深圳光電器件微納加工

       當(dāng)微納加工技術(shù)應(yīng)用到光電子領(lǐng)域，就形成了新興的納米光電子技術(shù)，主要研究納米結(jié)構(gòu)中光與電子相互作用及其能量互換的技術(shù).納米光電子技術(shù)在過(guò)去的十多年里，一方面，以低維結(jié)構(gòu)材料生長(zhǎng)和能帶工程為基礎(chǔ)的納米制造技術(shù)有了長(zhǎng)足的發(fā)展，包括分子束外延(MBE)、金屬有機(jī)化學(xué)氣相淀積(MOCVD)和化學(xué)束外延(CBE)，使得在晶片表面外延生長(zhǎng)方向(直方向)的外延層精度控制到單個(gè)原子層，從而獲得了具有量子尺寸效應(yīng)的半導(dǎo)體材料;另一方面，平面納米加工工藝實(shí)現(xiàn)了納米尺度的光刻和橫向刻蝕，使得人工橫向量子限制的量子線與量子點(diǎn)的制作成為可能.同時(shí)，光子晶體概念的出現(xiàn)，使得納米平面加工工藝廣地應(yīng)用到光介質(zhì)材料折射率周期性的改變中。高精度的微細(xì)結(jié)構(gòu)通過(guò)控制聚焦電子束（光束）移動(dòng)書(shū)寫(xiě)圖案進(jìn)行曝光。深圳光電器件微納加工

2012年北京工業(yè)大學(xué)Duan等使用課題組自行研制的皮秒激光器對(duì)金屬鉬、鈦和不銹鋼進(jìn)行了精密制孔研究，并利用旋切制孔方式對(duì)厚度為0.3mm的金屬鉬實(shí)現(xiàn)了孔徑?小于200μm的微孔加工，利用螺旋制孔方式在厚度為1mm不銹鋼上實(shí)現(xiàn)了孔徑為200μm的制孔效果。實(shí)驗(yàn)指出大口徑微孔加工應(yīng)采用旋切制孔方式，而加工較小口徑時(shí)則更宜選用螺旋制孔方式。皮秒激光精密微孔加工過(guò)程中，對(duì)于厚度較小的材料(d<1μm)，由于激光與材料作用的時(shí)間較短，以采用高峰值功率、窄脈寬的激光為宜，而對(duì)于厚度在百微米甚至超過(guò)1mm的金屬材料的微孔加工，除了要考慮激光峰值功率以及脈沖寬度外，選擇合適的制孔方式是必要的。此外，根據(jù)材料結(jié)構(gòu)的不同還應(yīng)該選擇是否采用偏振輸出等因素。深圳光電器件微納加工干法刻蝕能夠滿足亞微米/納米線寬制程技術(shù)的要求，且在微納加工技術(shù)中被大量使用。

    微納加工大致可以分為“自上而下”和“自下而上”兩類(lèi)?！白陨隙隆笔菑暮暧^對(duì)象出發(fā)，以光刻工藝為基礎(chǔ)，對(duì)材料或原料進(jìn)行加工，小結(jié)果尺寸和精度通常由光刻或刻蝕環(huán)節(jié)的分辨力決定。“自下而上”技術(shù)則是從微觀世界出發(fā)，通過(guò)控制原子、分子和其他納米對(duì)象的相互作用力將各種單元構(gòu)建在一起，形成微納結(jié)構(gòu)與器件。基于光刻工藝的微納加工技術(shù)主要包含以下過(guò)程：掩模（mask）制備、圖形形成及轉(zhuǎn)移（涂膠、曝光、顯影）、薄膜沉積、刻蝕、外延生長(zhǎng)、氧化和摻雜等。在基片表面涂覆一層某種光敏介質(zhì)的薄膜（抗蝕膠），曝光系統(tǒng)把掩模板的圖形投射在（抗蝕膠）薄膜上，光（光子）的曝光過(guò)程是通過(guò)光化學(xué)作用使抗蝕膠發(fā)生光化學(xué)作用，形成微細(xì)圖形的潛像，再通過(guò)顯影過(guò)程使剩余的抗蝕膠層轉(zhuǎn)變成具有微細(xì)圖形的窗口，后續(xù)基于抗蝕膠圖案進(jìn)行鍍膜、刻蝕等可進(jìn)一步制作所需微納結(jié)構(gòu)或器件。

      光刻是微納加工技術(shù)中關(guān)鍵的工藝步驟，光刻的工藝水平?jīng)Q定產(chǎn)品的制程水平和性能水平。光刻的原理是在基底表面覆蓋一層具有高度光敏感性光刻膠，再用光線（一般是紫外光、深紫外光、極紫外光）透過(guò)光刻板照射在基底表面，被光線照射到的光刻膠會(huì)發(fā)生反應(yīng)。此后用顯影液洗去被照射/未被照射的光刻膠， 就實(shí)現(xiàn)了圖形從光刻板到基底的轉(zhuǎn)移。光刻膠分為正性光刻和負(fù)性光刻兩種基本工藝，區(qū)別在于兩者使用的光刻膠的類(lèi)型不同。負(fù)性光刻使用的光刻膠在曝光后會(huì)因?yàn)榻宦?lián)而變得不可溶解，并會(huì)固化，不會(huì)被溶劑洗掉，從而該部分硅片不會(huì)在后續(xù)流程中被腐蝕掉，負(fù)性光刻光刻膠上的圖形與掩模版上圖形相反。微納制造的加工材料多種多樣。

    微納加工：干法刻蝕VS濕法刻蝕！刻蝕工藝：用化學(xué)或物理方法有選擇性地從某一材料表面去除不需要那部分的過(guò)程，獲得目標(biāo)圖形。在半導(dǎo)體制造中有兩種基本的刻蝕工藝：干法刻蝕和濕法刻蝕。干法刻蝕的刻蝕劑是等離子體，是利用等離子體和表面薄膜反應(yīng)，形成揮發(fā)性物質(zhì)，或直接轟擊薄膜表面使之被刻蝕的工藝。特點(diǎn)：能實(shí)現(xiàn)各向異性刻蝕，從而保證細(xì)小圖形轉(zhuǎn)移后的保真性。缺點(diǎn)：造價(jià)高。濕法刻蝕是通過(guò)化學(xué)刻蝕液和被刻蝕物質(zhì)之間的化學(xué)反應(yīng)將被刻蝕物質(zhì)剝離下來(lái)的方法。大多數(shù)濕法刻蝕是不容易控制的各向同性刻蝕。特點(diǎn)：適應(yīng)性強(qiáng)，表面均勻性好、對(duì)硅片損傷少，幾乎適用于所有的金屬、玻璃、塑料等材料。缺點(diǎn)：圖形刻蝕保真想過(guò)不理想，刻蝕圖形的小線難以掌控。 微納加工中，材料濕法腐蝕是一個(gè)常用的工藝方法。天津微納加工技術(shù)

我造技術(shù)的研究從其誕生之初就一直牢據(jù)行國(guó)的微納制造技術(shù)的研究與世界先進(jìn)水平業(yè)的杰出位置。深圳光電器件微納加工

    激光微納加工相比納秒激光器、連續(xù)激光器，飛秒激光加工是“冷加工”，其加工過(guò)程中幾近不會(huì)有熱：傳導(dǎo)。飛秒激光加工優(yōu)勢(shì)在于：峰值能量高、加工精度高、對(duì)材料幾乎無(wú)熱損傷等，其具體加工方式包括：蝕刻、改性、切割、打孔、周雕刻以及集成電路光刻等。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所微納加工平臺(tái)，面向半導(dǎo)體光電子器件、功率電子器件、MEMS、生物芯片等前沿領(lǐng)域，致力于打造高級(jí)的公益性、開(kāi)放性、支撐性樞紐中心。平臺(tái)擁有半導(dǎo)體制備工藝所需的整套儀器設(shè)備，建立了一條實(shí)驗(yàn)室研發(fā)線和一條中試線，加工尺寸覆蓋2-6英寸（部分8英寸），同時(shí)形成了一支與硬件有機(jī)結(jié)合的專(zhuān)業(yè)人才隊(duì)伍。平臺(tái)當(dāng)前緊抓技術(shù)創(chuàng)新和公共服務(wù)，面向國(guó)內(nèi)外高校、科研院所以及企業(yè)提供開(kāi)放共享，為技術(shù)咨詢、創(chuàng)新研發(fā)、技術(shù)驗(yàn)證以及產(chǎn)品中試提供技術(shù)支持。 深圳光電器件微納加工

廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所屬于電子元器件的高新企業(yè)，技術(shù)力量雄厚。公司是一家****企業(yè)，以誠(chéng)信務(wù)實(shí)的創(chuàng)業(yè)精神、專(zhuān)業(yè)的管理團(tuán)隊(duì)、踏實(shí)的職工隊(duì)伍，努力為廣大用戶提供***的產(chǎn)品。公司業(yè)務(wù)涵蓋微納加工技術(shù)服務(wù)，真空鍍膜技術(shù)服務(wù)，紫外光刻技術(shù)服務(wù)，材料刻蝕技術(shù)服務(wù)，價(jià)格合理，品質(zhì)有保證，深受廣大客戶的歡迎。廣東省半導(dǎo)體所順應(yīng)時(shí)代發(fā)展和市場(chǎng)需求，通過(guò)**技術(shù)，力圖保證高規(guī)格高質(zhì)量的微納加工技術(shù)服務(wù)，真空鍍膜技術(shù)服務(wù)，紫外光刻技術(shù)服務(wù)，材料刻蝕技術(shù)服務(wù)。