溫州大功率場(chǎng)效應(yīng)管原理

來源: 發(fā)布時(shí)間:2023-12-12

場(chǎng)效應(yīng)管電阻法測(cè)好壞:測(cè)電阻法是用萬用表測(cè)量場(chǎng)效應(yīng)管的源極與漏極、柵極與源極、柵極與漏極、柵極G1與柵極G2之間的電阻值同場(chǎng)效應(yīng)管手冊(cè)標(biāo)明的電阻值是否相符去判別管的好壞。具體方法:首先將萬用表置于R×10或R×100檔,測(cè)量源極S與漏極D之間的電阻,通常在幾十歐到幾千歐范圍(在手冊(cè)中可知,各種不同型號(hào)的管,其電阻值是各不相同的),如果測(cè)得阻值大于正常值,可能是由于內(nèi)部接觸不良;如果測(cè)得阻值是無窮大,可能是內(nèi)部斷極。然后把萬用表置于R×10k檔,再測(cè)柵極G1與G2之間、柵極與源極、柵極與漏極之間的電阻值,當(dāng)測(cè)得其各項(xiàng)電阻值均為無窮大,則說明管是正常的;若測(cè)得上述各阻值太小或?yàn)橥?,則說明管是壞的。要注意,若兩個(gè)柵極在管內(nèi)斷極,可用元件代換法進(jìn)行檢測(cè)。 場(chǎng)效應(yīng)管的制造工藝復(fù)雜,費(fèi)用較高。溫州大功率場(chǎng)效應(yīng)管原理

溫州大功率場(chǎng)效應(yīng)管原理,場(chǎng)效應(yīng)管

    場(chǎng)效應(yīng)管是場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FieldEffectTransistor,FET)的簡(jiǎn)稱。它屬于電壓型半導(dǎo)體器件,具有輸入電阻高、噪聲小、功耗低、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)?、受溫度影響小等,特別適用于高靈敏度和低噪聲的電路,現(xiàn)已成為普通晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者。普通晶體管(三極管)是一種電流元件,工作時(shí),多數(shù)載流子和少數(shù)載流子都參與運(yùn)行,所以被稱為雙極型晶體管;而場(chǎng)效應(yīng)管(FET)是一種電壓器件(改變其柵源電壓就可以改變其漏極電流),工作時(shí),只有一種載流子參與導(dǎo)電,因此它是單極型晶體管。場(chǎng)效應(yīng)管和三極管一樣都能實(shí)現(xiàn)信號(hào)的和放大,但由于他們構(gòu)造和工作原理截然不同,所以二者的差異很大。在某些特殊應(yīng)用方面,場(chǎng)效應(yīng)管優(yōu)于三極管,是三極管無法替代的。 江蘇金屬氧化半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管制造商場(chǎng)效應(yīng)管的可靠性較高,壽命長(zhǎng)。

溫州大功率場(chǎng)效應(yīng)管原理,場(chǎng)效應(yīng)管

場(chǎng)效應(yīng)管無標(biāo)示管的判別:首先用測(cè)量電阻的方法找出兩個(gè)有電阻值的管腳,也就是源極S和漏極D,余下兩個(gè)腳為點(diǎn)柵極G1和柵極G2。把先用兩表筆測(cè)的源極S與漏極D之間的電阻值記下來,對(duì)調(diào)表筆再測(cè)量一次,把其測(cè)得電阻值記下來,兩次測(cè)得阻值較大的一次,黑表筆所接的電極為漏極D;紅表筆所接的為源極S。用這種方法判別出來的S、D極,還可以用估測(cè)其管的放大能力的方法進(jìn)行驗(yàn)證,即放大能力大的黑表筆所接的是D極;紅表筆所接地是S極,兩種方法檢測(cè)結(jié)果均應(yīng)一樣。當(dāng)確定了漏極D、源極S的位置后,按D、S的對(duì)應(yīng)位置裝人電路,一般G1、G2也會(huì)依次對(duì)準(zhǔn)位置,這就確定了兩個(gè)柵極G1、G2的位置,從而就確定了D、S、G1、G2管腳的順序。

場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FieldEffectTransistor縮寫(FET))簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。主要有兩種類型:結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(junctionFET—JFET)和金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(metal-oxidesemiconductorFET,簡(jiǎn)稱MOS-FET)。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高(107~1015Ω)、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn),現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者。 V型槽場(chǎng)效應(yīng)管使電流可以在器件的溝道中流動(dòng),從而產(chǎn)生增益和開關(guān)效應(yīng)。

溫州大功率場(chǎng)效應(yīng)管原理,場(chǎng)效應(yīng)管

膩流暢的磁性聲,彈性十足震撼人心的低頻轟炸聲,別有一番霸道氣勢(shì)。在一般的設(shè)計(jì)中場(chǎng)效應(yīng)管特長(zhǎng)沒有得到充分發(fā)揮,甚至認(rèn)為聲音偏冷、偏暗,其實(shí)這不是場(chǎng)效應(yīng)管的原因。其聲音不好,一方面是人們使用它直接代換晶體管,晶體管的線路是不能發(fā)揮出場(chǎng)效應(yīng)管的特性的;另一方面,這些電路通常使用AB類的偏置。根據(jù)場(chǎng)效應(yīng)管轉(zhuǎn)移特性,在低偏置時(shí)具有嚴(yán)重的非線性,帶來嚴(yán)重的失真,解決的辦法是讓其工作在A類狀態(tài),特別是單端A類,瞬態(tài)特性較好,音質(zhì)純美,偶次諧波豐富,音色悅耳動(dòng)聽,更具有電子管的醇美音色。 P溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管和N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管總是在相反的狀態(tài)下工作,其相位輸入端和輸出端相反。珠海大功率場(chǎng)效應(yīng)管廠家

場(chǎng)效應(yīng)管具有放大和開關(guān)功能。溫州大功率場(chǎng)效應(yīng)管原理

場(chǎng)效應(yīng)管(FieldEffectTransistor,簡(jiǎn)稱FET)是一種利用場(chǎng)效應(yīng)原理工作的半導(dǎo)體器件。它具有輸入阻抗高、噪聲低、動(dòng)態(tài)范圍大、功率小、易于集成等特點(diǎn)。在電路中,場(chǎng)效應(yīng)管通常用字母“Q”表示。場(chǎng)效應(yīng)管一般具有3個(gè)極,即柵極(G)、源極(S)和漏極(D)。它的工作原理是當(dāng)柵極接的負(fù)偏壓增大時(shí),溝道減少,漏極電流減?。划?dāng)柵極接的負(fù)偏壓減小時(shí),耗盡層減小,溝道增大,漏極電流增大。漏極電流受柵極電壓的控制,因此場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件,即通過輸入電壓的變化來控制輸出電流的大小,從而達(dá)到放大等目的。場(chǎng)效應(yīng)管在電路中被廣泛應(yīng)用于放大、調(diào)制、阻抗變換、恒流源、可變電阻等場(chǎng)合。此外,它還有許多其他應(yīng)用,如開關(guān)電源、逆變器、電子鎮(zhèn)流器等。場(chǎng)效應(yīng)管在電路設(shè)計(jì)和電子設(shè)備中扮演著非常重要的角色。溫州大功率場(chǎng)效應(yīng)管原理