2024上海國(guó)際先進(jìn)陶瓷與粉末冶金展覽會(huì)

目前，陶瓷注射成型技術(shù)開(kāi)始向精密化發(fā)展，研究與開(kāi)發(fā)的重點(diǎn)由過(guò)去的高溫非氧化物陶瓷(如氮化硅、碳化硅)擴(kuò)展為氧化物陶瓷(如氧化鋯、氧化鋁)、功能陶瓷、生物陶瓷產(chǎn)品，種類(lèi)越來(lái)越多，其主要應(yīng)用領(lǐng)域如下。一、光通訊用精密陶瓷部件主要有光纖連接器用氧化鋯多晶陶瓷插芯和陶瓷套管。因?yàn)槠涑叽缧?、精度高、?nèi)孔直徑只有125微米，因此只能采用注射成型。目前光纖連接器所需陶瓷插芯和陶瓷套管主要由中國(guó)制造，而日本京瓷、東陶、Adamand等國(guó)外公司生產(chǎn)的產(chǎn)品在不斷減少。光纖連接器用陶瓷插芯與套管二、生物陶瓷制品主要包括人造陶瓷牙齒、種植牙陶瓷固定螺桿、人工關(guān)節(jié)、固定牙冠套、牙齒正畸用陶瓷托槽等，如圖3所示。據(jù)世界衛(wèi)生組織統(tǒng)計(jì)，牙齒畸形并發(fā)率約為49%，在美國(guó)50-60%的家庭都會(huì)進(jìn)行牙齒正畸，必須配帶牙齒矯形托槽。采用陶瓷注射成型生產(chǎn)的該類(lèi)產(chǎn)品尺寸精度高且性能良好，在國(guó)內(nèi)的市場(chǎng)前景開(kāi)闊?！暗谑邔弥袊?guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開(kāi)幕。中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)，聚焦前沿科技產(chǎn)品的領(lǐng)軍平臺(tái)。誠(chéng)邀您2025年3月10日相聚上海，共襄盛會(huì)。2024上海國(guó)際先進(jìn)陶瓷與粉末冶金展覽會(huì)

碳化硅外延環(huán)節(jié)呈現(xiàn)美、日兩強(qiáng)局面，美國(guó)Wolfspeed和日本昭和電工雙寡頭壟斷，此外還有美國(guó)II-VI及Dow Corning、日本ROHM及三菱電機(jī)、意法半導(dǎo)體（ST）、德國(guó)英飛凌（Infineon）等企業(yè)。國(guó)內(nèi)東莞天域、瀚天天成為主要廠(chǎng)商，晶盛機(jī)電、北方華創(chuàng)、芯三代、中電48所、普興電子、三安光電、啟迪半導(dǎo)體、深圳納設(shè)智能等亦有布局，努力推進(jìn)國(guó)產(chǎn)替代。預(yù)計(jì)2025年全球和國(guó)內(nèi)6寸碳化硅外延設(shè)備新增市場(chǎng)空間分別約為130億元和53億元美元?！暗谑邔弥袊?guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開(kāi)幕！五展聯(lián)動(dòng)；第17屆中國(guó)?國(guó)際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會(huì)（PM CHINA）、2025上海國(guó)際線(xiàn)圈、變壓器、電感、電機(jī)與磁性材料展覽會(huì)（MMIC CHINA)、2025上海國(guó)際增材制造應(yīng)用技術(shù)展覽會(huì)（AM CHINA)和2025上海國(guó)際粉體加工與處理展覽會(huì)（POWDEX CHINA）同期同地舉辦。五展聯(lián)動(dòng)，串聯(lián)相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈，吸引更多的觀(guān)眾群體，形成既匯聚更多參展企業(yè)同臺(tái)競(jìng)技，又滿(mǎn)足觀(guān)眾和買(mǎi)家多樣化需求的“一站式”商貿(mào)交流平臺(tái)。展會(huì)展覽面積將超過(guò)50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個(gè)，國(guó)內(nèi)外觀(guān)眾預(yù)計(jì)將達(dá)到70,000人次。 誠(chéng)邀您蒞臨參觀(guān)！2024第十六屆中國(guó)國(guó)際先進(jìn)陶瓷技術(shù)產(chǎn)品展覽會(huì)中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)將于2025年3月10-12日在上海隆重舉辦，行業(yè)人士齊聚一堂，共襄盛會(huì)！

在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，增大晶片尺寸是提高半導(dǎo)體產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵途徑。對(duì)于同一規(guī)格的芯片，隨著晶圓尺寸增加，邊緣管芯（Die）數(shù)量占比縮小，晶圓利用率大幅增加。按晶圓面積測(cè)算，一片8英寸碳化硅外延晶片的晶圓面積是6英寸晶圓面積的1.8倍，一片8英寸碳化硅外延晶片的晶圓面積則是4英寸晶圓面積的近4.3倍。根據(jù)Wolfspeed測(cè)算，一片8英寸碳化硅晶片可以產(chǎn)出845顆32mm2的芯片，是6英寸碳化硅外延晶片產(chǎn)出的近2倍；邊緣管芯占比下降到7%，大幅度提高晶圓利用率，將進(jìn)一步降低碳化硅芯片單位成本。展會(huì)展覽面積將超過(guò)50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個(gè)，國(guó)內(nèi)外觀(guān)眾預(yù)計(jì)將達(dá)到70,000人次。展會(huì)打通供需堵點(diǎn)，整合全產(chǎn)業(yè)鏈資源，集中展示涵蓋原材料、設(shè)備、儀器、制品等產(chǎn)品、服務(wù)和整體解決方案?！暗谑邔弥袊?guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開(kāi)幕！誠(chéng)邀您蒞臨參觀(guān)！

碳化硅下游應(yīng)用場(chǎng)景眾多，包括新能源車(chē)、充電樁、光伏、儲(chǔ)能、軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天等，而下游的需求放量情況會(huì)影響碳化硅的市場(chǎng)規(guī)模體量，比如新能源車(chē)的產(chǎn)銷(xiāo)量、充電樁的配套數(shù)量、光伏的裝機(jī)量等。雖然碳化硅襯底和器件工藝逐漸成熟，價(jià)格有所下降，但碳化硅功率器件價(jià)格仍遠(yuǎn)高于硅基器件。下游應(yīng)用領(lǐng)域需平衡碳化硅器件高價(jià)格與性能優(yōu)勢(shì)帶來(lái)的綜合成本，短期內(nèi)將限制碳化硅器件在功率器件領(lǐng)域的滲透率，大規(guī)模應(yīng)用仍存挑戰(zhàn)。若下游存在放量不及預(yù)期的情況，將對(duì)上游碳化硅企業(yè)研發(fā)、生產(chǎn)造成不利影響?！暗谑邔弥袊?guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開(kāi)幕！展會(huì)展覽面積將超過(guò)50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個(gè)，國(guó)內(nèi)外觀(guān)眾預(yù)計(jì)將達(dá)到70,000人次。展會(huì)打通供需堵點(diǎn)，整合全產(chǎn)業(yè)鏈資源，集中展示涵蓋原材料、設(shè)備、儀器、制品等一應(yīng)俱全的產(chǎn)品、服務(wù)和整體解決方案。 誠(chéng)邀您蒞臨參觀(guān)！“中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”創(chuàng)新應(yīng)用和解決方案：2025年3月10-12日上海世博展覽館。誠(chéng)邀您蒞臨參觀(guān)！

“第十七屆中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開(kāi)幕。無(wú)壓燒結(jié)在常壓下進(jìn)行燒結(jié)，主要包括常規(guī)無(wú)壓燒結(jié)、兩步法燒結(jié)、兩段法燒結(jié)。1、常規(guī)無(wú)壓燒結(jié)將陶瓷坯體通過(guò)加熱裝置加熱到一定溫度，經(jīng)保溫后冷卻到室溫以制備陶瓷的方法。常規(guī)燒結(jié)采用高溫長(zhǎng)時(shí)間、等燒結(jié)速率進(jìn)行，此方法需要較高的燒結(jié)溫度（超過(guò)1000℃）和較長(zhǎng)的保溫時(shí)間。如果燒結(jié)溫度較低，則不能夠形成足夠的液相填充坯體里的氣孔，材料晶界結(jié)合不好并且材料中存在較大的孔洞，此時(shí)材料的電性能較差；燒結(jié)溫度過(guò)高，可能導(dǎo)致晶界的移動(dòng)速度過(guò)快，出現(xiàn)晶粒異常增大現(xiàn)象。2、兩步法燒結(jié)燒結(jié)流程為：陶瓷坯體通過(guò)加熱裝置加熱到一定溫度后不進(jìn)行保溫，立即以很快的速度降溫到相對(duì)較低的溫度進(jìn)行長(zhǎng)時(shí)間的保溫。與常規(guī)燒結(jié)方法相比，兩步燒結(jié)法巧妙地通過(guò)控制溫度的變化，在抑制晶界遷移（這將導(dǎo)致晶粒長(zhǎng)大）的同時(shí)，保持晶界擴(kuò)散（這是坯體致密化的動(dòng)力）處于活躍狀態(tài)，來(lái)實(shí)現(xiàn)晶粒不長(zhǎng)大的前提下達(dá)到燒結(jié)的目的。3、兩段法燒結(jié)在相對(duì)較低的溫度下保溫一段時(shí)間，然后再在較高的溫度下保溫，后自然冷卻。用此工藝可以降低燒結(jié)溫度和縮短燒結(jié)時(shí)間，此方式可以用于燒結(jié)細(xì)晶鈦酸鋇陶瓷?！爸袊?guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”以先進(jìn)材料為基點(diǎn)：2025年3月10-12日上海世博展覽館。誠(chéng)邀您蒞臨參觀(guān)！3月6-8日中國(guó)國(guó)際先進(jìn)陶瓷技術(shù)與裝備展覽會(huì)

業(yè)界精英云集中國(guó)國(guó)際先進(jìn)陶瓷展，為行業(yè)發(fā)展注入新動(dòng)能。2025年3月10-12日，我們?cè)谏虾５饶?024上海國(guó)際先進(jìn)陶瓷與粉末冶金展覽會(huì)

傳統(tǒng)硅器件主要采用高溫?cái)U(kuò)散摻雜，但鋁、硼和氮在SiC中擴(kuò)散系數(shù)低，需極高溫度，會(huì)惡化器件性能。因此，離子注入工藝成為SiC摻雜的優(yōu)先選擇。為實(shí)現(xiàn)離子注入?yún)^(qū)域摻雜濃度均勻，常采用多步離子注入，通過(guò)調(diào)節(jié)注入能量和劑量，控zhi摻雜濃度和深度。離子注入設(shè)備是SiC產(chǎn)線(xiàn)難度較高的設(shè)備，全球設(shè)備廠(chǎng)商少、交期長(zhǎng)，國(guó)產(chǎn)化率低于10%，是我國(guó)碳化硅晶圓線(xiàn)建設(shè)的較大瓶頸。國(guó)際主流廠(chǎng)商包括美國(guó)亞舍立（Axcelis）及應(yīng)用材料（收購(gòu)?fù)呃锇玻?，日本?ài)發(fā)科及日清公司，國(guó)內(nèi)廠(chǎng)商主要有中國(guó)電科48所（爍科中科信），中車(chē)思銳（收購(gòu)IBS）和凱世通也在介入?！暗谑邔弥袊?guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開(kāi)幕！展會(huì)展覽面積將超過(guò)50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個(gè)，國(guó)內(nèi)外觀(guān)眾預(yù)計(jì)將達(dá)到70,000人次。展會(huì)打通供需堵點(diǎn)，整合全產(chǎn)業(yè)鏈資源，集中展示涵蓋原材料、設(shè)備、儀器、制品等產(chǎn)品、服務(wù)和整體解決方案。 誠(chéng)邀您蒞臨參觀(guān)！2024上海國(guó)際先進(jìn)陶瓷與粉末冶金展覽會(huì)