隨著下游應用端的不斷拓展，碳化硅產(chǎn)能供不應求。從全球產(chǎn)能情況來看，近5年內(nèi)全球碳化硅襯底產(chǎn)能嚴重不足。2023至2025年處于擴建產(chǎn)能爬坡期，預計2026年新產(chǎn)能大量釋放，但釋放后也只能滿足不足60%的市場需求?？紤]未來再建產(chǎn)能的時間周期，包括評估、資本募集、建廠、訂購設(shè)備、產(chǎn)線爬坡等時間需求，更大產(chǎn)能需要在2030年后才能釋放?！暗谑邔弥袊?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！五展聯(lián)動；第17屆中國?國際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會（PM CHINA）、2025上海國際線圈、變壓器、電感、電機與磁性材料展覽會（MMIC CHINA)、2025上海國際增材制...

碳化硅芯片驗證周期長，批量生產(chǎn)難度大。碳化硅主驅(qū)芯片可靠性驗證要求極高，需7-8年才能實現(xiàn)從設(shè)計到量產(chǎn)。國外廠商技術(shù)和產(chǎn)量的優(yōu)勢，并通過車企驗證，基本壟斷了碳化硅主驅(qū)芯片供應端。國內(nèi)企業(yè)尚處于可靠性驗證起始階段，未實現(xiàn)批量供應。國產(chǎn)主驅(qū)芯片需克服可靠性驗證和批量化生產(chǎn)兩大難關(guān)，確保大規(guī)模供應的同時保證產(chǎn)品品質(zhì)穩(wěn)定是行業(yè)性難題。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！五展聯(lián)動；第17屆中國?國際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會（PM CHINA）、2025上海國際線圈、變壓器、電感、電機與磁性材料展覽會（MMIC CHINA)、2025上海國際增材制造應...

傳統(tǒng)硅器件主要采用高溫擴散摻雜，但鋁、硼和氮在SiC中擴散系數(shù)低，需極高溫度，會惡化器件性能。因此，離子注入工藝成為SiC摻雜的優(yōu)先選擇。為實現(xiàn)離子注入?yún)^(qū)域摻雜濃度均勻，常采用多步離子注入，通過調(diào)節(jié)注入能量和劑量，控zhi摻雜濃度和深度。離子注入設(shè)備是SiC產(chǎn)線難度較高的設(shè)備，全球設(shè)備廠商少、交期長，國產(chǎn)化率低于10%，是我國碳化硅晶圓線建設(shè)的較大瓶頸。國際主流廠商包括美國亞舍立（Axcelis）及應用材料（收購瓦里安），日本愛發(fā)科及日清公司，國內(nèi)廠商主要有中國電科48所（爍科中科信），中車思銳（收購IBS）和凱世通也在介入?！暗谑邔弥袊?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上...

相比硅器件，SiC MOSFET在耐壓、導通電阻、開關(guān)頻率等方面具有較好的優(yōu)勢。耐壓方面，SiC MOSFET在6500V時仍能保持高性能，而硅基MOSFET上限通常在650V左右。在開關(guān)頻率超過1kHz時，硅基IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）損耗較高，而SiC MOSFET開關(guān)損耗相比可降低多達80%，整體功率損耗降低66%。導通電阻方面，SiC MOSFET芯片面積則更小，如在900V導通電阻下，硅基MOSFET芯片尺寸比SiC MOSFET大35倍。SiC MOSFET還具有高性能體二極管，可減少器件數(shù)量和占位面積。SiC MOSFET的工作結(jié)溫和熱穩(wěn)定性更高，可達200℃或更高，適用于汽...

在電動汽車主驅(qū)逆變器中，SiC MOSFET相比硅基IGBT具有明顯優(yōu)勢，如功率轉(zhuǎn)換效率高、逆變器線圈和電容小型化、降低電機鐵損、束線輕量化和節(jié)省安裝空間等。雖然碳化硅器件價格較高，但其優(yōu)勢可降低整車系統(tǒng)成本。2018年，特斯拉在Model 3中首ci將硅基 IGBT替換為SiC器件，大幅提升汽車逆變器效率，越來越多的車廠如比亞迪、蔚來、小鵬、保時捷等正在轉(zhuǎn)向在電驅(qū)中使用碳化硅MOSFET器件。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！五展聯(lián)動；第17屆中國?國際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會、2025上海國際線圈、變壓器、電感、電機與磁性材料展覽會、...

將氧氯化鋯、硝酸釔、硝酸鋁按比例配置成溶液，氨水為沉淀劑，采用共沉淀法制備出釔穩(wěn)定氧化鋯粉體，加入一定比例的PVA，水為介質(zhì)，濕法球磨，烘干、造粒，得到可成型的釔穩(wěn)定氧化鋯粉(Y-ZrO2)。在8.3MPa壓力下干壓，然后在不同壓力下冷等靜壓成型，將制得的生坯在不同溫度下燒結(jié)，并保溫不同時間，研究等靜壓壓力、燒結(jié)溫度、保溫時間對陶瓷密度、抗彎強度、硬度和斷裂韌性的影響?！暗谑邔弥袊?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。五展聯(lián)動孕育無限發(fā)展商機IACE CHINA 2025將與第17屆中國?國際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會（PM CHINA）、2025上海國際...

將氧氯化鋯、硝酸釔、硝酸鋁按比例配置成溶液，氨水為沉淀劑，采用共沉淀法制備出釔穩(wěn)定氧化鋯粉體，加入一定比例的PVA，水為介質(zhì)，濕法球磨，烘干、造粒，得到可成型的釔穩(wěn)定氧化鋯粉(Y-ZrO2)。在8.3MPa壓力下干壓，然后在不同壓力下冷等靜壓成型，將制得的生坯在不同溫度下燒結(jié)，并保溫不同時間，研究等靜壓壓力、燒結(jié)溫度、保溫時間對陶瓷密度、抗彎強度、硬度和斷裂韌性的影響。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。五展聯(lián)動孕育無限發(fā)展商機IACE CHINA 2025將與第17屆中國?國際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會（PM CHINA）、2025上海國際...

碳化硅產(chǎn)業(yè)各鏈條都在互相交融、跨界。系統(tǒng)級廠商方面，比亞迪從整車制造跨到碳化硅產(chǎn)業(yè)前端的襯底環(huán)節(jié)，吉利則向后端做到碳化硅芯片制造；在供應鏈Tier1廠商層面，博世和華為同樣做到碳化硅芯片制造。高成本是制約碳化硅器件實現(xiàn)大規(guī)模商用及國產(chǎn)替代的主要因素，但碳化硅器件與傳統(tǒng)硅基器件的差價正在縮小。SiCSBD產(chǎn)品價格自2017年的4.1元/A降至2020年的1.58元/A，與硅基器件差價約為3.8倍。2019至2020年，1200V和1700V的SiCMOSFET的平均價格跌幅達30%-40%，有助于其提升市場滲透率?！爸袊?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館開幕！五展...

外延生長技術(shù)是碳化硅器件的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，外延質(zhì)量對器件性能影響很大，碳化硅襯底無法直接制作器件，優(yōu)質(zhì)外延工藝可改進微管（Micropipe）、多型、劃痕、層錯、貫穿螺型位錯（TSD）、貫穿刃型位錯（TED）和基平面位錯（BPD）等襯底缺陷，減少外延生長缺陷，同時精確控zhi摻雜濃度，提升均勻性和器件良率。不同外延層厚度對應不同耐壓等級的器件規(guī)格。通常，1μm的外延層對應100V左右的耐壓；耐壓在600V左右時，需要6μm左右的外延層；耐壓高于10000V時，外延層厚度需在100μm以上。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！展會展覽面積將超過50...

在電動汽車主驅(qū)逆變器中，SiC MOSFET相比硅基IGBT具有明顯優(yōu)勢，如功率轉(zhuǎn)換效率高、逆變器線圈和電容小型化、降低電機鐵損、束線輕量化和節(jié)省安裝空間等。雖然碳化硅器件價格較高，但其優(yōu)勢可降低整車系統(tǒng)成本。2018年，特斯拉在Model 3中首ci將硅基 IGBT替換為SiC器件，大幅提升汽車逆變器效率，越來越多的車廠如比亞迪、蔚來、小鵬、保時捷等正在轉(zhuǎn)向在電驅(qū)中使用碳化硅MOSFET器件?！暗谑邔弥袊?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！五展聯(lián)動；第17屆中國?國際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會、2025上海國際線圈、變壓器、電感、電機與磁性材料展覽會、...

碳化硅主驅(qū)芯片可靠性驗證要求極高，需7-8年才能實現(xiàn)從設(shè)計到量產(chǎn)。國外廠商技術(shù)和產(chǎn)量的優(yōu)勢，并通過車企驗證，基本壟斷了碳化硅主驅(qū)芯片供應端。國內(nèi)企業(yè)尚處于可靠性驗證起始階段，未實現(xiàn)批量供應。國產(chǎn)主驅(qū)芯片需克服可靠性驗證和批量化生產(chǎn)兩大難關(guān)，確保大規(guī)模供應的同時保證產(chǎn)品品質(zhì)穩(wěn)定是行業(yè)性難題?！暗谑邔弥袊?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。五展聯(lián)動；第17屆中國?國際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會（PM CHINA）、2025上海國際線圈、變壓器、電感、電機與磁性材料展覽會（MMIC CHINA)、2025上海國際增材制造應用技術(shù)展覽會（AM CHINA)和20...

在半導體制造領(lǐng)域，增大晶片尺寸是提高半導體產(chǎn)品競爭力的關(guān)鍵途徑。對于同一規(guī)格的芯片，隨著晶圓尺寸增加，邊緣管芯（Die）數(shù)量占比縮小，晶圓利用率大幅增加。按晶圓面積測算，一片8英寸碳化硅外延晶片的晶圓面積是6英寸晶圓面積的1.8倍，一片8英寸碳化硅外延晶片的晶圓面積則是4英寸晶圓面積的近4.3倍。根據(jù)Wolfspeed測算，一片8英寸碳化硅晶片可以產(chǎn)出845顆32mm2的芯片，是6英寸碳化硅外延晶片產(chǎn)出的近2倍；邊緣管芯占比下降到7%，大幅度提高晶圓利用率，將進一步降低碳化硅芯片單位成本。展會展覽面積將超過50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個，國內(nèi)外觀眾預計將達到70,0...

AlN有兩個非常重要的性能值得注意：一個是高的熱導率，一個是與Si相匹配的膨脹系數(shù)。缺點是即使在表面有非常薄的氧化層也會對熱導率產(chǎn)生影響，只有對材料和工藝進行嚴格控制才能制造出一致性較好的AlN基板。AlN生產(chǎn)技術(shù)國內(nèi)像斯利通這樣能大規(guī)模生產(chǎn)的少之又少，相對于Al2O3，AlN價格相對偏高許多，這個也是制約其發(fā)展的小瓶頸。不過隨著經(jīng)濟的提升，技術(shù)的升級，這種瓶頸終會消失。綜合以上原因，可以知道，氧化鋁陶瓷由于比較優(yōu)越的綜合性能，在微電子、功率電子、混合微電子、功率模塊等領(lǐng)域還是處于主導地位而被大量運用?！暗谑邔弥袊?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。展...

碳化硅半導體屬于高度技術(shù)密集型行業(yè)，具有較高的技術(shù)、人才、資金、資源和認證壁壘，高度依賴于技術(shù)及生產(chǎn)經(jīng)驗。受日益旺盛的需求影響，目前各路資本爭相投資，碳化硅產(chǎn)業(yè)成為熱門賽道。大量資本的涌入加劇了碳化硅的行業(yè)競爭。同時，全球碳化硅半導體行業(yè)市場集中度較高，市場份額主要被美國、歐洲、日本等國家和地區(qū)的企業(yè)占據(jù)，國內(nèi)企業(yè)未來將面臨國際先進企業(yè)和國內(nèi)新進入者的雙重競爭。若競爭過早進入白熱化，會對大批初創(chuàng)科技型碳化硅企業(yè)的成長造成致命打擊?！暗谑邔弥袊?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！展會展覽面積將超過50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個...

按化學成分可分為：氧化物陶瓷、氮化物陶瓷、碳化物陶瓷、硼化物陶瓷、硅化物陶瓷、復合瓷、金屬陶瓷和纖維增強陶瓷等3.1.1氧化物陶瓷(A2O3、ZrO2、MgO等)3.1.2氮化物陶瓷(Si3N4TN、BN等)3.1.3碳化物陶瓷(SiC、BC、WC等)3.1.4硼化物陶瓷(TB2、ZrB2等)3.1.5硅化物陶瓷、復合瓷、金屬陶瓷和纖維增強陶瓷等?！暗谑邔弥袊?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！五展聯(lián)動；第17屆中國?國際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會（PM CHINA）、2025上海國際線圈、變壓器、電感、電機與磁性材料展覽會（MMIC CHINA)、20...

“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。五展聯(lián)動孕育無限發(fā)展商機IACE CHINA 2025將與第17屆中國?國際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會（PM CHINA）、2025上海國際線圈、變壓器、電感、電機與磁性材料展覽會（MMIC CHINA)、2025上海國際增材制造應用技術(shù)展覽會（AM CHINA)和2025上海國際粉體加工與處理展覽會（POWDEX CHINA）同期同地舉辦。五展聯(lián)動，串聯(lián)相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈，吸引更多的觀眾群體，形成既匯聚更多參展企業(yè)同臺競技，又滿足觀眾和買家多樣化需求的“一站式”商貿(mào)交流平臺。本屆展會（2025年）展覽面積將超過5...

國內(nèi)碳化硅襯底產(chǎn)品以4英寸和6英寸為主，少數(shù)企業(yè)實現(xiàn)8英寸量產(chǎn)，與國際廠商仍有一定差距。我國碳化硅產(chǎn)業(yè)起步較晚，國內(nèi)廠商與國外企業(yè)在碳化硅襯底產(chǎn)品上存在差距。國內(nèi)以4英寸和6英寸為主，而國際廠商如Wolfspeed、意法半導體在2023年已能夠大批量穩(wěn)定供應8英寸襯底。國內(nèi)碳化硅襯底企業(yè)天岳先進2024年5月披露，公司8英寸導電型襯底產(chǎn)品已經(jīng)實現(xiàn)批量交貨，將推動頭部客戶向8英寸轉(zhuǎn)型，但8英寸產(chǎn)品品質(zhì)和良率與國際廠商還有一定差距。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！五展聯(lián)動；第17屆中國?國際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會（PMCHINA）、202...

“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。碳化硅作為第三代半導體的代表性材料之一，展現(xiàn)了突出的性能優(yōu)勢，具有極高的產(chǎn)業(yè)價值，被當下業(yè)內(nèi)稱為“黃金投資賽道”。我國“十四五”規(guī)劃已將碳化硅半導體納入重點支持領(lǐng)域，是國家戰(zhàn)略性需求的重要行業(yè)。我們通過對碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈的基本情況及碳化硅襯底、外延、功率器件環(huán)節(jié)的價值分析，揭示碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈的發(fā)展趨勢以及面臨的機遇與挑戰(zhàn)。五展聯(lián)動孕育無限發(fā)展商機IACECHINA2025將與第17屆中國?國際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會（PMCHINA）、2025上海國際線圈、變壓器、電感、電機與磁性材料展覽會（MMICCHINA...

碳化硅外延制作方法包括化學氣相沉積法（CVD）、分子束外延法（MBE）、液相外延法（LPE）、脈沖激光淀積和升華法（PLD）等。其中CVD法較為普及，該方法能精確控制生長條件，包括氣體源流量、溫度和壓力，從而精確控制外延層的厚度、摻雜濃度和類型，重復性良好，設(shè)備適中，為目前主流技術(shù)。液相外延法和分子束外延法雖理論上可行，但外延制作的質(zhì)量、效率和成本均不如CVD法，不適合商業(yè)化應用。碳化硅外延設(shè)備的密閉性、氣壓、氣體通入時間、配比和沉積溫度均需精確控制。器件耐壓提升，厚度和摻雜濃度均勻性的控制難度增加；外延層厚度增加，控制均勻性和缺陷密度的難度增加?！暗谑邔弥袊?國際先進陶瓷展覽會”將于202...

我國碳化硅產(chǎn)業(yè)雖起步較晚，但近年來，在國家政策推動和地方積極產(chǎn)業(yè)布局下，我國逐步形成了覆蓋襯底、外延、器件等環(huán)節(jié)的完整的第三代半導體產(chǎn)業(yè)鏈，并形成了以京津冀、長三角、珠三角等區(qū)域的第三代半導體產(chǎn)業(yè)集群。其中，京津冀區(qū)域集中了清華大學、北京大學、中科院半導體所等相關(guān)科研院所，并擁有天科合達、同光晶體、泰科天潤、世紀金光等第三代半導體企業(yè)，初步形成較為完整的碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈；長三角區(qū)域目前形成了以蘇州為中心的氮化鎵全產(chǎn)業(yè)鏈集群和以上海為中心的碳化硅功率半導體企業(yè)集群；珠三角區(qū)域作為國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)資源集中地區(qū)，成立了多個研究基地，擁有包括東莞天域、東莞中鎵、亞迪半導體等在內(nèi)的第三代半導體相關(guān)企業(yè)?！暗?..

氧化鋁陶瓷以Al2O3為主要成分,含有少量SiO2的陶瓷，又稱高鋁陶瓷。根據(jù)Al2O3含量不同分為75瓷(含75%Al2O3，又稱剛玉-莫來石瓷)、95瓷和99瓷，后兩者又稱剛玉瓷。氧化鋁陶瓷耐高溫性能好，可使用到1950℃。具有良好的電絕緣性能及耐磨性。微晶剛玉的硬度極高(僅次于金剛石)。氧化鋁陶瓷被用作耐火材料，如耐火磚、坩堝、熱偶套管，淬火鋼的切削刀具、金屬拔絲模，內(nèi)燃機的火花塞，火箭、導彈的導流罩及軸承等。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！五展聯(lián)動；第17屆中國?國際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會（PMCHINA）、2025上海國際線圈...

碳化硅單晶材料按電學性能分導電型和半絕緣型，而導電型對應同質(zhì)外延，半絕緣型對應異質(zhì)外延。同質(zhì)外延制成SBD（肖特基勢壘二極管）、MOSFET（縮寫為MOS，金屬氧化物半導體場效應晶體管）等功率器件，適用于電子電力領(lǐng)域如新能源汽車、軌道交通、智能電網(wǎng)、光伏發(fā)電等；在導電型SiC襯底上生長SiC外延層可制得SiC外延片，用于各類功率器件。異質(zhì)外延制成HEMT（高電子遷徙率晶體管）等微波射頻器件，適用于高頻、高溫環(huán)境如5G通訊、雷達、國?防jun工等領(lǐng)域；在半絕緣型SiC襯底上生長GaN外延層可制得SiC基GaN外延片用于GaN射頻器件?！暗谑邔弥袊?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-1...

傳統(tǒng)硅器件主要采用高溫擴散摻雜，但鋁、硼和氮在SiC中擴散系數(shù)低，需極高溫度，會惡化器件性能。因此，離子注入工藝成為SiC摻雜的優(yōu)先選擇。為實現(xiàn)離子注入?yún)^(qū)域摻雜濃度均勻，常采用多步離子注入，通過調(diào)節(jié)注入能量和劑量，控zhi摻雜濃度和深度。離子注入設(shè)備是SiC產(chǎn)線難度較高的設(shè)備，全球設(shè)備廠商少、交期長，國產(chǎn)化率低于10%，是我國碳化硅晶圓線建設(shè)的較大瓶頸。國際主流廠商包括美國亞舍立（Axcelis）及應用材料（收購瓦里安），日本愛發(fā)科及日清公司，國內(nèi)廠商主要有中國電科48所（爍科中科信），中車思銳（收購IBS）和凱世通也在介入?！暗谑邔弥袊?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上...

碳化硅下游應用場景眾多，包括新能源車、充電樁、光伏、儲能、軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天等，而下游的需求放量情況會影響碳化硅的市場規(guī)模體量，比如新能源車的產(chǎn)銷量、充電樁的配套數(shù)量、光伏的裝機量等。雖然碳化硅襯底和器件工藝逐漸成熟，價格有所下降，但碳化硅功率器件價格仍遠高于硅基器件。下游應用領(lǐng)域需平衡碳化硅器件高價格與性能優(yōu)勢帶來的綜合成本，短期內(nèi)將限制碳化硅器件在功率器件領(lǐng)域的滲透率，大規(guī)模應用仍存挑戰(zhàn)。若下游存在放量不及預期的情況，將對上游碳化硅企業(yè)研發(fā)、生產(chǎn)造成不利影響?！暗谑邔弥袊?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！五展聯(lián)動，串聯(lián)相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈，吸引更...

陶瓷注射成型技術(shù)作為一種新興的精密制造技術(shù)，有著其不可比擬的獨特優(yōu)勢。成為國內(nèi)外精密陶瓷零部件中具有優(yōu)勢的先進制備技術(shù)?！暗谑邔弥袊?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。五展聯(lián)動孕育無限發(fā)展商機IACE CHINA 2025將與第17屆中國?國際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會（PM CHINA）、2025上海國際線圈、變壓器、電感、電機與磁性材料展覽會（MMIC CHINA)、2025上海國際增材制造應用技術(shù)展覽會（AM CHINA)和2025上海國際粉體加工與處理展覽會（POWDEX CHINA）同期同地舉辦。五展聯(lián)動，串聯(lián)相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈，吸引更多的觀眾群體，形...

碳化硅下游應用場景眾多，包括新能源車、充電樁、光伏、儲能、軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天等，而下游的需求放量情況會影響碳化硅的市場規(guī)模體量，比如新能源車的產(chǎn)銷量、充電樁的配套數(shù)量、光伏的裝機量等。雖然碳化硅襯底和器件工藝逐漸成熟，價格有所下降，但碳化硅功率器件價格仍遠高于硅基器件。下游應用領(lǐng)域需平衡碳化硅器件高價格與性能優(yōu)勢帶來的綜合成本，短期內(nèi)將限制碳化硅器件在功率器件領(lǐng)域的滲透率，大規(guī)模應用仍存挑戰(zhàn)。若下游存在放量不及預期的情況，將對上游碳化硅企業(yè)研發(fā)、生產(chǎn)造成不利影響。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！五展聯(lián)動，串聯(lián)相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈，吸引更...

碳化硅單晶材料按電學性能分導電型和半絕緣型，而導電型對應同質(zhì)外延，半絕緣型對應異質(zhì)外延。同質(zhì)外延制成SBD（肖特基勢壘二極管）、MOSFET（縮寫為MOS，金屬氧化物半導體場效應晶體管）等功率器件，適用于電子電力領(lǐng)域如新能源汽車、軌道交通、智能電網(wǎng)、光伏發(fā)電等；在導電型SiC襯底上生長SiC外延層可制得SiC外延片，用于各類功率器件。異質(zhì)外延制成HEMT（高電子遷徙率晶體管）等微波射頻器件，適用于高頻、高溫環(huán)境如5G通訊、雷達、國?防jun工等領(lǐng)域；在半絕緣型SiC襯底上生長GaN外延層可制得SiC基GaN外延片用于GaN射頻器件?！暗谑邔弥袊?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-1...

PVT法通過感應加熱碳化硅粉料，在密閉生長腔室內(nèi)高溫低壓下使其升華產(chǎn)生反應氣體，通過固—氣反應產(chǎn)生碳化硅單晶反應源，在生長腔室頂部設(shè)置碳化硅籽晶，氣相組分在籽晶表面原子沉積，生長為碳化硅單晶。HT-CVD法在2000-2500℃下，使用高純度氣體在高溫區(qū)形成碳化硅氣態(tài)前驅(qū)物，帶入低溫區(qū)沉積形成碳化硅晶體。LPE法基于“溶解—析出”原理，通過碳在1400℃至1800℃高溫純硅溶液中的溶解和從過飽和溶液中析出碳化硅晶體來實現(xiàn)生長，需助熔劑提高碳溶解度。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！展會展覽面積將超過50,000平方米，中外展商約900家，...

半導體材料作為一種在常溫下導電性能介于絕緣體與導體之間的特殊物質(zhì)，在現(xiàn)代科技產(chǎn)業(yè)中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用，被譽為現(xiàn)代工業(yè)的“糧食”。從研究和規(guī)?；瘧玫臅r間順序來看，半導體材料可分為三代。與以硅（Si）、鍺（Ge）為dai表的一代半導體和以砷化鎵（GaAs）為dai表的第二代半導體相比，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為dai表的第三代半導體具有高禁帶寬度、高擊穿電場、高熱導率、高電子飽和漂移速率等特征，可以滿足科技發(fā)展對高溫、高功率、gao壓、高頻等復雜場景的器件要求?！暗谑邔弥袊?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。展會展覽面積將超過50,000平...

碳化硅下游應用場景眾多，包括新能源車、充電樁、光伏、儲能、軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天等，而下游的需求放量情況會影響碳化硅的市場規(guī)模體量，比如新能源車的產(chǎn)銷量、充電樁的配套數(shù)量、光伏的裝機量等。雖然碳化硅襯底和器件工藝逐漸成熟，價格有所下降，但碳化硅功率器件價格仍遠高于硅基器件。下游應用領(lǐng)域需平衡碳化硅器件高價格與性能優(yōu)勢帶來的綜合成本，短期內(nèi)將限制碳化硅器件在功率器件領(lǐng)域的滲透率，大規(guī)模應用仍存挑戰(zhàn)。若下游存在放量不及預期的情況，將對上游碳化硅企業(yè)研發(fā)、生產(chǎn)造成不利影響?！暗谑邔弥袊?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！展會展覽面積將超過50,000平...