遼寧優(yōu)勢IGBT模塊誠信合作

    智能功率模塊內部功能機制編輯IPM內置的驅動和保護電路使系統(tǒng)硬件電路簡單、可靠，縮短了系統(tǒng)開發(fā)時間，也提高了故障下的自保護能力。與普通的IGBT模塊相比，IPM在系統(tǒng)性能及可靠性方面都有進一步的提高。保護電路可以實現控制電壓欠壓保護、過熱保護、過流保護和短路保護。如果IPM模塊中有一種保護電路動作，IGBT柵極驅動單元就會關斷門極電流并輸出一個故障信號(FO)。各種保護功能具體如下:(1)控制電壓欠壓保護(UV):IPM使用單一的+15V供電，若供電電壓低于12．5V，且時間超過toff=10ms，發(fā)生欠壓保護，***門極驅動電路，輸出故障信號。(2)過溫保護(OT):在靠近IGBT芯片的絕緣基板上安裝了一個溫度傳感器，當IPM溫度傳感器測出其基板的溫度超過溫度值時，發(fā)生過溫保護，***門極驅動電路，輸出故障信號。(3)過流保護(OC):若流過IGBT的電流值超過過流動作電流，且時間超過toff，則發(fā)生過流保護，***門極驅動電路，輸出故障信號。為避免發(fā)生過大的di/dt，大多數IPM采用兩級關斷模式。其中，VG為內部門極驅動電壓，ISC為短路電流值，IOC為過流電流值，IC為集電極電流，IFO為故障輸出電流。(4)短路保護(SC):若負載發(fā)生短路或控制系統(tǒng)故障導致短路。 不管可控硅的外形如何，它們的管芯都是由P型硅和N型硅組成的四層P1N1P2N2結構。遼寧優(yōu)勢IGBT模塊誠信合作

    使用晶閘管模塊的的八大常識來源：日期：2019年06月12日點擊數：載入中...晶閘管模塊是使用范圍非常廣，在使用的過程中需要注意很多細節(jié)，還有一些使用常識，下面正高電氣來介紹下使用晶閘管模塊的八大常識。1、模塊在手動控制時，對所用電位器有何要求？電位器的功率大于，阻值范圍—100K。2、模塊電流選型原則是什么？當模塊導通角大于100度時，可以按如下原則選取電流：阻性負載：模塊標稱電流應大于負載額定電流的2倍。感性負或：模塊標稱電流應大于負載額定電流的3倍。3、模塊正常工作的條件一個+12V直流穩(wěn)壓電源（模塊內部的工作電源）；一個0~10V控制信號（0~5V、0~10mA、4~20mA均可，用于對輸出電壓進行調整的控制信號）。供電電源和負載（供電電源一般為電網或供電變壓器，接模塊輸入端子；負載為負載，接模塊輸出端子）4、+l2V穩(wěn)壓電源要求輸出電壓：+12V±，紋波電壓小于50mv；輸出電流：>；5、模塊是一個開環(huán)控制系統(tǒng)還是閉環(huán)控制系統(tǒng)晶閘管智能模塊是開環(huán)系統(tǒng)；穩(wěn)流、穩(wěn)壓模塊是閉環(huán)系統(tǒng)。6、開環(huán)控制與閉環(huán)控制用途有何區(qū)別？開環(huán)控制隨負載和電網的變化而變化?？刂菩盘柵c輸出電流、電壓不是線性關系。 遼寧優(yōu)勢IGBT模塊誠信合作在程序操縱下，IGBT模塊通過變換電源兩端的開關閉合與斷開，實現交流直流電的相互轉化。

    2、肖特基二極管模塊肖特基二極管A為正極，以N型半導體B為負極利用二者接觸面上形成的勢壘具有整流特性而制成的金屬半導體器件。特性是正向導通電壓低，反向恢復時間小，正向整流大，應用在低壓大電流輸出場合做高頻整流。肖特基二極管模塊分50V肖特基二極管模塊，100V肖特基二極管模塊，150V肖特基二極管模塊，200V肖特基二極模塊等。3、整流器二極管模塊整流二極管模塊是利用二極管正向導通，反向截止的原理，將交流電能轉變?yōu)橘|量電能的半導體器件。特性是耐高壓，功率大，整流電流較大，工作頻率較低，主要用于各種低頻半波整流電路，或連成整流橋做全波整流。整流管模塊一般是400-3000V的電壓。4、光伏防反二極管模塊防反二極管也叫做防反充二極管，就是防止方陣電流反沖。在光伏匯流箱中選擇光伏防反二極管時，由于受到匯流箱IP65等級的限制，一般選擇模塊式的會更簡便。選擇防反二極管模塊的主要條件為壓降低、熱阻小、熱循環(huán)能力強。目前，市場上有光伏**防反二極管模塊與普通二極管模塊兩種類型可供選擇。兩種模塊的區(qū)別在于：①光伏**防反二極管模塊具有壓降低（通態(tài)壓降），而普通二極管模塊通態(tài)壓降達到。壓降越低，模塊的功耗越小，散發(fā)的熱量相應也減小。

    智能功率模塊(IPM)是IntelligentPowerModule的縮寫，是一種先進的功率開關器件，具有GTR(大功率晶體管)高電流密度、低飽和電壓和耐高壓的優(yōu)點,以及MOSFET(場效應晶體管)高輸入阻抗、高開關頻率和低驅動功率的優(yōu)點。而且IPM內部集成了邏輯、控制、檢測和保護電路，使用起來方便,不*減小了系統(tǒng)的體積以及開發(fā)時間，也**增強了系統(tǒng)的可靠性，適應了當今功率器件的發(fā)展方向——模塊化、復合化和功率集成電路(PIC)，在電力電子領域得到了越來越***的應用。中文名智能功率模塊外文名IPM概念一種先進的功率開關器件全稱IntelligentPowerModule目錄1IPM結構2內部功能機制3電路設計智能功率模塊IPM結構編輯結構概念IPM由高速、低功率的IGBT芯片和推薦的門級驅動及保護電路構成，如圖1所示。其中，IGBT是GTR和MOSFET的復合，由MOSFET驅動GTR，因而IGBT具有兩者的優(yōu)點。IPM根據內部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內部封裝一個IGBT)、D型(內部封裝兩個IGBT)、C型(內部封裝六個IGBT)和R型(內部封裝七個IGBT)。小功率的IPM使用多層環(huán)氧絕緣系統(tǒng)，中大功率的IPM使用陶瓷絕緣。當然，也有其他材料制成的基板，例如鋁碳化硅（AlSiC），兩者各有優(yōu)缺點。

    設計時應注意以下幾點:①IGBT柵極耐壓一般在±20V左右，因此驅動電路輸出端要給柵極加電壓保護，通常的做法是在柵極并聯(lián)穩(wěn)壓二極管或者電阻。前者的缺陷是將增加等效輸入電容Cin，從而影響開關速度，后者的缺陷是將減小輸入阻抗，增大驅動電流，使用時應根據需要取舍。②盡管IGBT所需驅動功率很小，但由于MOSFET存在輸入電容Cin，開關過程中需要對電容充放電，因此驅動電路的輸出電流應足夠大，這一點設計者往往忽略。假定開通驅動時，在上升時間tr內線性地對MOSFET輸入電容Cin充電，則驅動電流為Igt=CinUgs/tr，其中可取tr=2。2RCin，R為輸入回路電阻。③為可靠關閉IGBT，防止擎住現象，要給柵極加一負偏壓，因此比較好采用雙電源供電。IGBT集成式驅動電路IGBT的分立式驅動電路中分立元件多，結構復雜，保護功能比較完善的分立電路就更加復雜，可靠性和性能都比較差，因此實際應用中大多數采用集成式驅動電路。日本富士公司的EXB系列集成電路、法國湯姆森公司的UA4002集成電路等應用都很***。IPM驅動電路設計IPM對驅動電路輸出電壓的要求很嚴格，具體為:①驅動電壓范圍為15V±10%?熏電壓低于13．5V將發(fā)生欠壓保護，電壓高于16．5V將可能損壞內部部件。②驅動電壓相互隔離。 模塊電流規(guī)格的選取考慮到電網電壓的波動和負載在起動時一般都比其額定電流大幾倍。遼寧優(yōu)勢IGBT模塊誠信合作

三層P型半導體引出的電極叫控制極G。遼寧優(yōu)勢IGBT模塊誠信合作

    二）按引腳和極性分類晶體閘流管晶閘管按其引腳和極性可分為二極晶閘管、三極晶閘管和四極晶閘管。（三）按封裝形式分類晶閘管按其封裝形式可分為金屬封裝晶閘管、塑封晶閘管和陶瓷封裝晶閘管三種類型。其中，金屬封裝晶閘管又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種；塑封晶閘管又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。（四）按電流容量分類晶閘管按電流容量可分為大功率晶閘管、**率晶閘管和小功率晶閘管三種。通常，大功率晶閘管多采用金屬殼封裝，而中、小功率晶閘管則多采用塑封或陶瓷封裝。（五）按關斷速度分類晶閘管按其關斷速度可分為普通晶閘管和高頻（快速）晶閘管。晶體閘流管工作原理編輯晶閘管T在工作過程中，它的陽極A和陰極K與電源和負載連接，組成晶閘管的主電路，晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接，組成晶閘管的控制電路。晶體閘流管工作條件編輯晶閘管的工作條件：1.晶閘管承受反向陽極電壓時，不管門極承受何種電壓，晶閘管都處于關斷狀態(tài)。2.晶閘管承受正向陽極電壓時，*在門極承受正向電壓的情況下晶閘管才導通。3.晶閘管在導通情況下，只要有一定的正向陽極電壓，不論門極電壓如何，晶閘管保持導通，即晶閘管導通后，門極失去作用。 遼寧優(yōu)勢IGBT模塊誠信合作