相對來說體積小、重量輕、成本低。但該調(diào)壓方式存在一致命缺陷，由于斬波，使電壓無法實現(xiàn)正弦波輸出，還會出現(xiàn)大量諧波，形成對電網(wǎng)系統(tǒng)諧波污染，危害極大，不能用在有電容補償電路中。(現(xiàn)代照明設(shè)計要求規(guī)定，照明系統(tǒng)率因數(shù)必須達到，而氣體放電燈的功率因數(shù)在一般在，所以都設(shè)計用電容補償功率因數(shù))在國外發(fā)達國家，已有明文規(guī)定對電氣設(shè)備諧波含量的限制，在國內(nèi)，北京、上海、廣州等大城市，已對諧波含量超標的設(shè)備限制并入電網(wǎng)使用。采用可控硅技術(shù)對照明系統(tǒng)進行照度控制時,可通過加裝濾波設(shè)備來有效降低諧波污染。近年來，許多新型可控硅元件相繼問世，如適于高頻應(yīng)用的快速可控硅，可以用正或負的觸發(fā)信號控制兩個方向?qū)ǖ碾p向可...

可控硅模塊通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductormodule)。早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式，具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件?？煽毓枘K的優(yōu)點：體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊、可靠性高、外接線簡單、互換性好、便于維修和安裝；結(jié)構(gòu)重復(fù)性好，裝置的機械設(shè)計可以簡化，價格比分立器件低等諸多優(yōu)點?？煽毓枘K的分類可控硅模塊從X芯片上看，可以分為可控模塊和整流模塊兩大類，從具體的用途上區(qū)分，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX)、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘管、整流管混合模塊(MFC)、快速晶閘管、整流管及混合模塊（M...

BG1、BG2受到反向電壓作用將處于截止狀態(tài)。這時，即使輸入觸發(fā)信號，可控硅也不能工作。反過來，E接成正向，而觸動發(fā)信號是負的，可控硅也不能導(dǎo)通。另外，如果不加觸發(fā)信號，而正向陽極電壓大到超過一定值時，可控硅也會導(dǎo)通，但已屬于非正常工作情況了?？煽毓柽@種通過觸發(fā)信號（小觸發(fā)電流）來控制導(dǎo)通（可控硅中通過大電流）的可控特性，正是它區(qū)別于普通硅整流二極管的重要特征。由于可控硅只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種工作狀態(tài)，所以它具有開關(guān)特性，這種特性需要一定的條件才能轉(zhuǎn)化，此條件見表1應(yīng)用舉例：可控硅在實際應(yīng)用中電路花樣多的是其柵極觸發(fā)回路，概括起來有直流觸發(fā)電路，交流觸發(fā)電路，相位觸發(fā)電路等等。1、直流觸發(fā)電路：如...

即其中一只單向硅陽極與另一只陰極相邊連，其引出端稱T2極，其中一只單向硅陰極與另一只陽極相連，其引出端稱T2極，剩下則為控制極（G）。1、單、雙向可控硅的判別：先任測兩個極，若正、反測指針均不動（R×1擋），可能是A、K或G、A極（對單向可控硅）也可能是T2、T1或T2、G極（對雙向可控硅）。若其中有一次測量指示為幾十至幾百歐，則必為單向可控硅。且紅筆所接為K極，黑筆接的為G極，剩下即為A極。若正、反向測批示均為幾十至幾百歐，則必為雙向可控硅。再將旋鈕撥至R×1或R×10擋復(fù)測，其中必有一次阻值稍大，則稍大的一次紅筆接的為G極，黑筆所接為T1極，余下是T2極。2、性能的差別：將旋鈕撥至R×1擋...

其閘流特性表現(xiàn)為當可控硅加上正向陽極電壓的同時又加上適當?shù)恼蚩刂齐妷簳r，可控硅就導(dǎo)通；這一導(dǎo)通即使在撤去門極控制電壓后仍將維持，一直到加上反向陽極電壓或陽極電流小于可控硅自身的維持電流后才關(guān)斷。普通的可控硅調(diào)光器就是利用可控硅的這一特性實現(xiàn)前沿觸發(fā)相控調(diào)壓的。在正弦波交流電過零后的某一時刻t1（或某一相位角wt1），在可控硅控制極上加一觸發(fā)脈沖，使可控硅導(dǎo)通，根據(jù)前面介紹過的可控硅開關(guān)特性，這一導(dǎo)通將維持到正弦波正半周結(jié)束。因此在正弦波的正半周（即0~p區(qū)間）中，0~wt1范圍可控硅不導(dǎo)通，這一范圍稱為控制角，常用a表示；而在wt1~p間可控硅導(dǎo)通，這一范圍稱為導(dǎo)通角，常用j表示。同理在正弦...

可控硅是可控硅整流元件的簡稱，是一種具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件，一般由兩晶閘管反向連接而成。它的功能不僅是整流，還可以用作無觸點開關(guān)的快速接通或切斷；實現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變；將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等?？煽毓韬推渌雽?dǎo)體器件一樣，有體積小、效率高、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點。它的出現(xiàn)，使半導(dǎo)體技術(shù)從弱電領(lǐng)域進入了強電領(lǐng)域，成為工業(yè)、農(nóng)業(yè)、交通運輸、科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭相采用的元件。目前可控硅在自動控制、機電應(yīng)用、工業(yè)電氣及家電等方面都有的應(yīng)用?？煽毓鑿耐庑紊蠀^(qū)分主要有螺旋式、平板式和平底式三種。螺旋式應(yīng)用較多。可控硅有三個極----陽極(A)、陰...

⑴視覺屏障作用玄關(guān)對的視線產(chǎn)生了一定的視覺屏障，不至于開門見廳，讓人們一進門就對客廳的情形一覽無余。它注重人們戶內(nèi)行為的私密性及隱蔽性，保證了廳內(nèi)的安全性和距離感，在客人來訪和家人出入時，能夠很好的解決干擾和心理安全問題，使人們出門入戶過程更加有序。⑵較強的使用功能玄關(guān)在使用功能上，可以用來作為簡單地接待客人、接受郵件、換衣、換鞋、擱包的地方，也可設(shè)置放包及鑰匙等小物品的平臺。⑶保溫作用玄4觸摸出門開關(guān)有什么特點只要碰到就能開燈，黑暗中方便開燈；只要碰到就能開燈,黑暗中方便開燈;5多聯(lián)墻壁開關(guān)有哪些特點多聯(lián)墻壁開關(guān)采用lonworks工控電力載波技術(shù),利用家中的零火線電網(wǎng)來傳輸信號,安裝布線和...

可控硅簡介可控硅（SiliconControlledRecTIfier）簡稱SCR，是一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長等優(yōu)點。在自動控制系統(tǒng)中，可作為大功率驅(qū)動器件，實現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備。它在交直流電機調(diào)速系統(tǒng)、調(diào)功系統(tǒng)及隨動系統(tǒng)中得到了的應(yīng)用。可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅，簡稱TRIAC。雙向可控硅在結(jié)構(gòu)上相當于兩個單向可控硅反向連接，這種可控硅具有雙向?qū)üδ?。其通斷狀態(tài)由控制極G決定。在控制極G上加正脈沖（或負脈沖）可使其正向（或反向）導(dǎo)通。這種裝置的優(yōu)點是控制電路簡單，沒有反向耐壓問題，因此特別適合做交流無觸點開...

現(xiàn)代照明設(shè)計要求規(guī)定，照明系統(tǒng)率因數(shù)必須達到，而氣體放電燈的功率因數(shù)在一般在，所以都設(shè)計用電容補償功率因數(shù)）在國外發(fā)達國家，已有明文規(guī)定對電氣設(shè)備諧波含量的限制，在國內(nèi)，北京、上海、廣州等大城市，已對諧波含量超標的設(shè)備限制并入電網(wǎng)使用。采用可控硅技術(shù)對照明系統(tǒng)進行照度控制時，可通過加裝濾波設(shè)備來有效降低諧波污染。近年來，許多新型可控硅元件相繼問世，如適于高頻應(yīng)用的快速可控硅，可以用正或負的觸發(fā)信號控制兩個方向?qū)ǖ碾p向可控硅，可以用正觸發(fā)信號使其導(dǎo)通，用負觸發(fā)信號使其關(guān)斷的可控硅等等。應(yīng)用介紹------可控硅在調(diào)光器中的應(yīng)用：可控硅調(diào)光器是目前舞臺照明、環(huán)境照明領(lǐng)域的主流設(shè)備。在照明系統(tǒng)中使...

雙向可控硅型號,雙向可控硅是怎樣命名的雙向可控硅是怎樣命名的?雙向可控硅為什么稱為“TRIAC”?三端：TRIode(取個字母)交流半導(dǎo)體開關(guān)：ACsemiconductorswitch(取前兩個字母)以上兩組名詞組合成“TRIAC”中文譯意“三端雙向可控硅開關(guān)”。由此可見“TRIAC”是雙向可控硅的統(tǒng)稱。-------------------------------------雙向：Bi-directional(取個字母)控制：Controlled(取個字母)整流器：Rectifier(取個字母)再由這三組英文名詞的早字母組合而成:“BCR”中文譯意:雙向可控硅。以“BCR”來命名雙向可控硅...

1裝飾開關(guān)與點開關(guān)有什么不同通常我們在網(wǎng)上看到的點開關(guān)一般是指福田純平點開關(guān),而傳統(tǒng)開關(guān)和裝飾開關(guān)等都是指普通非純平的大。如果說傳統(tǒng)的就是我們以前使用的,那么裝飾開關(guān)就像是在上添加了一個殼;而就像是我們現(xiàn)在使用的,是傳統(tǒng)的改進。2可控式地暖經(jīng)常開關(guān)有危害性嗎應(yīng)該沒有.但過頻容易使開關(guān)損壞.可控式地暖經(jīng)常開關(guān)危害性倒是沒有,但如果經(jīng)常開關(guān)會使地暖開關(guān)不靈活。有的業(yè)主總是會在需要的時候打開溫控,出門的時候就關(guān)閉,認為這樣會很省電,其實這樣不但不會節(jié)省電,還會更耗能,不僅如此,還會耗損地暖的開關(guān)。因為地暖系統(tǒng)是一個低溫運行的系統(tǒng),所以地面輻射供暖系統(tǒng)具有良好的蓄熱性,根本不需要經(jīng)常開關(guān)。經(jīng)常性的開與...

在保持黑筆不脫離A極狀態(tài)下斷開G極，指針應(yīng)指示幾十歐至一百歐，此時可控硅已被觸發(fā)，且觸發(fā)電壓低（或觸發(fā)電流小）。然后瞬時斷開A極再接通，指針應(yīng)退回∞位置，則表明可控硅良好。對于1~6A雙向可控硅，紅筆接T1極，黑筆同時接G、T2極，在保證黑筆不脫離T2極的前提下斷開G極，指針應(yīng)指示為幾十至一百多歐（視可控硅電流大小、廠家不同而異）。然后將兩筆對調(diào)，重復(fù)上述步驟測一次，指針指示還要比上一次稍大十幾至幾十歐，則表明可控硅良好，且觸發(fā)電壓（或電流）小。若保持接通A極或T2極時斷開G極，指針立即退回∞位置，則說明可控硅觸發(fā)電流太大或損壞。可按圖2方法進一步測量，對于單向可控硅，閉合開關(guān)K，燈應(yīng)發(fā)亮，斷...

可控硅概況可控硅是可控硅整流元件的簡稱，是一種具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件，一般由兩晶閘管反向連接而成。它的功能不僅是整流，還可以用作無觸點開關(guān)的快速接通或切斷；實現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變；將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等?？煽毓韬推渌雽?dǎo)體器件一樣，有體積小、效率高、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點。它的出現(xiàn)，使半導(dǎo)體技術(shù)從弱電領(lǐng)域進入了強電領(lǐng)域，成為工業(yè)、農(nóng)業(yè)、交通運輸、科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭相采用的元件。目前可控硅在自動控制、機電應(yīng)用、工業(yè)電氣及家電等方面都有的應(yīng)用?？煽毓鑿耐庑紊蠀^(qū)分主要有螺旋式、平板式和平底式三種。螺旋式應(yīng)用較多?？煽毓韫ぷ髟斫馕隹煽毓杞Y(jié)...

表針應(yīng)向右偏并保持在十幾歐姆位置，如下圖所示，否則說明單向可控硅已損壞。三、檢測雙向可控硅雙向可控硅是一種交流型功率控制器件。雙向可控硅的3個引腳分別是控制極G，主電極T1和主電極T2，如下圖所示。由于雙向可控硅的兩個主電極是對稱的，因此使用中可以任意互換。檢測時，萬用表置于Rx1Ω檔，先用兩表筆測量雙向可控硅的控制極G與主電極T1之間的正、反向電阻，均應(yīng)為較小阻值。如下圖所示。再用萬用表兩表筆測量雙向可控硅的控制極G與主電極T2之間的正、反向電阻，均應(yīng)為無窮大，如下圖所示。四、檢測雙向可控硅的導(dǎo)通特性萬用表置于Rx1Ω檔，黑表筆接雙向可控硅主電極T1，紅表筆接主電極T2，表針指示應(yīng)為無窮大，...

并且在“BT”后加“A”或“B”來表示絕緣與非絕緣。組合成：“BTA”、“BTB”系列的雙向可控硅型號，如：四象限/絕緣型/雙向可控硅:BTA06-600C、BTA12-600B、BTA16-600B、BTA41-600B等等；四象限/非絕緣/雙向可控硅:BTB06-600C、BTB12-600B、BTB16-600B、BTB41-600B等等；ST公司所有產(chǎn)品型號的后綴字母(型號一個字母)帶“W”的，均為“三象限雙向可控硅”。如“BW”、“CW”、“SW”、“TW”；型號如:BTB12-600BW、BTA26-700CW、BTA08-600SW、、、、等等。至于型號后綴字母的觸發(fā)電流，各個廠...

可控硅，又叫晶閘管，可控硅相當于可以控制的二極管，當控制極加一定的電壓時，陰極和陽極就導(dǎo)通了?？煽毓韬推渌雽?dǎo)體器件一樣，其有體積小、效率高、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點。它的出現(xiàn)，使半導(dǎo)體技術(shù)從弱電領(lǐng)域進入了強電領(lǐng)域，成為工業(yè)、農(nóng)業(yè)、交通運輸、科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭相采用的元件。下面賢集網(wǎng)小編要具體為大家介紹一下可控硅的型號、特性、分類、使用規(guī)則、用途、主要參數(shù)、可控硅的不同幾個極的判別方法、雙向可控硅和單向可控硅的區(qū)別?？煽毓璧男吞?、優(yōu)派克EUPECT系列可控硅、D系列二極管、DxS系列快速二極管；2、東芝TOSHIBASF系列可控硅、SG系列GTO；3、西門康SEMIKRONSKT...

若測得元件陰陽極正反向已短路，或陽極與控制極短路，或控制極與陰極反向短路，或控制極與陰極斷路，說明元件已損壞?？煽毓韫ぷ髟硎鞘裁?(圖)可控硅工作原理是什么?(圖)可控硅相當于可以控制的二極管，當控制極加一定的電壓時，陰極和陽極就導(dǎo)通了?？煽毓璺謫蜗蚩煽毓韬碗p向可控硅兩種，都是三個電極。單向可控硅有陰極（K）、陽極（A）、控制極（G）。雙向可控硅等效于兩只單項可控硅反向并聯(lián)而成。即其中一只單向硅陽極與另一只陰極相邊連，其引出端稱T2極，其中一只單向硅陰極與另一只陽極相連，其引出端稱T2極，剩下則為控制極（G）。1、單、雙向可控硅的判別：先任測兩個極，若正、反測指針均不動（R×1擋），可能是A...

允許通過陰極和陽極的電流平均值。可控硅封裝形式編輯常用可控硅的封裝形式有TO-92、TO-126、TO-202AB、TO-220、TO-220ABC、TO-3P、SOT-89、TO-251、TO-252、SOT-23、SOT23-3L等可控硅用途編輯普通晶閘管基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路。如果把二極管換成晶閘管，就可以構(gòu)成可控整流電路。以簡單的單相半波可控整流電路為例，在正弦交流電壓U2的正半周期間，如果VS的控制極沒有輸入觸發(fā)脈沖Ug，VS仍然不能導(dǎo)通，只有在U2處于正半周，在控制極外加觸發(fā)脈沖Ug時，晶閘管被觸發(fā)導(dǎo)通。畫出它的波形（c）及（d），只有在...

故晶閘管的陽極電流Ia≈Ic0晶閘關(guān)處于正向阻斷狀態(tài)。當晶閘管在正向陽極電壓下，從門極G流入電流Ig,由于足夠大的Ig流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié)，從而提高起點流放大系數(shù)a2,產(chǎn)生足夠大的極電極電流Ic2流過PNP管的發(fā)射結(jié)，并提高了PNP管的電流放大系數(shù)a1,產(chǎn)生更大的極電極電流Ic1流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié)。這樣強烈的正反饋過程迅速進行。從圖3，當a1和a2隨發(fā)射極電流增加而（a1+a2）≈1時，式（1—1）中的分母1-（a1+a2）≈0,因此提高了晶閘管的陽極電流Ia.這時，流過晶閘管的電流完全由主回路的電壓和回路電阻決定。晶閘管已處于正向?qū)顟B(tài)。式（1—1）中，在晶閘管導(dǎo)通后，1-（a1+a2）...

增加電力網(wǎng)的穩(wěn)定，然后由逆變器將直流高壓逆變?yōu)?0HZ三相交流。直流——交流中頻加熱和交流電動機的變頻調(diào)速、串激調(diào)速等變頻，交流——頻率可變交流四、斬波調(diào)壓（脈沖調(diào)壓）斬波調(diào)壓是直流——可變直流之間的變換，用在城市電車、電氣機車、電瓶搬運車、鏟車（叉車）、電氣汽車等，高頻電源用于電火花加工。五、無觸點功率靜態(tài)開關(guān)（固態(tài)開關(guān)）作為功率開關(guān)元件，代替接觸器、繼電器用于開關(guān)頻率很高的場合晶閘管導(dǎo)通條件：晶閘管加上正向陽極電壓后，門極加上適當正向門極電壓，使晶閘管導(dǎo)通過程稱為觸發(fā)。晶閘管一旦觸發(fā)導(dǎo)通后，門極就對它失去控制作用，通常在門極上只要加上一個正向脈沖電壓即可，稱為觸發(fā)電壓。門極在一定條件下可以...

因此負載獲得較少的電功率。這個典型的電功率無級調(diào)整電路在日常生活中有很多電氣產(chǎn)品中都應(yīng)用它。可控硅主要參數(shù)有：1、額定通態(tài)平均電流在一定條件下，陽極---陰極間可以連續(xù)通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。2、正向阻斷峰值電壓在控制極開路未加觸發(fā)信號，陽極正向電壓還未超過導(dǎo)能電壓時，可以重復(fù)加在可控硅兩端的正向峰值電壓?？煽毓璩惺艿恼螂妷悍逯?，不能超過手冊給出的這個參數(shù)值。3、反向陰斷峰值電壓當可控硅加反向電壓，處于反向關(guān)斷狀態(tài)時，可以重復(fù)加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時，不能超過手冊給出的這個參數(shù)值。4、控制極觸發(fā)電流在規(guī)定的環(huán)境溫度下，陽極---陰極間加一定電壓，使可控硅從關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)為...

1裝飾開關(guān)與點開關(guān)有什么不同通常我們在網(wǎng)上看到的點開關(guān)一般是指福田純平點開關(guān),而傳統(tǒng)開關(guān)和裝飾開關(guān)等都是指普通非純平的大。如果說傳統(tǒng)的就是我們以前使用的,那么裝飾開關(guān)就像是在上添加了一個殼;而就像是我們現(xiàn)在使用的,是傳統(tǒng)的改進。2可控式地暖經(jīng)常開關(guān)有危害性嗎應(yīng)該沒有.但過頻容易使開關(guān)損壞.可控式地暖經(jīng)常開關(guān)危害性倒是沒有,但如果經(jīng)常開關(guān)會使地暖開關(guān)不靈活。有的業(yè)主總是會在需要的時候打開溫控,出門的時候就關(guān)閉,認為這樣會很省電,其實這樣不但不會節(jié)省電,還會更耗能,不僅如此,還會耗損地暖的開關(guān)。因為地暖系統(tǒng)是一個低溫運行的系統(tǒng),所以地面輻射供暖系統(tǒng)具有良好的蓄熱性,根本不需要經(jīng)常開關(guān)。經(jīng)常性的開與...

通過上面對工作原理的分析可知，可控硅只具有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種工作狀態(tài)，那么這兩種工作狀態(tài)之間如何進行轉(zhuǎn)換呢？狀態(tài)的轉(zhuǎn)換需要什么條件呢？下圖將會告訴你答案。可控硅主要參數(shù)⒈額定通態(tài)電流（IT）即大穩(wěn)定工作電流，俗稱電流。常用可控硅的IT一般為一安到幾十安。⒉反向重復(fù)峰值電壓（VRRM）或斷態(tài)重復(fù)峰值電壓（VDRM），俗稱耐壓。常用可控硅的VRRM/VDRM一般為幾百伏到一千伏。⒊控制極觸發(fā)電流（IGT），俗稱觸發(fā)電流。常用可控硅的IGT一般為幾微安到幾十毫安。4，在規(guī)定環(huán)境溫度和散熱條件下，允許通過陰極和陽極的電流平均值可控硅用途普通晶閘管基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整...

雙向晶閘管的伏安特性見圖3，由于正、反向特性曲線具有對稱性，所以它可在任何一個方向?qū)?。從晶閘管的內(nèi)部分析工作過程：晶閘管是四層三端器件，它有J1、J2、J3三個PN結(jié)圖一，可以把它中間的NP分成兩部分，構(gòu)成一個PNP型三極管和一個NPN型三極管的復(fù)合管圖二.當晶閘管承受正向陽極電壓時，為使晶閘管導(dǎo)通，必須使承受反向電壓的PN結(jié)J2失去阻擋作用。圖2中每個晶體管的集電極電流同時就是另一個晶體管的基極電流。因此，兩個互相復(fù)合的晶體管電路，當有足夠的門極電流Ig流入時，就會形成強烈的正反饋，造成兩晶體管飽和導(dǎo)通，晶體管飽和導(dǎo)通。設(shè)PNP管和NPN管的集電極電流相應(yīng)為Ic1和Ic2；發(fā)射極電流相應(yīng)為...

圖1所示為一個N溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)，N+區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極。N+區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在漏、源之間的P型區(qū)（包括P+和P一區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成），稱為亞溝道區(qū)（Subchannelregion）。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)（Draininjector），它是IGBT特有的功能區(qū)，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP雙極晶體管，起發(fā)射極的作用，向漏極注入空穴，進行導(dǎo)電調(diào)制，以降低器件的通態(tài)電壓。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極。IGBT的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP晶體管提供基極電流，使IGB...

TC=℃）------通態(tài)平均電流VTM=V-----------通態(tài)峰值電壓VDRM=V-------------斷態(tài)正向重復(fù)峰值電壓IDRM=mA-------------斷態(tài)重復(fù)峰值電流VRRM=V-------------反向重復(fù)峰值電壓IRRM=mA------------反向重復(fù)峰值電流IGT=mA------------門極觸發(fā)電流VGT=V------------門極觸發(fā)電壓執(zhí)行標準：QB-02-091．晶閘管關(guān)斷過電壓（換流過電壓、空穴積蓄效應(yīng)過電壓）及保護晶閘管從導(dǎo)通到阻斷，線路電感（主要是變壓器漏感LB）釋放能量產(chǎn)生過電壓。由于晶閘管在導(dǎo)通期間，載流子充滿元件內(nèi)部，在關(guān)斷...

晶閘管等元件通過整流來實現(xiàn)。除此之外整流器件還有很多，如：可關(guān)斷晶閘管GTO，逆導(dǎo)晶閘管，雙向晶閘管，整流模塊，功率模塊IGBT，SIT，MOSFET等等，這里只探討晶閘管。晶閘管又名可控硅，通常人們都叫可控硅。是一種功率半導(dǎo)體器件，由于它效率高，控制特性好，壽命長，體積小等優(yōu)點，自上個世紀六十長代以來，獲得了迅猛發(fā)展，并已形成了一門單獨的學(xué)科?！熬чl管交流技術(shù)”。晶閘管發(fā)展到，在工藝上已經(jīng)非常成熟，品質(zhì)更好，成品率大幅提高，并向高壓大電流發(fā)展。目前國內(nèi)晶閘管大額定電流可達5000A，國外更大。我國的韶山電力機車上裝載的都是我國自行研制的大功率晶閘管。晶閘管的應(yīng)用：一、可控整流如同二極管整流一...

E接成正向，而觸動發(fā)信號是負的，可控硅也不能導(dǎo)通。另外，如果不加觸發(fā)信號，而正向陽極電壓大到超過一定值時，可控硅也會導(dǎo)通，但已屬于非正常工作情況了?？煽毓柽@種通過觸發(fā)信號(小觸發(fā)電流)來控制導(dǎo)通(可控硅中通過大電流)的可控特性，正是它區(qū)別于普通硅整流二極管的重要特征。由于可控硅只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種工作狀態(tài)，所以它具有開關(guān)特性，這種特性需要一定的條件才能轉(zhuǎn)化，此條件見表1表1可控硅導(dǎo)通和關(guān)斷條件狀態(tài)條件說明從關(guān)斷到導(dǎo)通1、陽極電位高于是陰極電位2、控制極有足夠的正向電壓和電流兩者缺一不可維持導(dǎo)通1、陽極電位高于陰極電位2、陽極電流大于維持電流兩者缺一不可從導(dǎo)通到關(guān)斷1、陽極電位低于陰極電位2、陽極...

因此負載獲得較少的電功率。這個典型的電功率無級調(diào)整電路在日常生活中有很多電氣產(chǎn)品中都應(yīng)用它?？煽毓柚饕獏?shù)有：1、額定通態(tài)平均電流在一定條件下，陽極---陰極間可以連續(xù)通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。2、正向阻斷峰值電壓在控制極開路未加觸發(fā)信號，陽極正向電壓還未超過導(dǎo)能電壓時，可以重復(fù)加在可控硅兩端的正向峰值電壓?？煽毓璩惺艿恼螂妷悍逯?，不能超過手冊給出的這個參數(shù)值。3、反向陰斷峰值電壓當可控硅加反向電壓，處于反向關(guān)斷狀態(tài)時，可以重復(fù)加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時，不能超過手冊給出的這個參數(shù)值。4、控制極觸發(fā)電流在規(guī)定的環(huán)境溫度下，陽極---陰極間加一定電壓，使可控硅從關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)為...

圖1所示為一個N溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)，N+區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極。N+區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在漏、源之間的P型區(qū)（包括P+和P一區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成），稱為亞溝道區(qū)（Subchannelregion）。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)（Draininjector），它是IGBT特有的功能區(qū)，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP雙極晶體管，起發(fā)射極的作用，向漏極注入空穴，進行導(dǎo)電調(diào)制，以降低器件的通態(tài)電壓。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極。IGBT的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP晶體管提供基極電流，使IGB...