tǒng)的可靠性，適應(yīng)了當(dāng)今功率器件的發(fā)展方向——模塊化、復(fù)合化和功率集成電路(PIC)，在電力電子領(lǐng)域得到了越來越***的應(yīng)用。中文名智能功率模塊外文名IPM概念一種先進(jìn)的功率開關(guān)器件全稱IntelligentPowerModule目錄1IPM結(jié)...

它具有很強(qiáng)的抗干擾能力、良好的高壓絕緣性能和較高的瞬時(shí)過電壓承受能力，因而被應(yīng)用于高壓直流輸電(HVDC)、靜止無功功率補(bǔ)償(SVC)等領(lǐng)域。其研制水平大約為8000V/3600A。逆變晶閘因具有較短的關(guān)斷時(shí)間(10～15s)而主要用于中頻感應(yīng)加熱。在逆變電路中，它已讓位于GTR、GTO、IGBT等新器件。目前，其最大容量介于2500V/1600A/1kHz和800V/50A/20kHz的范圍之內(nèi)。5非對稱晶閘是一種正、反向電壓耐量不對稱的晶閘管。而逆導(dǎo)晶閘管不過是非對稱晶閘管的一種特例，是將晶閘管反并聯(lián)一個(gè)二極管制作在同一管芯上的功率集成器件。與普通晶閘管相比，它具有關(guān)斷時(shí)間短、...

下面分別介紹利用萬用表判定GTO電極、檢查GTO的觸發(fā)能力和關(guān)斷能力、估測關(guān)斷增益βoff的方法。1．判定GTO的電極將萬用表撥至R×1檔，測量任意兩腳間的電阻，*當(dāng)黑表筆接G極，紅表筆接K極時(shí)，電阻呈低阻值，對其它情況電阻值均為無窮大。由此可迅速判定G、K極，剩下的就是A極。2．檢查觸發(fā)能力如圖2(a)所示，首先將表Ⅰ的黑表筆接A極，紅表筆接K極，電阻為無窮大；然后用黑表筆尖也同時(shí)接觸G極，加上正向觸發(fā)信號，表針向右偏轉(zhuǎn)到低阻值即表明GTO已經(jīng)導(dǎo)通；**后脫開G極，只要GTO維持通態(tài)，就說明被測管具有觸發(fā)能力。3．檢查關(guān)斷能力現(xiàn)采用雙表法檢查GTO的關(guān)斷能力，如圖2(b)所示，表...

二極管算是半導(dǎo)體家族中的元老了，早在***次世界大戰(zhàn)末期就已出現(xiàn)晶體檢波器，從1930年開始，半導(dǎo)體整流器開始投入市場。二極管模塊分為：快恢復(fù)二極管模塊，肖特基二極管模塊，整流二極管模塊、光伏防反二極管模塊等。而二極管和二極管模塊主要區(qū)別是功率、速度和封裝不同。二級管一般指電流、電壓、功率比較小的單管，一般電流在幾個(gè)安培以內(nèi)，電壓比較高1000多V，但是反向恢復(fù)素很快，只有幾個(gè)ns至幾十個(gè)ns，用在小功率開關(guān)電源做輸出整流，或需要頻繁開關(guān)的場合，其封裝一般是塑封、玻璃封裝、陶瓷封裝等。二極管模塊指封裝成模塊的二極管，功率較大，幾十、幾百安培，主要用于整流，在大功率設(shè)備上使用，如電焊...

二）按引腳和極性分類晶體閘流管晶閘管按其引腳和極性可分為二極晶閘管、三極晶閘管和四極晶閘管。（三）按封裝形式分類晶閘管按其封裝形式可分為金屬封裝晶閘管、塑封晶閘管和陶瓷封裝晶閘管三種類型。其中，金屬封裝晶閘管又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種；塑封晶閘管又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。（四）按電流容量分類晶閘管按電流容量可分為大功率晶閘管、**率晶閘管和小功率晶閘管三種。通常，大功率晶閘管多采用金屬殼封裝，而中、小功率晶閘管則多采用塑封或陶瓷封裝。（五）按關(guān)斷速度分類晶閘管按其關(guān)斷速度可分為普通晶閘管和高頻（快速）晶閘管。晶體閘流管工作原理編輯晶閘管T在工作過程中，它的陽極A和...

所述第三接頭6包括：第三螺栓和第三螺母，所述第三螺栓和第三螺母之間還設(shè)置有彈簧墊圈和平墊圈。此外，所述***晶閘管單元中，所述***壓塊7上還設(shè)置有絕緣套管。其中，所述絕緣套管與對應(yīng)的壓塊之間還設(shè)置有墊圈。相類似地，所述第二晶閘管單元中，所述第二壓塊12上還設(shè)置有絕緣套管。其中，所述絕緣套管與對應(yīng)的壓塊之間還設(shè)置有墊圈。為了實(shí)現(xiàn)門極銅排的安裝，所述外殼1上還設(shè)置有門極銅排安裝座。綜上所述，本發(fā)明的立式晶閘管模塊通過設(shè)置***接頭、第二接頭和第三接頭、封裝于外殼內(nèi)部的***晶閘管單元和第二晶閘管單元能夠?qū)崿F(xiàn)電力系統(tǒng)的多路控制，有效保證了電力系統(tǒng)的正常運(yùn)行。對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，顯然...

2、肖特基二極管模塊肖特基二極管A為正極，以N型半導(dǎo)體B為負(fù)極利用二者接觸面上形成的勢壘具有整流特性而制成的金屬半導(dǎo)體器件。特性是正向?qū)妷旱?，反向恢?fù)時(shí)間小，正向整流大，應(yīng)用在低壓大電流輸出場合做高頻整流。肖特基二極管模塊分50V肖特基二極管模塊，100V肖特基二極管模塊，150V肖特基二極管模塊，200V肖特基二極模塊等。3、整流器二極管模塊整流二極管模塊是利用二極管正向?qū)?，反向截止的原理，將交流電能轉(zhuǎn)變?yōu)橘|(zhì)量電能的半導(dǎo)體器件。特性是耐高壓，功率大，整流電流較大，工作頻率較低，主要用于各種低頻半波整流電路，或連成整流橋做全波整流。整流管模塊一般是400-3000V的電壓。4...

二極管算是半導(dǎo)體家族中的元老了，早在***次世界大戰(zhàn)末期就已出現(xiàn)晶體檢波器，從1930年開始，半導(dǎo)體整流器開始投入市場。二極管模塊分為：快恢復(fù)二極管模塊，肖特基二極管模塊，整流二極管模塊、光伏防反二極管模塊等。而二極管和二極管模塊主要區(qū)別是功率、速度和封裝不同。二級管一般指電流、電壓、功率比較小的單管，一般電流在幾個(gè)安培以內(nèi)，電壓比較高1000多V，但是反向恢復(fù)素很快，只有幾個(gè)ns至幾十個(gè)ns，用在小功率開關(guān)電源做輸出整流，或需要頻繁開關(guān)的場合，其封裝一般是塑封、玻璃封裝、陶瓷封裝等。二極管模塊指封裝成模塊的二極管，功率較大，幾十、幾百安培，主要用于整流，在大功率設(shè)備上使用，如電焊...

我們該如何更好地區(qū)保護(hù)晶閘管呢？在使用過程中，晶閘管對過電壓是很敏感的。過電流同樣對晶閘管有極大的損壞作用。西安瑞新公司給大家介紹晶閘管的保護(hù)方法，具體如下：1、過電壓保護(hù)晶閘管對過電壓很敏感，當(dāng)正向電壓超過其斷態(tài)重復(fù)峰值電壓UDRM一定值時(shí)晶閘管就會(huì)誤導(dǎo)通，引發(fā)電路故障；當(dāng)外加反向電壓超過其反向重復(fù)峰值電壓URRM一定值時(shí)，晶閘管就會(huì)立即損壞。因此，必須研究過電壓的產(chǎn)生原因及抑制過電壓的方法。過電壓產(chǎn)生的原因主要是供給的電功率或系統(tǒng)的儲能發(fā)生了激烈的變化，使得系統(tǒng)來不及轉(zhuǎn)換，或者系統(tǒng)中原來積聚的電磁能量來不及消散而造成的。主要發(fā)現(xiàn)為雷擊等外來沖擊引起的過電壓和開關(guān)的開閉引起的沖擊...

IOTIOT+關(guān)注IoT是InternetofThings的縮寫，字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”，準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)（InternetofThings）又稱傳感網(wǎng)，簡要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。海思海思+關(guān)注UHDUHD+關(guān)注UHD是”超高清“的意思UHD的應(yīng)用在電視機(jī)技術(shù)上**為普遍，目前已有不少廠商推出了UHD超高清電視。74ls7474ls74+關(guān)注74LS74是雙D觸發(fā)器。功能多，可作雙穩(wěn)態(tài)、寄存器、移位寄存器、振蕩器、單穩(wěn)態(tài)、分頻計(jì)數(shù)器等功能。本章詳細(xì)介紹了74ls112的功能及原理，74ls74引腳圖及功能表，74ls112的應(yīng)用等內(nèi)容。STC12C5...

二）按引腳和極性分類晶體閘流管晶閘管按其引腳和極性可分為二極晶閘管、三極晶閘管和四極晶閘管。（三）按封裝形式分類晶閘管按其封裝形式可分為金屬封裝晶閘管、塑封晶閘管和陶瓷封裝晶閘管三種類型。其中，金屬封裝晶閘管又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種；塑封晶閘管又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。（四）按電流容量分類晶閘管按電流容量可分為大功率晶閘管、**率晶閘管和小功率晶閘管三種。通常，大功率晶閘管多采用金屬殼封裝，而中、小功率晶閘管則多采用塑封或陶瓷封裝。（五）按關(guān)斷速度分類晶閘管按其關(guān)斷速度可分為普通晶閘管和高頻（快速）晶閘管。晶體閘流管工作原理編輯晶閘管T在工作過程中，它的陽極A和...

這個(gè)反電動(dòng)勢可以對電容進(jìn)行充電。這樣，正極的電壓也不會(huì)上升。如下圖：坦白說，上面的這個(gè)解釋節(jié)我寫得不是很有信心，我希望有高人出來指點(diǎn)一下。歡迎朋友在評論中留言。我會(huì)在后面寫《變頻器的輸出電流》一節(jié)中，通過實(shí)際的電流照片，驗(yàn)證這個(gè)二極管的作用?，F(xiàn)在來解釋在《變頻器整流部分元件》中說，在《電流整流的方式分類》中講的“也可以用IGBT進(jìn)行整流”有問題的。IGBT,通常就是一個(gè)元件，它不帶續(xù)流二極管。即是這個(gè)符號：商用IGBT模塊，都是將“IGBT+續(xù)流二極管”集成在一個(gè)整體部件中，即下面的這個(gè)符號。在工廠中，我們稱這個(gè)整體部件叫IGBT，不會(huì)說“IGBT模塊”。我們可以用“IGBT模塊”...

由此證明被測RCT質(zhì)量良好。注意事項(xiàng)：（1）S3900MF的VTR<，宜選R×1檔測量。（2）若再用讀取電流法求出ITR值，還可以繪制反向伏安特性。①一般小功率晶閘管不需加散熱片，但應(yīng)遠(yuǎn)離發(fā)熱元件，如大功率電阻、大功率三極管以及電源變壓器等。對于大功率晶閘管，必須按手冊申的要求加裝散熱裝置及冷卻條件，以保證管子工作時(shí)的溫度不超過結(jié)溫。②晶閘管在使用中發(fā)生超越和短路現(xiàn)象時(shí)，會(huì)引發(fā)過電流將管子燒毀。對于過電流，一般可在交流電源中加裝快速保險(xiǎn)絲加以保護(hù)。快速保險(xiǎn)絲的熔斷時(shí)間極短，一般保險(xiǎn)絲的額定電流用晶閘管額定平均電流的。③交流電源在接通與斷開時(shí)，有可能在晶閘管的導(dǎo)通或阻斷對出現(xiàn)過壓現(xiàn)象...

下面描述中的附圖**是本發(fā)明中記載的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的一具體實(shí)施方式的平面示意圖。具體實(shí)施方式下面結(jié)合附圖所示的各實(shí)施方式對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明，但應(yīng)當(dāng)說明的是，這些實(shí)施方式并非對本發(fā)明的限制，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員根據(jù)這些實(shí)施方式所作的功能、方法、或者結(jié)構(gòu)上的等效變換或替代，均屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。如圖1所示，本發(fā)明的立式晶閘管模塊包括：外殼1、蓋板2、銅底板3、形成于所述蓋板2上的***接頭4、第二接頭5和第三接頭6、封裝于所述外殼1內(nèi)部的***晶閘管單元和第二晶閘管...

2、肖特基二極管模塊肖特基二極管A為正極，以N型半導(dǎo)體B為負(fù)極利用二者接觸面上形成的勢壘具有整流特性而制成的金屬半導(dǎo)體器件。特性是正向?qū)妷旱?，反向恢?fù)時(shí)間小，正向整流大，應(yīng)用在低壓大電流輸出場合做高頻整流。肖特基二極管模塊分50V肖特基二極管模塊，100V肖特基二極管模塊，150V肖特基二極管模塊，200V肖特基二極模塊等。3、整流器二極管模塊整流二極管模塊是利用二極管正向?qū)?，反向截止的原理，將交流電能轉(zhuǎn)變?yōu)橘|(zhì)量電能的半導(dǎo)體器件。特性是耐高壓，功率大，整流電流較大，工作頻率較低，主要用于各種低頻半波整流電路，或連成整流橋做全波整流。整流管模塊一般是400-3000V的電壓。4...

這主要是因?yàn)槭褂胿ce退飽和檢測時(shí)，檢測盲區(qū)(1-8微秒)相對較長，發(fā)射極電壓檢測閾值設(shè)置的相對較高，使檢測效果并不理想。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本實(shí)用新型的目的是提供一種ipm模塊短路檢測電路，解決了現(xiàn)有ipm模塊退飽和短路檢測因檢測盲區(qū)時(shí)間長，使ipm模塊發(fā)生損壞的問題。本實(shí)用新型所采用的技術(shù)方案是，一種ipm模塊短路檢測電路，包括連接在ipm模塊發(fā)射極端子與柵極端子之間的低阻值電阻r、放大濾波電路、保護(hù)電路和驅(qū)動(dòng)電路，放大濾波電路采集放大電阻r的電流，保護(hù)電路將放大的電流信號轉(zhuǎn)換為電壓信號u，并與閾值電壓uref進(jìn)行比較，若u本實(shí)用新型的技術(shù)特征還在于，電阻r的阻值為～。保護(hù)電路包括依...

4.晶閘管在導(dǎo)通情況下，當(dāng)主回路電壓（或電流）減小到接近于零時(shí)，晶閘管關(guān)斷。晶體閘流管工作過程編輯晶閘管是四層三端器件，它有J1、J2、J3三個(gè)PN結(jié)圖1，可以把它中間的NP分成兩部分，構(gòu)成一個(gè)PNP型三極管和一個(gè)NPN型三極管的復(fù)合管當(dāng)晶閘管承受正向陽極電壓時(shí)，為使晶閘管導(dǎo)通，必須使承受反向電壓的PN結(jié)J2失去阻擋作用。因此，兩個(gè)互相復(fù)合的晶體管電路，當(dāng)有足夠的門極電流Ig流入時(shí)，就會(huì)形成強(qiáng)烈的正反饋，造成兩晶體管飽和導(dǎo)通，晶體管飽和導(dǎo)通。設(shè)PNP管和NPN管的集電極電流相應(yīng)為Ic1和Ic2；發(fā)射極電流相應(yīng)為Ia和Ik；電流放大系數(shù)相應(yīng)為a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik，設(shè)...

不需要具體計(jì)算IAT、IG之值，只要讀出二者所對應(yīng)的表針正向偏轉(zhuǎn)格數(shù)，即可迅速估測關(guān)斷增益值。晶體閘流管注意事項(xiàng)編輯（1）在檢查大功率GTO器件時(shí)，建議在R×1檔外邊串聯(lián)一節(jié)′，以提高測試電壓和測試電流，使GTO可靠地導(dǎo)通。（2）要準(zhǔn)確測量GTO的關(guān)斷增益βoff，必須有**測試設(shè)備。但在業(yè)余條件下可用上述方法進(jìn)行估測。由于測試條件不同，測量結(jié)果*供參考，或作為相對比較的依據(jù)。逆導(dǎo)晶閘管RCT(Reverse-ConductingThyristir)亦稱反向?qū)ňчl管。其特點(diǎn)是在晶閘管的陽極與陰極之間反向并聯(lián)一只二極管，使陽極與陰極的發(fā)射結(jié)均呈短路狀態(tài)。由于這種特殊電路結(jié)構(gòu)，使之具...

用戶自備時(shí)按以下原則選取：1、軸流風(fēng)機(jī)的風(fēng)速應(yīng)大于6m/s；2、必須能保證模塊正常工作時(shí)散熱底板溫度不大于80℃；3、模塊負(fù)載較輕時(shí)，可減小散熱器的大小或采用自然冷卻；4、采用自然方式冷卻時(shí)散熱器周圍的空氣能實(shí)現(xiàn)對流并適當(dāng)增大散熱器面積；5、所有緊固模塊的螺釘必須擰緊，壓線端子連接牢固，以減少次生熱量的產(chǎn)生，模塊底板和散熱器之間必須要涂敷一層導(dǎo)熱硅脂或墊上一片底板大小的導(dǎo)熱墊，以達(dá)到**佳散熱效果。8、模塊的安裝與維護(hù)（1）在模塊導(dǎo)熱底板表面與散熱器表面各均勻涂覆一層導(dǎo)熱硅脂，然后用四個(gè)螺釘把模塊固定于散熱器上，固定螺釘不要一次擰緊，幾個(gè)螺釘要依次固定，用力要均勻，反復(fù)幾次，直至牢...

流過IGBT的電流值超過短路動(dòng)作電流，則立刻發(fā)生短路保護(hù)，***門極驅(qū)動(dòng)電路，輸出故障信號。跟過流保護(hù)一樣，為避免發(fā)生過大的di/dt，大多數(shù)IPM采用兩級關(guān)斷模式。為縮短過流保護(hù)的電流檢測和故障動(dòng)作間的響應(yīng)時(shí)間，IPM內(nèi)部使用實(shí)時(shí)電流控制電路(RTC)，使響應(yīng)時(shí)間小于100ns，從而有效抑制了電流和功率峰值，提高了保護(hù)效果。當(dāng)IPM發(fā)生UV、OC、OT、SC中任一故障時(shí)，其故障輸出信號持續(xù)時(shí)間tFO為1．8ms(SC持續(xù)時(shí)間會(huì)長一些)，此時(shí)間內(nèi)IPM會(huì)***門極驅(qū)動(dòng)，關(guān)斷IPM;故障輸出信號持續(xù)時(shí)間結(jié)束后，IPM內(nèi)部自動(dòng)復(fù)位，門極驅(qū)動(dòng)通道開放?？梢钥闯?，器件自身產(chǎn)生的故障信號是非...

它具有很強(qiáng)的抗干擾能力、良好的高壓絕緣性能和較高的瞬時(shí)過電壓承受能力，因而被應(yīng)用于高壓直流輸電(HVDC)、靜止無功功率補(bǔ)償(SVC)等領(lǐng)域。其研制水平大約為8000V/3600A。逆變晶閘因具有較短的關(guān)斷時(shí)間(10～15s)而主要用于中頻感應(yīng)加熱。在逆變電路中，它已讓位于GTR、GTO、IGBT等新器件。目前，其最大容量介于2500V/1600A/1kHz和800V/50A/20kHz的范圍之內(nèi)。5非對稱晶閘是一種正、反向電壓耐量不對稱的晶閘管。而逆導(dǎo)晶閘管不過是非對稱晶閘管的一種特例，是將晶閘管反并聯(lián)一個(gè)二極管制作在同一管芯上的功率集成器件。與普通晶閘管相比，它具有關(guān)斷時(shí)間短、...

并通過所述第二門極壓接式組件對所述第三導(dǎo)電片、鉬片、銀片、鋁片施加壓合作用力，所述第三導(dǎo)電片、鉬片、銀片、鋁片依次設(shè)置于所述銅底板上。作為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的改進(jìn)，任一所述接頭包括：螺栓和螺母，所述螺栓與螺母之間還設(shè)置有彈簧墊圈和平墊圈。作為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的改進(jìn)，所述銅底板通過硅凝膠對位于其上的***導(dǎo)電片、第二導(dǎo)電片、瓷板進(jìn)行固定。作為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的改進(jìn)，所述銅底板通過硅凝膠對位于其上的第三導(dǎo)電片、鉬片、銀片、鋁片進(jìn)行固定。作為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的改進(jìn)，所述***壓塊和第二壓塊上還設(shè)置有絕緣套管。作為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的改進(jìn)，所述絕緣套管與對應(yīng)的壓塊...

4.晶閘管在導(dǎo)通情況下，當(dāng)主回路電壓（或電流）減小到接近于零時(shí)，晶閘管關(guān)斷。晶體閘流管工作過程編輯晶閘管是四層三端器件，它有J1、J2、J3三個(gè)PN結(jié)圖1，可以把它中間的NP分成兩部分，構(gòu)成一個(gè)PNP型三極管和一個(gè)NPN型三極管的復(fù)合管當(dāng)晶閘管承受正向陽極電壓時(shí)，為使晶閘管導(dǎo)通，必須使承受反向電壓的PN結(jié)J2失去阻擋作用。因此，兩個(gè)互相復(fù)合的晶體管電路，當(dāng)有足夠的門極電流Ig流入時(shí)，就會(huì)形成強(qiáng)烈的正反饋，造成兩晶體管飽和導(dǎo)通，晶體管飽和導(dǎo)通。設(shè)PNP管和NPN管的集電極電流相應(yīng)為Ic1和Ic2；發(fā)射極電流相應(yīng)為Ia和Ik；電流放大系數(shù)相應(yīng)為a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik，設(shè)...

絕緣柵雙極晶體管)和MOSFET(Metallicoxidesemiconductorfieldeffecttransistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)等高頻自關(guān)斷器件應(yīng)用的日益***,驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)就顯得尤為重要。本文介紹了一種以CONCEPT公司的IGD515EI驅(qū)動(dòng)器為主要器件構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)電路,適用于大功率、高耐壓IGBT模塊串、并聯(lián)電路的驅(qū)動(dòng)和保護(hù)。通過光纖傳輸驅(qū)動(dòng)及狀態(tài)識別信號,進(jìn)行高壓隔離傳輸,具有良好的抗電磁干擾性能和高于15A的驅(qū)動(dòng)電流。因此,該電路適用于高壓大功率場合。在隔離的高電位端,IGD515EI內(nèi)部的DC-DC電源模塊只需一路驅(qū)動(dòng)電源就能夠產(chǎn)生柵極驅(qū)...

還有一個(gè)小問題：因?yàn)?010內(nèi)建死區(qū)**小為300NS，不能到0死區(qū)，所以，還原的饅頭波，可能會(huì)有150NS的收縮，造成合成的正弦波在過0點(diǎn)有一點(diǎn)交越失真，如果8010能做到有一檔是0死區(qū)，我這個(gè)問題就能完美解決了。經(jīng)和屹晶的許工聯(lián)系，他說可以做成0死區(qū)的，看來是第二版可以做得更完美了。驅(qū)動(dòng)板做好了，但我這里沒有大功率的高壓電源進(jìn)行帶功率的測試，只得寄給神八兄，讓他對這塊驅(qū)動(dòng)板進(jìn)行一番***的測試，現(xiàn)在，這塊板還在路上。神八兄測試的過程和結(jié)果，可以跟在這個(gè)貼子上，經(jīng)享眾朋友。在母線電壓392的情況下，做短路試驗(yàn)，試了十多次，均可靠保護(hù)，沒有燒任何東西，帶載短路也試了幾次，保護(hù)靈敏可...

絕緣柵雙極晶體管)和MOSFET(Metallicoxidesemiconductorfieldeffecttransistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)等高頻自關(guān)斷器件應(yīng)用的日益***,驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)就顯得尤為重要。本文介紹了一種以CONCEPT公司的IGD515EI驅(qū)動(dòng)器為主要器件構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)電路,適用于大功率、高耐壓IGBT模塊串、并聯(lián)電路的驅(qū)動(dòng)和保護(hù)。通過光纖傳輸驅(qū)動(dòng)及狀態(tài)識別信號,進(jìn)行高壓隔離傳輸,具有良好的抗電磁干擾性能和高于15A的驅(qū)動(dòng)電流。因此,該電路適用于高壓大功率場合。在隔離的高電位端,IGD515EI內(nèi)部的DC-DC電源模塊只需一路驅(qū)動(dòng)電源就能夠產(chǎn)生柵極驅(qū)...

2、肖特基二極管模塊肖特基二極管A為正極，以N型半導(dǎo)體B為負(fù)極利用二者接觸面上形成的勢壘具有整流特性而制成的金屬半導(dǎo)體器件。特性是正向?qū)妷旱?，反向恢?fù)時(shí)間小，正向整流大，應(yīng)用在低壓大電流輸出場合做高頻整流。肖特基二極管模塊分50V肖特基二極管模塊，100V肖特基二極管模塊，150V肖特基二極管模塊，200V肖特基二極模塊等。3、整流器二極管模塊整流二極管模塊是利用二極管正向?qū)?，反向截止的原理，將交流電能轉(zhuǎn)變?yōu)橘|(zhì)量電能的半導(dǎo)體器件。特性是耐高壓，功率大，整流電流較大，工作頻率較低，主要用于各種低頻半波整流電路，或連成整流橋做全波整流。整流管模塊一般是400-3000V的電壓。4...

還有一個(gè)小問題：因?yàn)?010內(nèi)建死區(qū)**小為300NS，不能到0死區(qū)，所以，還原的饅頭波，可能會(huì)有150NS的收縮，造成合成的正弦波在過0點(diǎn)有一點(diǎn)交越失真，如果8010能做到有一檔是0死區(qū)，我這個(gè)問題就能完美解決了。經(jīng)和屹晶的許工聯(lián)系，他說可以做成0死區(qū)的，看來是第二版可以做得更完美了。驅(qū)動(dòng)板做好了，但我這里沒有大功率的高壓電源進(jìn)行帶功率的測試，只得寄給神八兄，讓他對這塊驅(qū)動(dòng)板進(jìn)行一番***的測試，現(xiàn)在，這塊板還在路上。神八兄測試的過程和結(jié)果，可以跟在這個(gè)貼子上，經(jīng)享眾朋友。在母線電壓392的情況下，做短路試驗(yàn)，試了十多次，均可靠保護(hù)，沒有燒任何東西，帶載短路也試了幾次，保護(hù)靈敏可...

由此證明被測RCT質(zhì)量良好。注意事項(xiàng)：（1）S3900MF的VTR<，宜選R×1檔測量。（2）若再用讀取電流法求出ITR值，還可以繪制反向伏安特性。①一般小功率晶閘管不需加散熱片，但應(yīng)遠(yuǎn)離發(fā)熱元件，如大功率電阻、大功率三極管以及電源變壓器等。對于大功率晶閘管，必須按手冊申的要求加裝散熱裝置及冷卻條件，以保證管子工作時(shí)的溫度不超過結(jié)溫。②晶閘管在使用中發(fā)生超越和短路現(xiàn)象時(shí)，會(huì)引發(fā)過電流將管子燒毀。對于過電流，一般可在交流電源中加裝快速保險(xiǎn)絲加以保護(hù)?？焖俦ｋU(xiǎn)絲的熔斷時(shí)間極短，一般保險(xiǎn)絲的額定電流用晶閘管額定平均電流的。③交流電源在接通與斷開時(shí)，有可能在晶閘管的導(dǎo)通或阻斷對出現(xiàn)過壓現(xiàn)象...

流過IGBT的電流值超過短路動(dòng)作電流，則立刻發(fā)生短路保護(hù)，***門極驅(qū)動(dòng)電路，輸出故障信號。跟過流保護(hù)一樣，為避免發(fā)生過大的di/dt，大多數(shù)IPM采用兩級關(guān)斷模式。為縮短過流保護(hù)的電流檢測和故障動(dòng)作間的響應(yīng)時(shí)間，IPM內(nèi)部使用實(shí)時(shí)電流控制電路(RTC)，使響應(yīng)時(shí)間小于100ns，從而有效抑制了電流和功率峰值，提高了保護(hù)效果。當(dāng)IPM發(fā)生UV、OC、OT、SC中任一故障時(shí)，其故障輸出信號持續(xù)時(shí)間tFO為1．8ms(SC持續(xù)時(shí)間會(huì)長一些)，此時(shí)間內(nèi)IPM會(huì)***門極驅(qū)動(dòng)，關(guān)斷IPM;故障輸出信號持續(xù)時(shí)間結(jié)束后，IPM內(nèi)部自動(dòng)復(fù)位，門極驅(qū)動(dòng)通道開放?？梢钥闯?，器件自身產(chǎn)生的故障信號是非...