2024年3月6日中國國際先進陶瓷展會

按化學成分可分為：氧化物陶瓷、氮化物陶瓷、碳化物陶瓷、硼化物陶瓷、硅化物陶瓷、復合瓷、金屬陶瓷和纖維增強陶瓷等3.1.1氧化物陶瓷(A2O3、ZrO2、MgO等)3.1.2氮化物陶瓷(Si3N4TN、BN等)3.1.3碳化物陶瓷(SiC、BC、WC等)3.1.4硼化物陶瓷(TB2、ZrB2等)3.1.5硅化物陶瓷、復合瓷、金屬陶瓷和纖維增強陶瓷等。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！五展聯(lián)動；第17屆中國?國際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會（PM CHINA）、2025上海國際線圈、變壓器、電感、電機與磁性材料展覽會（MMIC CHINA)、2025上海國際增材制造應(yīng)用技術(shù)展覽會（AM CHINA)和2025上海國際粉體加工與處理展覽會（POWDEX CHINA）同期同地舉辦。五展聯(lián)動，串聯(lián)相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈，吸引更多的觀眾群體，形成既匯聚更多參展企業(yè)同臺競技，又滿足觀眾和買家多樣化需求的“一站式”商貿(mào)交流平臺。展會展覽面積將超過50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個，國內(nèi)外觀眾預(yù)計將達到70,000人次。展會打通供需堵點，整合全產(chǎn)業(yè)鏈資源，集中展示涵蓋原材料、設(shè)備、儀器、制品等產(chǎn)品、服務(wù)和整體解決方案。 誠邀您蒞臨參觀！業(yè)界精英云集中國國際先進陶瓷展，為行業(yè)發(fā)展注入新動能。2025年3月10-12日，我們在上海等您！2024年3月6日中國國際先進陶瓷展會

將氧氯化鋯、硝酸釔、硝酸鋁按比例配置成溶液，氨水為沉淀劑，采用共沉淀法制備出釔穩(wěn)定氧化鋯粉體，加入一定比例的PVA，水為介質(zhì)，濕法球磨，烘干、造粒，得到可成型的釔穩(wěn)定氧化鋯粉(Y-ZrO2)。在8.3MPa壓力下干壓，然后在不同壓力下冷等靜壓成型，將制得的生坯在不同溫度下燒結(jié)，并保溫不同時間，研究等靜壓壓力、燒結(jié)溫度、保溫時間對陶瓷密度、抗彎強度、硬度和斷裂韌性的影響。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。五展聯(lián)動孕育無限發(fā)展商機IACE CHINA 2025將與第17屆中國?國際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會（PM CHINA）、2025上海國際線圈、變壓器、電感、電機與磁性材料展覽會（MMIC CHINA)、2025上海國際增材制造應(yīng)用技術(shù)展覽會（AM CHINA)和2025上海國際粉體加工與處理展覽會（POWDEX CHINA）同期同地舉辦。五展聯(lián)動，串聯(lián)相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈，吸引更多的觀眾群體，形成既匯聚更多參展企業(yè)同臺競技，又滿足觀眾和買家多樣化需求的“一站式”商貿(mào)交流平臺。本屆展會（2025年）展覽面積將超過50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個，國內(nèi)外觀眾預(yù)計將達到70,000人次。 誠邀您蒞臨參觀！3月6-8日先進陶瓷與增材制造展覽會“中國?國際先進陶瓷展覽會”匯聚國內(nèi)外優(yōu)秀企業(yè)和業(yè)界精英：2025年3月10日上海見。誠邀您蒞臨參觀！

在半導體制造領(lǐng)域，增大晶片尺寸是提高半導體產(chǎn)品競爭力的關(guān)鍵途徑。對于同一規(guī)格的芯片，隨著晶圓尺寸增加，邊緣管芯（Die）數(shù)量占比縮小，晶圓利用率大幅增加。按晶圓面積測算，一片8英寸碳化硅外延晶片的晶圓面積是6英寸晶圓面積的1.8倍，一片8英寸碳化硅外延晶片的晶圓面積則是4英寸晶圓面積的近4.3倍。根據(jù)Wolfspeed測算，一片8英寸碳化硅晶片可以產(chǎn)出845顆32mm2的芯片，是6英寸碳化硅外延晶片產(chǎn)出的近2倍；邊緣管芯占比下降到7%，大幅度提高晶圓利用率，將進一步降低碳化硅芯片單位成本?！暗谑邔弥袊?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。展會展覽面積將超過50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個，國內(nèi)外觀眾預(yù)計將達到70,000人次。展會打通供需堵點，整合全產(chǎn)業(yè)鏈資源，集中展示涵蓋原材料、設(shè)備、儀器、制品等一應(yīng)俱全的產(chǎn)品、服務(wù)和整體解決方案。 誠邀您蒞臨參觀！

刻蝕技術(shù)是SiC器件研制的關(guān)鍵，刻蝕精度、損傷和表面殘留物對器件性能至關(guān)重要。目前，SiC刻蝕多采用干法刻蝕，其中電感耦合等離子體（ICP）刻蝕因其低壓高密度的特點，具有刻蝕速率高、器件損傷小、操作簡單等優(yōu)點，而廣泛應(yīng)用。此外，刻蝕中的掩膜材料、蝕刻選擇、混合氣體、側(cè)壁控zhi、蝕刻速率和側(cè)壁粗糙度等需針對SiC材料特性開發(fā)。刻蝕環(huán)節(jié)主要挑戰(zhàn)包括實現(xiàn)更小尺寸器件結(jié)構(gòu)、提高深寬比和形貌圓滑度，以及從淺溝槽向深溝槽的轉(zhuǎn)變等。主流的SiCICP刻蝕設(shè)備廠商包括德國Plasma-Therm及Sentech、瑞士TEL、美國AMAT、英國牛津儀器、日本Samco及愛發(fā)科，及我國北方華創(chuàng)、中國電科48所、中微半導體、中科院微電子所、珠海恒格微電子、稷以科技等。北方華創(chuàng)在SiC器件領(lǐng)域具備完整的刻蝕解決方案，其SiC器件刻蝕機出貨量的市占率較高?！暗谑邔弥袊?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！展會展覽面積將超過50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個，國內(nèi)外觀眾預(yù)計將達到70,000人次。展會打通供需堵點，整合全產(chǎn)業(yè)鏈資源，集中展示涵蓋原材料、設(shè)備、儀器、制品等產(chǎn)品、服務(wù)和整體解決方案。誠邀您蒞臨參觀！中國?國際先進陶瓷展覽會，為行業(yè)搭建共享共贏的商貿(mào)平臺，2025年3月10日上海世博展覽館。誠邀您蒞臨！

在需要高功率的場景中，常將多顆SiC功率半導體封裝到模塊中，實現(xiàn)芯片互連和與其他電路的連接。SiC功率模塊封裝包括芯片、絕緣基板、散熱基板等組件。按封裝芯片類型，可分為混合模塊和全SiC模塊，前者是替換硅基IGBT中的二極管，后者全用SiC芯片，兩者在效率、尺寸和成本上有差異；按拓撲方式，可分為三相模塊、半橋模塊等封裝形式；按散熱方式，可分為單面冷卻和雙面冷卻；按封裝外殼類型，可分為轉(zhuǎn)模塑封結(jié)構(gòu)和HPD（gao壓聚乙烯塑料）框架結(jié)構(gòu)。隨著需求多樣化，定制化模塊逐漸流行。目前，SiC功率模塊多沿用傳統(tǒng)硅基IGBT封裝結(jié)構(gòu)，難以發(fā)揮SiC材料特性，面臨可靠性和成本等挑戰(zhàn)?！暗谑邔弥袊?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！展會展覽面積將超過50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個，國內(nèi)外觀眾預(yù)計將達到70,000人次。展會打通供需堵點，整合全產(chǎn)業(yè)鏈資源，集中展示涵蓋原材料、設(shè)備、儀器、制品等產(chǎn)品、服務(wù)和整體解決方案。誠邀您蒞臨參觀！“第十七屆中國國際先進陶瓷展覽會同期展會：粉末冶金及硬質(zhì)合金展、 2025年3月10-12日上海世博展覽館。3月6-8日先進陶瓷與增材制造展覽會

敬請關(guān)注中國?國際先進陶瓷展覽會，品牌精英齊聚盛會，傾情見證行業(yè)新輝煌，2025年3月10日上海見！2024年3月6日中國國際先進陶瓷展會

碳化硅下游應(yīng)用場景眾多，包括新能源車、充電樁、光伏、儲能、軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天等，而下游的需求放量情況會影響碳化硅的市場規(guī)模體量，比如新能源車的產(chǎn)銷量、充電樁的配套數(shù)量、光伏的裝機量等。雖然碳化硅襯底和器件工藝逐漸成熟，價格有所下降，但碳化硅功率器件價格仍遠高于硅基器件。下游應(yīng)用領(lǐng)域需平衡碳化硅器件高價格與性能優(yōu)勢帶來的綜合成本，短期內(nèi)將限制碳化硅器件在功率器件領(lǐng)域的滲透率，大規(guī)模應(yīng)用仍存挑戰(zhàn)。若下游存在放量不及預(yù)期的情況，將對上游碳化硅企業(yè)研發(fā)、生產(chǎn)造成不利影響?！暗谑邔弥袊?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！五展聯(lián)動，串聯(lián)相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈，吸引更多的觀眾群體，形成既匯聚更多參展企業(yè)同臺競技，又滿足觀眾和買家多樣化需求的“一站式”商貿(mào)交流平臺。展會展覽面積將超過50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個，國內(nèi)外觀眾預(yù)計將達到70,000人次。展會打通供需堵點，整合全產(chǎn)業(yè)鏈資源，集中展示涵蓋原材料、設(shè)備、儀器、制品等產(chǎn)品、服務(wù)和整體解決方案。誠邀您蒞臨參觀！2024年3月6日中國國際先進陶瓷展會