光電器件微納加工技術(shù)

    MEMS（微機電系統(tǒng)），是指以微型化、系統(tǒng)化的理論為指導，通過半導體制造等微納加工手段，形成特征尺度為微納米量級的系統(tǒng)裝置。相對于先進的集成電路（IC）制造工藝（遵循摩爾定律），MEMS制造工藝不單純追求線寬而注重功能特色化，即利用微納結(jié)構(gòu)或/和敏感材料實現(xiàn)多種傳感和執(zhí)行功能，工藝節(jié)點通常從500nm到110nm，襯底材料也不局限硅，還包括玻璃、聚合物、金屬等。由MEMS技術(shù)構(gòu)建的產(chǎn)品往往具有體積小、重量輕、功耗低、成本低等優(yōu)點，已廣泛應(yīng)用于汽車、手機、工業(yè)、醫(yī)療、**、航空航天等領(lǐng)域。廣東省科學院半導體研究所微納加工平臺，面向半導體光電子器件、功率電子器件、MEMS、生物芯片等前沿領(lǐng)域，致力于打造的公益性、開放性、支撐性樞紐中心。平臺擁有半導體制備工藝所需的整套儀器設(shè)備，建立了一條實驗室研發(fā)線和一條中試線，加工尺寸覆蓋2-6英寸（部分8英寸），同時形成了一支與硬件有機結(jié)合的專業(yè)人才隊伍。平臺當前緊抓技術(shù)創(chuàng)新和公共服務(wù)，面向國內(nèi)外高校、科研院所以及企業(yè)提供開放共享，為技術(shù)咨詢、創(chuàng)新研發(fā)、技術(shù)驗證以及產(chǎn)品中試提供技術(shù)支持。 微納制造技術(shù)屬國際前沿技術(shù)，作為未來制造業(yè)賴以生存的基礎(chǔ)和可持續(xù)發(fā)展的關(guān)鍵。光電器件微納加工技術(shù)

     微納加工技術(shù)是先進制造的重要組成部分，是衡量國家高級制造業(yè)水平的標志之一，具有多學科交叉性和制造要素極端性的特點，在推動科技進步、促進產(chǎn)業(yè)發(fā)展、拉動科技進步、保障**安全等方面都發(fā)揮著關(guān)鍵作用。微納加工技術(shù)的基本手段包括微納加工方法與材料科學方法兩種。比較顯然，微納加工技術(shù)與微電子工藝技術(shù)有密切關(guān)系。微納加工大致可以分為“自上而下”和“自下而上”兩類?！白陨隙隆笔菑暮暧^對象出發(fā)，以光刻工藝為基礎(chǔ)，對材料或原料進行加工，較小結(jié)果尺寸和精度通常由光刻或刻蝕環(huán)節(jié)的分辨力決定。“自下而上”技術(shù)則是從微觀世界出發(fā)，通過控制原子、分子和其他納米對象的相互作用力將各種單元構(gòu)建在一起，形成微納結(jié)構(gòu)與器件。微納加工價錢干法刻蝕能夠滿足亞微米/納米線寬制程技術(shù)的要求，且在微納加工技術(shù)中被大量使用。

      光刻是微納加工技術(shù)中關(guān)鍵的工藝步驟，光刻的工藝水平?jīng)Q定產(chǎn)品的制程水平和性能水平。光刻的原理是在基底表面覆蓋一層具有高度光敏感性光刻膠，再用光線（一般是紫外光、深紫外光、極紫外光）透過光刻板照射在基底表面，被光線照射到的光刻膠會發(fā)生反應(yīng)。此后用顯影液洗去被照射/未被照射的光刻膠， 就實現(xiàn)了圖形從光刻板到基底的轉(zhuǎn)移。光刻膠分為正性光刻和負性光刻兩種基本工藝，區(qū)別在于兩者使用的光刻膠的類型不同。負性光刻使用的光刻膠在曝光后會因為交聯(lián)而變得不可溶解，并會固化，不會被溶劑洗掉，從而該部分硅片不會在后續(xù)流程中被腐蝕掉，負性光刻光刻膠上的圖形與掩模版上圖形相反。

    高精度的微細結(jié)構(gòu)可以通過電子束直寫或激光直寫制作，這類光刻技術(shù)，像“寫字”一樣，通過控制聚焦電子束（光束）移動書寫圖案進行曝光，具有很高的曝光精度，但這兩種方法制作效率極低，尤其在大面積制作方面捉襟見肘，目前直寫光刻技術(shù)適用于小面積的微納結(jié)構(gòu)制作。近年來，三維浮雕微納結(jié)構(gòu)的需求越來越大，如閃耀光柵、菲涅爾透鏡、多臺階微光學元件等。據(jù)悉，蘋果公司新上市的手機產(chǎn)品中人臉識別模塊就采用了多臺階微光學元件，以及當下如火如荼的無人駕駛技術(shù)中激光雷達光學系統(tǒng)也用到了復雜的微光學元件。這類精密的微納結(jié)構(gòu)光學元件需采用灰度光刻技術(shù)進行制作。直寫技術(shù)，通過在光束移動過程中進行相應(yīng)的曝光能量調(diào)節(jié)，可以實現(xiàn)良好的灰度光刻能力。 我造技術(shù)的研究從其誕生之初就一直牢據(jù)行國的微納制造技術(shù)的研究與世界先進水平業(yè)的杰出位置。

    微納加工：干法刻蝕VS濕法刻蝕！刻蝕工藝：用化學或物理方法有選擇性地從某一材料表面去除不需要那部分的過程，獲得目標圖形。在半導體制造中有兩種基本的刻蝕工藝：干法刻蝕和濕法刻蝕。干法刻蝕的刻蝕劑是等離子體，是利用等離子體和表面薄膜反應(yīng)，形成揮發(fā)性物質(zhì)，或直接轟擊薄膜表面使之被刻蝕的工藝。特點：能實現(xiàn)各向異性刻蝕，從而保證細小圖形轉(zhuǎn)移后的保真性。缺點：造價高。濕法刻蝕是通過化學刻蝕液和被刻蝕物質(zhì)之間的化學反應(yīng)將被刻蝕物質(zhì)剝離下來的方法。大多數(shù)濕法刻蝕是不容易控制的各向同性刻蝕。特點：適應(yīng)性強，表面均勻性好、對硅片損傷少，幾乎適用于所有的金屬、玻璃、塑料等材料。缺點：圖形刻蝕保真想過不理想，刻蝕圖形的小線難以掌控。 微納加工設(shè)備主要有：光刻、刻蝕、成膜、離子注入、晶圓鍵合等。東莞光電器件微納加工

光刻膠是微納加工中微細圖形加工的關(guān)鍵材料之一。光電器件微納加工技術(shù)

    隨著電子束光刻技術(shù)和電感耦合等離子體(ICP)刻蝕技術(shù)的出現(xiàn)，平面微納加工工藝正在推動以單電子器件與自旋電子器件為代標的新一代納米電子學的發(fā)展.當微納加工技術(shù)應(yīng)用到光電子領(lǐng)域，就形成了新興的納米光電子技術(shù)，主要研究納米結(jié)構(gòu)中光與電子相互作用及其能量互換的技術(shù).納米光電子技術(shù)在過去的十多年里，一方面，以低維結(jié)構(gòu)材料生長和能帶工程為基礎(chǔ)的納米制造技術(shù)有了長足的發(fā)展，包括分子束外延(MBE)、金屬有機化學氣相淀積(MOCVD)和化學束外延(CBE)，使得在晶片表面外延生長方向(直方向)的外延層精度控制到單個原子層，從而獲得了具有量子尺寸效應(yīng)的半導體材料;另一方面，平面納米加工工藝實現(xiàn)了納米尺度的光刻和橫向刻蝕，使得人工橫向量子限制的量子線與量子點的制作成為可能.同時，光子晶體概念的出現(xiàn)，使得納米平面加工工藝廣的地應(yīng)用到光介質(zhì)材料折射率周期性的改變中。 光電器件微納加工技術(shù)

廣東省科學院半導體研究所是一家服務(wù)型類企業(yè)，積極探索行業(yè)發(fā)展，努力實現(xiàn)產(chǎn)品創(chuàng)新。是一家****企業(yè)，隨著市場的發(fā)展和生產(chǎn)的需求，與多家企業(yè)合作研究，在原有產(chǎn)品的基礎(chǔ)上經(jīng)過不斷改進，追求新型，在強化內(nèi)部管理，完善結(jié)構(gòu)調(diào)整的同時，良好的質(zhì)量、合理的價格、完善的服務(wù)，在業(yè)界受到寬泛好評。公司業(yè)務(wù)涵蓋微納加工技術(shù)服務(wù)，真空鍍膜技術(shù)服務(wù)，紫外光刻技術(shù)服務(wù)，材料刻蝕技術(shù)服務(wù)，價格合理，品質(zhì)有保證，深受廣大客戶的歡迎。廣東省半導體所以創(chuàng)造***產(chǎn)品及服務(wù)的理念，打造高指標的服務(wù)，引導行業(yè)的發(fā)展。